【PNP - 2N6040 ， 2N6042 ，NPN - 2N6043 ， 2N60452N6043】,IC型号2N6043G,2N6043G PDF资料,2N6043G经销商,ic,电子元器件-51电子网

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ，

NPN - 2N6043 ， 2N6045

2N6043和2N6045的首选设备

塑料中功率

其他芯片

晶体管

塑料中功率互补硅晶体管

设计用于通用放大器和低速开关

应用程序。

特点

http://onsemi.com

高直流电流增益 - ^ h

FE

= 2500 （典型值） @我

C

= 4.0 ADC

集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC -

V

CEO （ SUS ）

= 60 VDC （最小） - 2N6040 ， 2N6043

= 100伏直流（最小值） - 2N6042 ， 2N6045

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 4.0 ADC - 2N6043,44

= 2.0伏（最大） @我

C

= 3.0 ADC - 2N6042 ， 2N6045

单片式结构，具有内置基射极分流电阻

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

ESD额定值：

人体模型， 3B > 8000 V

机器型号，C > 400 V

无铅包可用*

达林顿管， 8安培

其他芯片

功率晶体管

60 - 100伏， 75瓦

1

TO220AB

CASE 221A -09

风格1

最大额定值

（注1 ）

等级

集电极 - 发射极电压

符号

V

首席执行官

价值

60

单位

VDC

2N6040

2N6043

2N6042

2N6045

100

60

集电极 - 基极电压

2N6040

2N6043

2N6042

2N6045

V

CB

VDC

100

5.0

8.0

16

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

V

EB

I

C

I

B

VDC

ADC

连续

PEAK

120

MADC

W

W / ℃，

°C

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

75

0.60

T

J

, T

英镑

-65到+150

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表示JEDEC注册的数据。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

标记图

2N604xG

AYWW

2N604x =器件代码

X = 0， 2,3 ，或5个

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

1

2006年5月 - 启示录7

出版订单号：

2N6040/D

*表示JEDEC注册的数据。

动态特性

基本特征

开关特性

*电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

热特性

小信号电流增益（I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

小信号电流增益（I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏， F = 1.0兆赫）

基射极电压上（我

C

= 4.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

基射极饱和电压（I

C

= 8.0 ADC ，我

B

= 80 MADC ）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 4.0 ADC ，我

B

= 16 MADC ）

(I

C

= 3.0 ADC ，我

B

= 12 MADC ）

(I

C

= 8.0 ADC ，我

B

= 80 ADC）

直流电流增益

(I

C

= 4.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 8.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射极截止电流（V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CE

= 100伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CE

= 60 VDC ，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

(V

CE

= 80伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

(V

CE

= 100伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 100伏，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 0)

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

特征

http://onsemi.com

2N6040, 2N6043,

2N6042, 2N6045

所有类型

2N6040, 2N6043,

2N6042, 2N6045

所有类型

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6041, 2N6044

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040/2N6042

2N6043/2N6045

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

I

CEX

|h

fe

|

q

JC

q

JA

C

ob

h

FE

h

fe

1000

100

民

60

100

300

4.0

1.67

最大

57

20.000

20,000

最大

20

200

300

200

2.8

4.5

2.0

4.0

2.0

20

2

MADC

° C / W

单位

VDC

mA

pF

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

T

A

T

C

4.0 80

PD ，功耗（瓦）

3.0 60

2.0 40

T

C

1.0 20

T

A

0

20

40

60

80

100

T，温度（ ° C）

120

140

160

图1.功率降额

5.0

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

V

2

约

+8.0 V

0

V

1

约

12 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

51

R

B

D

1

+4.0 V

25

ms

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

对于NPN测试电路反向极性都和D1 。

V

CC

30 V

R

C

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

t

s

t

f

TUT

T， TIME （

μ

s)

