【技术参数NPN硅晶体管双每个合格的MIL -PRF-四百九十五分之一万九千五器件2N57932N57】,IC型号2N5794,2N5794 PDF资料,2N5794经销商,ic,电子元器件-51电子网

技术参数

NPN硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-四百九十五分之一万九千五

器件

2N5793

2N5794

2N5794U

资质等级

JAN

JANTX

JANTXV

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

40

75

6.0

600

一

总

(1)

部分

设备

(2)

0.5

0.6

-65到+200

单位

VDC

MADC

TO-78*

总功耗

@ T

A

= +25

0

C

操作&存储结温范围

1 ）减额线性2.86毫瓦/

0

对于T

A

> +25

0

C

2 ）减额线性3.43毫瓦/

0

对于T

A

> +25

0

C

P

T

op

,

T

英镑

0

W

C

6 pin表面

MOUNT *

*请参阅

MILPRF19500 / 495

包装外形

电气特性（T

A

= 25

0

C除非另有说明）

特征

符号

V

（ BR ）

首席执行官

I

CBO

分钟。

40

马克斯。

单位

VDC

开关特性

集电极 - 发射极击穿电流

I

C

= 10 MADC

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 75 VDC

V

CB

= 50伏直流

发射基截止电流

V

EB

= 6.0伏

V

EB

= 4.0伏

10

μAdc

I

EBO

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

42203

第1页2

2N5793 ， 2N5794 JAN系列

电气特性（续）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

基本特征（ 3 ）

正向电流传输比

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 300 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 300 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC

I

C

= 300 MADC ，我

B

= 30 MADC

基射极饱和电压

I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC

I

C

= 300 MADC ，我

B

= 30 MADC

2N5793

h

FE

20

25

35

40

25

20

35

50

75

100

40

50

120

2N5794

2N5794U

h

FE

300

V

CE （ SAT ）

0.3

0.9

0.6

1.2

1.8

10

8.0

33

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

动态特性

正向电流传输比，震级

I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100 MHz的

输出电容

V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

h

fe

C

敖包

C

IBO

t

2.0

pF

开关特性

开启时间

V

CC

= 30伏直流;我

C

= 150 MADC ;我

B1

=

15 MADC ，V

BE （OFF）的

= 0.5 VDC

打开-O FF时间

V

CC

= 30伏直流;我

C

= 150 MADC ;我

B1

=

I

B2

=

15 MADC

（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%.

on

45

310

ηs

关闭

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

42203

第2页2

2N5794

机械数据

尺寸mm （英寸）

8.51 (0.335)

9.40 (0.370)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

1.02

(0.040)

马克斯。

12.7 (0.500)

分钟。

双NPN

平面晶体管

TO77封装

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

5.08

(0.200)

2.54

(0.100)

2.54

(0.100)

3

2

4

5

6

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

1

45

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

TO- 77封装（MO - 002AF ）

仰视图

引脚1 - 集电极1

2脚 - 基本1

PIN 3 - 发射极1

PIN 4 - 发射器2

PIN 5 - 基地2

PIN 6 - 集电极2

绝对最大额定值

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

P

D

T

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

器件总功耗

存储温度范围

(T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

每侧

设备总

75V

40V

6V

600mA

500mW

600mW

2.9mW /°C的

3.4Wm /°C的

1.2W

2.0W

6.9mW /°C的

11.43mW /°C的

-65 ℃200℃

T

AMB

= 25°C

减免上述25℃

T

C

= 25°C

减免上述25℃

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号6068

第1期

2N5794

电气特性

（环境温度Tamb = 25° C除非另有说明）

参数

测试条件

1

I

E

= 0

I

B

= 0

I

C

= 0

I

E

= 0

I

C

= 0

I

C

= 100μA

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 150毫安

I

C

= 150毫安

I

C

= 300毫安

I

B

= 15毫安

I

B

= 30毫安

I

B

= 15毫安

I

B

= 30毫安

V

CE

= 20V

35

50

75

50

100

40

0.6

1.2

1.8

0.3

0.9

V

300

—

分钟。

75

40

6

10

nA

V

典型值。

马克斯。

单位

个人晶体管特性

I

C

= 10μA

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CEO *

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

I

C1-C2

集电极 - 发射极击穿电压I

C

= 10毫安

发射-Base击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

Collector1-2漏电流

I

E

= 10μA

V

CB

= 50V

V

EB

= 4.0V

V

C1-C2

=

±

50V

V

CE

= 10V

V

CE

= 10V

h

FE *

直流电流增益

V

CE

= 10V

V

CE

= 1.0V

V

CE

= 10V

V

CE

= 10V

V

BE （SAT） *

V

CE （SAT） *

基地 - 发射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

小信号特性

f

T

C

cb

C

eb

t

d

t

r

t

s

t

f

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基电容

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 30V

I

C

= 150毫安

V

CC

= 30V

I

C

= 20mA下

F = 100MHz的

I

C

=150mA

I

C

=300mA

I

C

=150mA

I

C

=300mA

±

1.0

250

8.0

25

15

30

250

60

兆赫

pF

ns

V

CB

= 10V我

E

= 0 F = 100kHz的

V

EB

= 0.5V我

C

= 0 F = 100kHz的

V

BE （OFF）的

= 0.5V

I

B1

=15mA

I

C

= 150毫安

I

B1

= I

B2

= 15毫安

*脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

＆ LT ;

