UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N60
2安培， 600伏
N沟道MOSFET
描述
与UTC 2N60是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
高速开关电源中的应用， PWM马达
控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
1
功率MOSFET
TO- 251
1
TO-252
1
TO-220
特点
* R
DS （ ON）
= 3.8@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值9.0nC ）
*低反向传输电容（的Crss =典型5.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-220F
*无铅电镀产品编号： 2N60L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
包
正常
无铅电镀
2N60-TA3-T
2N60L-TA3-T
TO-220
2N60-TF3-T
2N60L-TF3-T
TO-220F
2N60-TM3-T
2N60L-TM3-T
TO-251
2N60-TN3-R
2N60L-TN3-R
TO-252
2N60-TN3-T
2N60L-TN3-T
TO-252
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
管
2N60L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管， R：带卷轴
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF3 ： TO- 220F ， TM3 ： TO- 251 ，
TN 3 ： TO- 252
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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1第8
QW-R502-053,E
2N60
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
AR
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
600
V
栅源电压
±30
V
雪崩电流（注2）
2.0
A
T
C
= 25°C
2.0
A
I
D
漏电流连续
T
C
= 100°C
1.26
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DP
8.0
A
重复的（注2）
E
AR
4.5
mJ
雪崩能量
单脉冲（注3 ）
E
AS
140
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
T
C
= 25°C
45
W
总功耗
P
D
减免上述25℃
0.36
W/℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注： 1 。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 64mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
=25
,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
2.4A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
热阻结到环境
包
TO-251
TO-252
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-220
TO-220F
符号
θ
JA
评级
112
112
54
54
12
12
4
4
单位
℃/W
热阻结案件
θ
Jc
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
前锋
反向
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
门体漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
民
600
10
100
100
-100
0.4
2.0
3.8
2.25
270
40
5
4.0
5
典型值
最大
单位
V
A
A
nA
nA
V/℃
V
S
pF
pF
pF
ΔBV
DSS
/
I
D
= 250 A
△
T
J
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
g
FS
V
DS
= 50V ，我
D
= 1A （注1 ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
350
50
7
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2第8
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2N60
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= 300V ，我
D
= 2.4A ，R
G
=25
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
（注1,2 ）
下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=2.4A
栅极 - 源电荷
Q
GS
（注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.0 A
连续漏 - 源电流
I
SD
脉冲漏源电流
I
SM
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.4A,
反向恢复时间
t
RR
的di / dt = 100 A / μs的（注1）
反向恢复电荷
Q
RR
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度
≤300s,
值班Cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
民
功率MOSFET
典型值
10
25
20
25
9.0
1.6
4.3
最大
30
60
50
60
11
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
C
1.4
2.0
8.0
180
0.72
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3 8
QW-R502-053,E
2N60
测试电路和波形
功率MOSFET
D.U.T.
+
V
DS
-
+
-
L
R
G
司机
V
GS
同一类型
作为D.U.T.
* dv / dt的由R控制
G
* I
SD
通过脉冲周期控制
* D.U.T. -测试设备
V
DD
图。 1A峰值二极管恢复dv / dt的测试电路
V
GS
（驱动器）
P.W.
期
D=
P. W.
期
V
GS
= 10V
I
FM
，体二极管正向电流
I
SD
（ D.U.T. ）
I
RM
体二极管反向电流
的di / dt
体二极管恢复dv
/ DT
V
DS
（ D.U.T. ）
V
DD
体二极管
正向电压降
图。 1B峰值二极管恢复dv / dt的波形
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4 8
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测试电路和波形（续）
R
L
V
DD
功率MOSFET
V
DS
V
GS
R
G
V
DS
90%
10V
脉冲宽度
≤
1μs
占空比
≤0.1%
D.U.T.
V
GS
10%
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
图。 2A开关测试电路
图。 2B的开关波形
50kΩ
12V
0.2μF
0.3μF
同一类型
作为D.U.T.
10V
V
DS
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
DUT
3mA
V
G
收费
图。 3A栅极电荷测试电路
图。 3B栅极电荷波形
L
V
DS
BV
DSS
R
D
V
DD
D.U.T.
10V
t
p
I
AS
t
p
时间
图。 4A非钳位感应开关测试电路
图。 4B非钳位感应开关波形
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5 8
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