范围

≈

8.0 k

≈

120

0.3

0.2 V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

0.1 T

J

= 25°C

PNP

0.07

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

NPN

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

t

r

5.0 7.0

10

图2.开关时间等效电路

图3.开关时间

R（T ），有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

D = 0.5

0.2

0.1

P

（ PK）

q

JC

（吨） = R （t）的

q

JC

q

JC

= 1.67 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

t

1

读取时间AT＆T

1

t

2

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.05

0.02

单脉冲

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

http://onsemi.com

3

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

20

10

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

500

ms

1.0毫秒

dc

5.0毫秒

T

J

= 150°C

键合丝有限公司

限热@ T

C

= 25°C

（单脉冲）

二次击穿有限公司

曲线适用于低于额定V

首席执行官

2N6040, 2N6043

2N6045

5.0 7.0 10

20 30

2.0 3.0

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

70 100

100

ms

0.1

0.05

0.02

1.0

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

< 150℃。牛逼

J（下PK）

可以从该数据在图4中计算。

在高温情况下，热限制将减少

可处理到值小于所述电源

通过限制二次击穿的罚款。

图5.活动区安全工作区

10,000

的hFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

PNP

NPN

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

T

C

= 25°C

V

CE

= 4.0伏

I

C

= 3.0 ADC

C，电容（pF ）

300

T

J

= 25°C

200

C

ob

100

70

50

PNP

NPN

30

0.1

100

0.2

20

0.5

1.0 2.0

5.0 10

V

R

，反向电压（伏）

50

C

ib

图6.小信号电流增益

图7.电容

PNP

2N6040, 2N6042

20,000

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

300

200

0.1

V

CE

= 4.0 V

20,000

NPN

2N6043, 2N6045

V

CE

= 4.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

25°C

1000

700

500

300

200

0.1

T

J

= 150°C

T

J

= 150°C

25°C

55

°C

55

°C

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0

10

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

5.0 7.0 10

图8.直流电流增益

http://onsemi.com

4

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

I

B

，基极电流（毫安）

10

20

30

图9.集电极饱和区

3.0

T

J

= 25°C

2.5

V，电压（V ）

3.0

T

J

= 25°C

2.5

2.0

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

1.0

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

1.5

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

1.5

1.0

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0

7.010

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0

7.0

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图10. “开”电压

订购信息

设备

2N6040

2N6040G

2N6042

2N6042G

2N6043

2N6043G

2N6045

2N6045G

包

TO220AB

（无铅）

TO220AB

（无铅）

50单位/铁

TO220AB

（无铅）

TO220AB

（无铅）

航运

http://onsemi.com

5

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ，

NPN - 2N6043 ， 2N6045

2N6043和2N6045的首选设备

塑料中功率

其他芯片

晶体管

塑料中功率互补硅晶体管

设计用于通用放大器和低速开关

应用程序。

特点

http://onsemi.com

高直流电流增益 - ^ h

FE

= 2500 （典型值） @我

C

= 4.0 ADC

集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100 MADC -

V

CEO （ SUS ）

= 60 VDC （最小） - 2N6040 ， 2N6043

= 100伏直流（最小值） - 2N6042 ， 2N6045

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 2.0伏（最大） @我

C

= 4.0 ADC - 2N6043,44

= 2.0伏（最大） @我

C

= 3.0 ADC - 2N6042 ， 2N6045

整体结构具有内置基极 - 发射极分流电阻

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

ESD额定值：

人体模型， 3B > 8000 V

机器型号，C > 400 V

无铅包可用*

达林顿管， 8安培

其他芯片

功率晶体管

60 - 100伏， 75瓦

TO-220AB

CASE 221A -09

风格1

最大额定值

（注1 ）

等级

集电极 - 发射极电压

符号

V

首席执行官

价值

60

单位

VDC

2N6040

2N6043

2N6042

2N6045

100

60

集电极 - 基极电压

2N6040

2N6043

2N6042

2N6045

V

CB

VDC

100

5.0

8.0

16

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

V

EB

I

C

I

B

VDC

ADC

连续

PEAK

120

MADC

W

W / ℃，

°C

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

75

0.60

T

J

, T

英镑

-65

+150

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表示JEDEC注册的数据。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

标记图

2N604xG

AYWW

2N604x =器件代码

X = 0， 2,3 ，或5个

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

1

2007年11月 - 修订版8

出版订单号：

2N6040/D

*表示JEDEC注册的数据。

动态特性

基本特征

开关特性

*电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

热特性

小信号电流增益（I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏， F = 1.0千赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

小信号电流增益（I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏， F = 1.0兆赫）

基射极电压上（我

C

= 4.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

基射极饱和电压（I

C

= 8.0 ADC ，我

B

= 80 MADC ）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 4.0 ADC ，我

B

= 16 MADC ）

(I

C

= 3.0 ADC ，我

B

= 12 MADC ）

(I

C

= 8.0 ADC ，我

B

= 80 ADC）

直流电流增益

(I

C

= 4.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

(I

C

= 8.0 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射极截止电流（V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CE

