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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5732
描述
·采用TO-3封装
·高电流能力
应用
·对于线性放大器和感性
切换应用程序
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
7
20
30
87.5
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.17
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2N5732
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
80
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10 A ，我
B
=1 A
1.4
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20 A ，我
B
=4 A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 10 A; V
CE
=4V
2.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 100V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
30
300
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 20A ; V
CE
=4V
5
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
30
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5732
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5732
描述
·带
TO- 3封装
高
电流能力
应用
For
线性放大器和感性
切换应用程序
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
7
20
30
87.5
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N5732
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
80
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10 A ，我
B
=1 A
1.4
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20 A ，我
B
=4 A
4.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 10 A; V
CE
=4V
2.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 100V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
30
300
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 20A ; V
CE
=4V
5
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
30
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5732
图2外形尺寸
3
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22-28-5183
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2SC5838
25LC320A-E/P
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
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    2N5732
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    -
    -
    -
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联系人：李
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TO-204AA（TO-3）
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TO-204AA（TO-3）
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√ 欧美㊣品
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电话：13910052844（微信同步）
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