【小信号晶体管TO- 92案例（续）TO-92型号描述领导CODE(V)民60404012060606】,IC型号2N5772,2N5772 PDF资料,2N5772经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

TO-92

型号

描述

领导

CODE

(V)

民

60

40

120

60

50

35

30

25

50

25

30

70

25

40

25

40

60

40

60

40

130

160

40

50

160

180

40

30

15

40

35

VCBO

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* ICES

(V)

* VCES

* ICEV

民

40

80

40

30

50

30

25

50

20

25

30

50

25

40

25

40

30

40

120

150

25

30

140

160

15

25

最大

6.0

5.0

3.0

4.5

5.0

4.5

3.0

4.0

3.0

5.0

12

4.0

5.0

6.0

5.0

6.0

4.5

3.0

4.5

5.0

最大

100*

10

30

50

10

50

100

50

100

300

100

30

100

50

10

50

100

50

100

50

400

10

500*

100

35

100

40

10

20

15

25

35

10

15

10

50

25

40

25

40

30

100

120

20

100

120

20

15

8.0

20

25

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

民

100

50

100

60

180

100

200

150

250

300

400

100

200

50

30

50

250

7,000

250

100

250

200

40

120

100

40

60

30

60

80

40

50

30

60

最大

300

150

300

400

540

300

600

500

800

900

1,200

500

300

600

800

600

700

500

70,000

500

300

500

400

--

300

180

240

300

150

250

120

200

120

200

@ @ VCE IC

(V)

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

(V)

（MA ）

TO-92-18R

fT

NF

花花公子

2N4401

2N4402

2N4403

2N4410

2N4424

2N4952

2N4953

2N5086

2N5087

2N5088

2N5089

2N5172

2N5209

2N5210

2N5223

2N5225

2N5226

2N5227

2N5232A

2N5306

2N5308

2N5356

2N5366

2N5367

2N5374

2N5375

2N5376

2N5377

2N5381

2N5383

2N5400

2N5401

2N5447

2N5448

2N5550

2N5551

2N5769

2N5770

2N5771

2N5772

2N5810

2N5811

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

PN低噪声

NPN低噪声

NPN达林顿

PNP幅度/ SWITCH

PN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

CBE

1.0

2.0

1.0

0.45

10

5.0

10

5.0

0.70

10

5.0

1.0

10

5.0

1.0

5.0

0.35

1.0

0.30

0.40

2.0

150

10

0.30

150

0.10

10

0.10

10

50

2.0

50

150

1.0

10

50

10

8.0

10

30

2.0

0.75

0.20

50

0.30

0.50

0.25

0.70

1.20

0.80

0.40

0.125

1.40

0.25

0.30

--

12

0.25

0.50

0.25

0.20

0.50

0.40

0.60

0.50

0.75

500

1.0

--

150

10

100

10

200

50

150

--

10

50

100

10

50

300

500

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

6.5

250

--

255

8.5

12

--

8.0

4.0

13

4.0

20

8.0

10

4.0

10

8.0

10

8.0

4.0

4.5

6.0

12

6.0

4.0

1.1

3.0

5.0

15

150

200

60

--

250

40

50

200*

30

150

50

100

--

60

250*

150

--

300

250

100

500

800

850

350

100

-

--

3.0

2.0

3.0

2.0

--

3.0

2.0

--

5.0

--

5.0

4.0

8.0

--

10

8.0

--

255

--

400

--

5.0

--

18

--

20

28

--

PNP高压EBC

PNP幅度/ SWITCH

CBE

NPN高压EBC

NPN SAT SWITCH

NPN RF OSC

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

EBC

CBE

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

TO- 92-18R

73

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

2N5772

NPN开关晶体管

从工艺22采购。

1

TO-92

1. 2.发射基地3.收藏家

绝对最大额定值*

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 续

工作和存储结温范围

参数

价值

15

40

5.0

300

- 55 ~ 150

单位

V

mA

°C

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害

注意事项：

1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温

2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询

电气特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

开关特性

BV

（ BR ） CEO

BV

（ BR ） CES

BV

（ BR ） CBO

BV

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

h

FE

参数

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

C

= 100μA ，V

BE

= 0

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

V

CE

= 20V, V

BE

= 0

V

CE

= 20V, V

BE

= 0, T

a

= 65°C

V

EB

= 5.0V ，我

C

= 0

V

CE

= 0.4V ，我

C

= 30毫安

V

CE

= 0.5V ，我

C

= 100毫安

V

CE

= 1.0V ，我

C

= 300毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3.0毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 10毫安