= 100伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏）

(V

CE

= 60 VDC ，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

(V

CE

= 80伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

(V

CE

= 100伏，V

BE （OFF）的

= 1.5伏，T

C

= 150°C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

(V

CE

= 100伏，我

B

= 0)

集电极 - 发射极电压维持

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 0)

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

特征

http://onsemi.com

2N6040, 2N6043,

2N6042, 2N6045

所有类型

2N6040, 2N6043,

2N6042, 2N6045

所有类型

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6041, 2N6044

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040, 2N6043

2N6042, 2N6045

2N6040/2N6042

2N6043/2N6045

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

I

CEX

|h

fe

|

q

JC

q

JA

C

ob

h

FE

h

fe

1000

100

民

60

100

300

4.0

-

1.67

最大

57

20.000

20,000

-

最大

20

200

300

200

2.8

4.5

2.0

4.0

2.0

20

2

-

MADC

° C / W

单位

VDC

mA

pF

-

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

T

A

T

C

4.0 80

PD ，功耗（瓦）

3.0 60

2.0 40

T

C

1.0 20

T

A

0

20

40

60

80

100

T，温度（ ° C）

120

140

160

图1.功率降额

5.0

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复型，如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

V

2

约

+ 8.0 V

0

V

1

约

-12 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1.0 ％

51

R

B

D

1

+ 4.0 V

25

ms

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

对于NPN测试电路反向极性都和D1 。

V

CC

- 30 V

R

C

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

t

s

t

f

TUT

T， TIME （

μ

s)

范围

≈

8.0 k

≈

120

0.3

0.2 V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

0.1 T

J

= 25°C

PNP

0.07

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

NPN

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

t

r

5.0 7.0

10

图2.开关时间等效电路

图3.开关时间

R（T ），有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

D = 0.5

0.2

0.1

P

（ PK）

q

JC

（吨） = R （t）的

q

JC

q

JC

= 1.67 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

t

1

读取时间AT＆T

1

t

2

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

q

JC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.05

0.02

单脉冲

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

http://onsemi.com

3

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

20

10

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0

2.0

1.0

500

ms

1.0毫秒

5.0毫秒

100

ms

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

1.0

dc

T

J

= 150°C

键合丝有限公司

限热@ T

C

= 25°C

（单脉冲）

二次击穿有限公司

曲线适用于低于额定V

首席执行官

2N6040, 2N6043

2N6045

20 30

2.0 3.0

50

5.0 7.0 10

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

70 100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

- V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

< 150℃。牛逼

J（下PK）

可以从该数据在图4中计算。

在高温情况下，热限制将减少

可处理到值小于所述电源

通过限制二次击穿的罚款。

图5.活动区安全工作区

10,000

HFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1.0

2.0

PNP

NPN

5.0

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

T

C

= 25°C

V

CE

= 4.0伏

I

C

= 3.0 ADC

C，电容（pF ）

300

T

J

= 25°C

200

C

ob

100

70

50

PNP

NPN

30

0.1

100

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

C

ib

图6.小信号电流增益

图7.电容

PNP

2N6040, 2N6042

20,000

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

300

200

0.1

V

CE

= 4.0 V

20,000

NPN

2N6043, 2N6045

V

CE

= 4.0 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

25°C

1000

700

500

300

200

0.1

T

J

= 150°C

T

J

= 150°C

25°C

- 55°C

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0

10

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图8.直流电流增益

http://onsemi.com

4

PNP - 2N6040 ， 2N6042 ， NPN - 2N6043 ， 2N6045

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.0

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2.0 A

2.2

4.0 A

6.0 A

1.8

1.4

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

1.0

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20

30

I

B

，基极电流（毫安）

I

B

，基极电流（毫安）

图9.集电极饱和区

3.0

T

J

= 25°C

2.5

V，电压（V ）

3.0

T

J

= 25°C

2.5

2.0

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

1.0

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

1.5

V

BE

@ V

CE

= 4.0 V

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

1.5

1.0

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0

7.010

0.5

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0

7.0

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图10. “开”电压

订购信息

设备

2N6040

2N6040G

2N6042

2N6042G

2N6043

2N6043G

2N6045

2N6045G

包

TO-220AB

（无铅）

TO-220AB

（无铅）

50单位/铁

TO-220AB

（无铅）

TO-220AB

（无铅）

航运

http://onsemi.com

5