2%

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号6068

第1期

双晶体管

的TO- 78为例

PD @ TA = 25

o

C =总的600mW （模都平等权）

型号

描述

IC

（MA ）

最大

2N2060

2N2060A

2N2223

2N2223A

2N2453

2N2453A

2N2480

2N2480A

2N2639

2N2640

2N2641

2N2642

2N2643

2N2644

2N2652

2N2652A

2N2722

2N2903

2N2903A

2N2913

2N2914

2N2915

2N2915A

2N2916

2N2916A

2N2917

2N2918

2N2919

2N2919A

2N2920

2N2920A

2N3726

2N3727

2N3806

2N3807

2N3808

2N3809

2N3810

2N3810A

2N3811

2N3811A

2N4015

2N4016

2N5794

2N5796

MD708

MD708A

MD708B

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

500

50

500

30

500

40

50

30

300

50

300

600

200

VCBO

(V)

民

100

60

80

75

80

45

100

45

60

45

60

45

60

75

60

40

VCEO

(V)

民

60

30

50

35

40

45

60

45

30

45

60

45

60

40

60

15

的hFE

(V)

民

50

150

30

50

100

50

125

60

150

60

150

60

150

60

150

135

150

300

150

300

150

300

135

100

40

最大

150

200

600

350

200

300

200

250

625

240

600

240

600

240

600

240

600

350

450

900

450

900

450

900

350

300

200

10

1.0

0.01

1.0

0.001

1.0

0.01

1.0

150

10

@ IC

（MA ）

@ VCE

(V)

最大

5.0

10

1.0

1.2

0.6

1.2

1.0

1.3

1.2

1.0

1.2

1.0

0.35

0.25

0.2

0.25

0.3

0.4

0.5

50

5.0

50

10

50

10

5.0

1.0

50

0.1

50

150

100

VCE （ SAT ）

(V)

@ IC

（MA ）

fT

（兆赫）

* TYP

民

60

50

60

50

40

60

100

60

200

100

200

250

200

300

%

10

20

10

20

10

20

--

10

20

--

15

10

20

10

--

10

20

10

--

20

10

5.0

10

5.0

10

--

10

20

（毫伏）

5.0

3.0

15

5.0

3.0

10

5.0

10

--

5.0

10

--

3.0

5.0

10

5.0

--

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

10

匹配

的hFE

VBE

70

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

双晶体管

的TO- 78为例

PD @ TA = 25

o

C =总的600mW （模都平等权）

型号

描述

IC

（MA ）

最大

2N2060

2N2060A

2N2223

2N2223A

2N2453

2N2453A

2N2480

2N2480A

2N2639

2N2640

2N2641

2N2642

2N2643

2N2644

2N2652

2N2652A

2N2722

2N2903

2N2903A

2N2913

2N2914

2N2915

2N2915A

2N2916

2N2916A

2N2917

2N2918

2N2919

2N2919A

2N2920

2N2920A

2N3726

2N3727

2N3806

2N3807

2N3808

2N3809

2N3810

2N3810A

2N3811

2N3811A

2N4015

2N4016

2N5794

2N5796

MD708

MD708A

MD708B

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

500

50

500

30

500

40

50

30

300

50

300

600

200

VCBO

(V)

民

100

60

80

75

80

45

100

45

60

45

60

45

60

75

60

40

VCEO

(V)

民

60

30

50

35

40

45

60

45

30

45

60

45

60

40

60

15

的hFE

(V)

民

50

150

30

50

100

50

125

60

150

60

150

60

150

60

150

135

150

300

150

300

150

300

135

100

40

最大

150

200

600

350

200

300

200

250

625

240

600

240

600

240

600

240

600

350

450

900

450

900

450

900

350

300

200

10

1.0

0.01

1.0

0.001

1.0

0.01

1.0

150

10

@ IC

（MA ）

@ VCE

(V)

最大

5.0

10

1.0

1.2

0.6

1.2

1.0

1.3

1.2

1.0

1.2

1.0

0.35

0.25

0.2

0.25

0.3

0.4

0.5

50

5.0

50

10

50

10

5.0

1.0

50

0.1

50

150

100

VCE （ SAT ）

(V)

@ IC

（MA ）

fT

（兆赫）

* TYP

民

60

50

60

50

40

60

100

60

200

100

200

250

200

300

%

10

20

10

20

10

20

--

10

20

--

15

10

20

10

--

10

20

10

--

20

10

5.0

10

5.0

10

--

10

20

（毫伏）

5.0

3.0

15

5.0

3.0

10

5.0

10

--

5.0

10

--

3.0

5.0

10

5.0

--

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

10

匹配

的hFE

VBE

70

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米