I

C

= 300毫安，我

B

= 3.0毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3.0毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 10毫安

I

C

= 300毫安，我

B

= 3.0毫安

V

CB

= 5.0V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

CB

= 5.0V ，我

C

= 0中，f = 1MHz的

I

C

= 300毫安，V

CE

= 10V ， F = 100MHz的

3.5

0.73

30

25

15

分钟。

15

40

5.0

0.5

3.0

100

120

马克斯。

单位

V

A

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

在特性*

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

0.2

0.28

0.5

0.95

1.2

1.7

5.0

8.0

V

pF

V

BE

（SAT）

基射极饱和电压

小信号特性

C

cb

C

eb

h

fe

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

小信号电流增益

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

2004仙童半导体公司

版本B ， 2004年10月

2N5772

电气特性

TA = 25° C除非另有说明

符号

参数

开关特性

t

s

t

on

t

关闭

贮存时间

开启时间

打开-O FF时间

（续）

测试条件

I

C

= 300毫安，V

CC

= 10V

I

B1

= I

B2

= 30毫安

分钟。

马克斯。

20

18

28

单位

ns

热特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

参数

马克斯。

350

2.8

125

357

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2004仙童半导体公司

版本B ， 2004年10月

2N5772

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2004仙童半导体公司

版本B ， 2004年10月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

A

CEX

ActiveArray

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

快

FASTr

FPS

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

我罗

ImpliedDisconnect

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerEdge

PowerSaver技术

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SerDes

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

放弃

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

2.关键部件是在生命支持任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

设备或系统，其未能履行可

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

合理预期造成的生命支持故障

如果使用得当按照使用说明

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2004仙童半导体公司

修订版I13

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

2N5772

NPN开关晶体管

从工艺22采购。

1

TO-92

1. 2.发射基地3.收藏家

绝对最大额定值*

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 续

工作和存储结温范围

参数

价值

15

40

5.0

300

- 55 ~ 150

单位

V

mA

°C

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害

注意事项：

1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温

2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询

电气特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

开关特性

BV

（ BR ） CEO

BV

（ BR ） CES

BV

（ BR ） CBO

BV

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

h

FE

参数

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

C

= 100μA ，V

BE

= 0

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

V

CE

= 20V, V

BE

= 0

V

CE

= 20V, V

BE

= 0, T

a

= 65°C

V

EB

= 5.0V ，我

C

= 0

V

CE

= 0.4V ，我

C

= 30毫安

V

CE

= 0.5V ，我

C

= 100毫安

V

CE

= 1.0V ，我

C

= 300毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3.0毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 10毫安

I

C

= 300毫安，我

B

= 3.0毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3.0毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 10毫安

I

C

= 300毫安，我

B

= 3.0毫安

V

CB

= 5.0V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

CB

= 5.0V ，我

C

= 0中，f = 1MHz的

I

C

= 300毫安，V

CE

= 10V ， F = 100MHz的

3.5

0.73

30

25

15

分钟。

15

40

5.0

0.5

3.0

100

120

马克斯。

单位

V

A

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

在特性*

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

0.2

0.28

0.5

0.95

1.2

1.7

5.0

8.0

V

pF

V

BE

（SAT）

基射极饱和电压

小信号特性

C

cb

C

eb

h

fe

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

小信号电流增益

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

2004仙童半导体公司

版本B ， 2004年10月

2N5772

电气特性

TA = 25° C除非另有说明

符号

参数

开关特性

t

s

t

on

t

关闭

贮存时间

开启时间

打开-O FF时间

（续）

测试条件

I

C

= 300毫安，V

CC

= 10V

I

B1

= I

B2

= 30毫安

分钟。

马克斯。

20

18

28

单位

ns

热特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

参数

马克斯。

350

2.8

125

357

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2004仙童半导体公司

版本B ， 2004年10月

2N5772

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2004仙童半导体公司

版本B ， 2004年10月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

A

CEX

ActiveArray

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

快

FASTr

FPS

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

我罗

ImpliedDisconnect

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerEdge

PowerSaver技术

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SerDes

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

放弃

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

2.关键部件是在生命支持任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

设备或系统，其未能履行可

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

合理预期造成的生命支持故障

如果使用得当按照使用说明

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2004仙童半导体公司

修订版I13