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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N5877 2N5878
应用
For
通用功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5875 2N5876
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
电半
固
参数
导½
条件
2N5875
集电极 - 基极电压
2N5876
发射极开路
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
的HAn
INC。
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
ES
G
2N5875
2N5876
开基
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
-60
-80
-60
-80
-5
-10
-20
-4
单位
V
V
集电极开路
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
150
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.17
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5875 2N5876
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5875
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N5876
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
I
C
=-5A;I
B
=-0.5A
I
C
=-10A;I
B
=-2.5A
I
C
=-10A;I
B
=-2.5A
I
C
= -4A ; V
CE
=-4V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
B
=0
2N5875
2N5876
V
CE
= -30V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
-80
-1.0
-3.0
-2.5
-1.5
-0.5
V
V
V
V
mA
条件
民
-60
V
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
固电
IN
集电极截止电流
导½
半
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
昂
CH
MIC
ê SE
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -4A ; V
CE
=-4V
I
C
= -10A ; V
CE
=-4V
V
CE
= RatedV
CE
; V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
ND
O
OR
UCT
-1.0
-0.5
-5.0
-1.0
100
mA
mA
mA
35
20
4
4
兆赫
Trainsistion频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V;f=1MHz
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5875 2N5876
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2N5877 2N5878
应用
For
通用功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5875 2N5876
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N5875
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5876
2N5875
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5876
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-80
-5
-10
-20
-4
150
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.17
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5875 2N5876
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5875
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N5876
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
2N5875
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5876
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CE
; V
BE
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -4A ; V
CE
=-4V
I
C
= -10A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V;f=1MHz
35
20
4
4
兆赫
100
-0.5
-5.0
-1.0
mA
mA
I
C
=-5A;I
B
=-0.5A
I
C
=-10A;I
B
=-2.5A
I
C
=-10A;I
B
=-2.5A
I
C
= -4A ; V
CE
=-4V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
B
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-1.0
mA
-80
-1.0
-3.0
-2.5
-1.5
-0.5
V
V
V
V
mA
条件
民
-60
V
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5875 2N5876
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
2N5875
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
10
单位
V
A
-
Hz
@ 4/4 (V
CE
/ I
C
)
20
4M
100
150
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·低集电极饱和电压
·补键入2N5877 2N5878
应用
·对于通用功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5875 2N5876
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
参数
2N5875
集电极 - 基极电压
2N5876
2N5875
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2N5876
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
-80
-5
-10
-20
-4
150
200
-65~200
V
A
A
A
W
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.17
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5875 2N5876
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5875
I
C
= -0.2A ;我
B
=0
2N5876
I
C
=-5A;I
B
=-0.5A
I
C
=-10A;I
B
=-2.5A
I
C
=-10A;I
B
=-2.5A
I
C
= -4A ; V
CE
=-4V
V
CB
= RatedV
CBO
; I
B
=0
2N5875
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5876
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
Trainsistion频率
V
CE
= -40V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CE
; V
BE
=1.5V
T
C
=150
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -4A ; V
CE
=-4V
I
C
= -10A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-10V;f=1MHz
35
20
4
4
兆赫
100
-0.5
-5.0
-1.0
mA
mA
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-1.0
mA
-80
-1.0
-3.0
-2.5
-1.5
-0.5
V
V
V
V
mA
条件
民
-60
V
典型值。
最大
单位
符号
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5875 2N5876
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
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220USG1800M30X50
2802A
26MT60
2S09-06
250B20F102B2CB
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2SB0819Q
2SC2850M
208-532-21-38
20020111-C022A01LF
2SB0947A
2SK3782
28017
2N4209
2SK1849
26-23-2081
2SD1154
24AA64-I/P
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2SC1828
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    2N5876
    -
    -
    -
    -
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