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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N5881 2N5882
应用
For
通用功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5879 2N5880
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N5879
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5880
2N5879
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5880
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-80
-5
-15
-30
-5
160
150
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.1
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5879 2N5880
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5879
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5880
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
2N5879
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5880
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CE
; V
BE
=-1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
35
20
4
4
兆赫
100
-0.5
-5.0
-1.0
mA
mA
I
C
=-7A;I
B
=-0.7A
I
C
=-15A;I
B
=-3.75A
I
C
=-15A;I
B
=-3.75A
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
B
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-1.0
mA
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
-80
-1.0
-4.0
-2.5
-1.5
-0.5
V
V
V
V
mA
条件
民
-60
V
典型值。
最大
单位
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5879 2N5880
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N5881 2N5882
应用
For
通用功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5879 2N5880
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
半
参数
条件
2N5879
集电极 - 基极电压
2N5880
发射极开路
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
2N5879
2N5880
开基
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
-60
-80
-60
-80
-5
-15
-30
-5
单位
V
V
集电极开路
V
A
A
A
W
℃
℃
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
160
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.1
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5879 2N5880
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5879
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5880
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
I
C
=-7A;I
B
=-0.7A
I
C
=-15A;I
B
=-3.75A
I
C
=-15A;I
B
=-3.75A
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
B
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
-80
-1.0
-4.0
-2.5
-1.5
-0.5
V
V
V
V
mA
条件
民
-60
V
典型值。
最大
单位
I
首席执行官
电半
固
IN
集电极截止电流
导½
2N5879
2N5880
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
ES
昂
CH
V
CE
= RatedV
CE
; V
BE
=-1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
ICO
EM
OR
UCT
ND
-1.0
-0.5
-5.0
-1.0
35
20
4
4
100
mA
mA
mA
I
C
= -2A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5879 2N5880
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·补键入2N5881 2N5882
应用
·对于通用功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5879 2N5880
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
参数
2N5879
集电极 - 基极电压
2N5880
2N5879
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N5880
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-80
-5
-15
-30
-5
160
150
-65~200
V
A
A
A
W
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.1
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5879 2N5880
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5879
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N5880
I
C
=-7A;I
B
=-0.7A
I
C
=-15A;I
B
=-3.75A
I
C
=-15A;I
B
=-3.75A
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
B
=0
2N5879
2N5880
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-1.0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CE
; V
BE
=-1.5V
T
C
=150
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2A ; V
CE
=-4V
I
C
= -6A ; V
CE
=-4V
I
C
= -15A ; V
CE
=-4V
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V
35
20
4
4
兆赫
100
-0.5
-5.0
-1.0
mA
mA
mA
-80
-1.0
-4.0
-2.5
-1.5
-0.5
V
V
V
V
mA
条件
民
-60
V
典型值。
最大
单位
符号
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
I
首席执行官
集热器
截止电流
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5879 2N5880
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
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2N2123
2SC5353_06
2SC2996O
23L8111-10
266001
2SA940A
212U10S324RD3
2SK3812-ZP
2SC3559
2SC5519
253C203C45NB
27C256Q300/883
2SJ166
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N5879
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市杰兴微电子有限公司
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联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
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原装现货可含税
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电话：0755-89697985
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原厂一级代理，原装现货
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2N5879
Microchip Technology
24+
10000
-
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人：雷小姐
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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深圳市芯满林科技有限公司
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M
2024
220
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