【2N6059硅NPN功率达林顿晶体管ssssss意法半导体优选SALESTYPE高增益NPN达林顿H】,IC型号2N6059_03,2N6059_03 PDF资料,2N6059

2N6059

硅NPN功率达林顿晶体管

意法半导体优选

SALESTYPE

高增益

NPN达林顿

HIGH CURRENT

高耗散

综合反平行

集电极 - 发射极二极管

TO-3

应用

线性和开关工业

设备

描述

的2N6059为硅外延基NPN型

晶体管的单片达林顿配置

安装在JEDEC的TO - 3金属外壳。

这是inteded在电源线和低使用

高频开关应用。

内部原理图

典型值。 = 6 KΩ

典型值。 = 55

绝对最大额定值

符号

CBO

CEX

首席执行官

EBO

合计

英镑

参数

集电极 - 基极电压（I

= 0)

集电极 - 发射极电压（V

= -1.5V)

集电极 - 发射极电压（I

= 0)

发射极 - 基极电压（I

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

＆ LT ; 5毫秒）

基极电流

总功耗在T

≤

25 C

储存温度

马克斯。工作结温

价值

100

0.2

150

-65 200

200

单位

2003年2月

1/4

2N6059

热数据

THJ情况

热阻结案件

最大

1.17

C / W

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

符号

CEX

首席执行官

EBO

参数

集电极截止

电流（V

= -1.5V)

集电极截止

电流（I

= 0)

发射极截止电流

= 0)

测试条件

=额定V

CEX

=额定V

CEX

= 50 V

= 5 V

= 100毫安

100

= 150 C

分钟。

典型值。

马克斯。

0.5

单位

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

= 0)

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射极电压

直流电流增益

跃迁频率

= 6 A

= 12 A

= 6 A

= 12 A

= 5 A

= 24毫安

= 120毫安

= 3 V

F = 1 MHz的

750

100

2.8

兆赫

脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

2/4

2N6059

TO- 3机械数据

分钟。

11.00

0.97

1.50

8.32

19.00

10.70

16.50

25.00

4.00

38.50

30.00

典型值。

马克斯。

13.10

1.15

1.65

8.92

20.00

11.10

17.20

26.00

4.09

39.30

30.30

分钟。

0.433

0.038

0.059

0.327

0.748

0.421

0.649

0.984

0.157

1.515

1.187

寸

典型值。

马克斯。

0.516

0.045

0.065

0.351

0.787

0.437

0.677

1.023

0.161

1.547

1.193

DIM 。

P003F

3/4

2N6059

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