2N6027, 2N6028
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
功耗*
减免上述25℃
DC正向阳极电流*
减免上述25℃
直流栅极电流*
重复峰值正向电流
100
m
s脉冲宽度，占空比1％
20
m
s脉冲宽度，占空比1％ *
非重复性峰值正向电流
10
m
S脉冲宽度
大门Cathode正向电压*
门到阴极反向电压*
门到阳极反向电压*
阳极到阴极电压* （注1）
电容放电能量（注2 ）
功率耗散（注3 ）
工作温度
结温
存储温度范围
符号
P
F
1/q
JA
I
T
I
G
I
TRM
1.0
2.0
I
TSM
V
GKF
V
GKR
V
GAR
V
AK
E
P
D
T
OPR
T
J
T
英镑
5.0
40
*5.0
40
±40
250
300
-50至+100
-50至+125
-55到+150
A
V
V
V
V
mJ
mW
°C
°C
°C
价值
300
4.0
150
2.67
"50
单位
mW
毫瓦/°C的
mA
毫安/°C的
mA
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
*表示JEDEC注册的数据
1.阳极积极，R
GA
= 1000
W
阳极负，R
GA
=打开
2. E = 0.5
CV
2
电容放电能量限流电阻和重复。
3.减免电流和功率高于25 ℃。
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的
（ T1 / 16 “的情况下，最多10秒）
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
° C / W
°C
http://onsemi.com
2
2N6027, 2N6028
典型的峰值当前的行为
2N6027
10
IP峰值电流（
m
A)
5.0
3.0
2.0
1.0
R
G
= 10千瓦
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
100千瓦
1.0毫瓦
T
A
= 25°C
（参见图2）
100
50
IP峰值电流（
m
A)
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
10
15
20
0.1
50
25
R
G
= 10千瓦
100千瓦
1.0毫瓦
0
+25
+50
+75
+100
V
S
= 10 V
（参见图2）
V
S
，电源电压（ V）
T
A
，环境温度（ ° C）
电源电压和R的图9的影响
G
温度和R的图10的影响
G
2N6028
1.0
0.7
0.5
R
G
= 10千瓦
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
5.0
100千瓦
10
5.0
IP峰值电流（
m
A)
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
100千瓦
1.0毫瓦
25
+25
+75
0
+50
T
A
，环境温度（ ° C）
+100
R
G
= 10千瓦
V
S
= 10 V
（参见图2）
IP峰值电流（
m
A)
1.0毫瓦
T
A
= 25°C
（参见图2）
0.05
0.02
10
15
V
S
，电源电压（ V）
20
0.01
50
电源电压和R图11.影响
G
订购信息
美国
2N6027
2N6027G
2N6028
2N6028G
2N6027RLRA
2N6027RLRAG
2N6028RLRA
2N6028RLRAG
2N6028RLRM
2N6028RLRMG
2000 /磁带&弹药盒
2N6028RLRP
2N6027RL1
2N6027RL1G
2000 /磁带&卷轴
5000单位/箱
相当于欧洲
航运
温度和R的图12的影响
G
的TO- 92磁带取向的描述
N / A - 散装
圆方TO- 92和胶带可见
侧扁TO- 92和胶带可见
圆方TO- 92和胶带可见
2N6028RLRPG
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*在“G ”后缀表示无铅封装。
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5
2N6027, 2N6028
首选设备
可编程
单结晶体管
可编程单结
晶体管触发器
旨在使工程师“计划”“单结
等特点， RBB ，
η,
四，和IP仅仅通过选择两个
电阻值。应用包括晶闸管触发，振荡，脉冲
和时序电路。这些装置也可在特殊晶闸管使用
应用由于阳极栅的可用性。提供中
廉价的TO- 92塑料封装适用于大批量的要求，
这个包是很容易适应于自动插入使用
设备。
可编程 - RBB ，
η,
IV和IP
低导通电压 - 1.5伏特，最大@ IF = 50毫安
低栅极到阳极漏电流 - 10 nA（最大值）
高的峰值输出电压 - 11伏典型
低失调电压 - 0.35伏的典型（ RG = 10千欧）
器件标识：标识，设备类型，如2N6027 ，日期代码
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
*功耗
减免上述25℃
* DC正向阳极电流
减免上述25℃
*直流栅极电流
重复峰值正向电流
100
s脉冲宽度，占空比1％
*20
s脉冲宽度，占空比1％
非重复性峰值正向电流
10
S脉冲宽度
*门到Cathode正向电压
*门到阴极反向电压
*门到阳极反向电压
*阳极到阴极电压（ 1）
工作结温范围
*存储温度范围
*表示JEDEC注册的数据
（1 ）阳极阳性， RGA = 1000欧姆
阳极负， RGA =开
符号
PF
1/θJA
IT
IG
ITRM
1.0
2.0
ITSM
VGKF
VGKR
VGAR
VAK
TJ
TSTG
5.0
40
安培
伏
伏
伏
伏
°C
°C
价值
300
4.0
150
2.67
单位
mW
毫瓦/°C的
mA
毫安/°C的
mA
安培
1
2
3
1
2
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看跌期权
40伏
300毫瓦
G
A
K
3
＆ QUOT ;
50
TO-92 （TO- 226AA ）
CASE 029
样式16
引脚分配
阳极
门
阴极
*
5.0
＆ QUOT ;
40
-50
+100
-55
+150
40
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年5月 - 第2版
出版订单号：
2N6027/D
2N6027, 2N6028
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的
（ 1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
75
200
260
单位
° C / W
° C / W
°C
t
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
*峰值电流
（ VS = 10 VDC ， RG = 1 MΩ ）
（ VS = 10 VDC ， RG = 10千欧）
*失调电压
（ VS = 10 VDC ， RG = 1 MΩ ）
（ VS = 10 VDC ， RG = 10千欧）
*谷值电流
（ VS = 10 VDC ， RG = 1 MΩ ）
（ VS = 10 VDC ， RG = 10千欧）
（ VS = 10 VDC ， RG = 200欧姆）
*门到阳极漏电流
（ VS = 40 VDC ， TA = 25 ℃，阴极打开）
（ VS = 40 VDC ， TA = 75℃ ，阴极打开）
门到阴极泄漏电流
（ VS = 40伏直流电，阳极到阴极短路）
*正向电压（ IF = 50 mA峰值） （ 1 ）
*峰值输出电压
（ VG = 20伏直流电， CC = 0.2
F)
脉冲电压上升时间
（ VB = 20伏直流电， CC = 0.2
F)
*表示JEDEC注册的数据
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
2N6027
2N6028
2N6027
2N6028
1
2N6027
2N6028
（两种类型）
1,4,5
2N6027
2N6028
2N6027
2N6028
2N6027
2N6028
—
IGAO
—
—
—
1,6
3,7
3
IGKS
VF
Vo
tr
—
—
6.0
—
1.0
3.0
5.0
0.8
11
40
10
—
50
1.5
—
80
NADC
伏
伏特
ns
IV
—
—
70
25
1.5
1.0
18
18
150
150
—
—
50
25
—
—
—
—
VT
0.2
0.2
0.2
0.70
0.50
0.35
1.6
0.6
0.6
A
图。号
2,9,11
符号
IP
—
—
—
—
1.25
0.08
4.0
0.70
2.0
0.15
5.0
1.0
伏
民
典型值
最大
单位
A
mA
NADC
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
