INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5671 2N5672
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百八十八分之一万九千五百
器件
2N5671
2N5672
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
2N5671
90
120
2N5672
120
150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
工作&存储温度范围
7.0
10
30
6.0
140
-65到+200
马克斯。
1.25
热特性
特征
热阻，结到外壳
1 ）线性降额34.2毫瓦/
0
对于T
A
> +25
0
C
2)
线性降额800毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
0
TO-3*
(TO-204AA)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
C
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 80伏直流
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 110伏，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 135伏，V
BE
= 1.5 VDC
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
V
（ BR ）
首席执行官
90
120
110
140
120
150
10
12
10
VDC
V
（ BR ）
CER
VDC
V
（ BR ）
CEX
I
首席执行官
VDC
MADC
MADC
2N5671
2N5672
I
CEX
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N5671 ， 2N5672 JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性（续）
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 120伏
V
CB
= 150伏
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
2N5671
2N5672
I
CBO
I
EBO
25
25
10
MADC
MADC
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 15 ADC ，V
CE
= 2.0伏
I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 5.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 15 ADC ，我
B
= 1.2 ADC
I
C
= 30 ADC ，我
B
= 6.0Adc
基射极饱和电压
I
C
= 15 ADC ，我
B
= 1.2 ADC
h
FE
20
20
100
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.75
5.0
1.5
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 5.0 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
C
敖包
10
40
900
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30
±
2.0伏;我
C
15 = ADC ;我
B1
= 1.2 ADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30
±
2.0伏;我
C
15 = ADC ;我
B1
= I
B2
= 1.2 ADC
t
on
0.5
1.5
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
TEST
V
CE
= 24伏直流，我
C
= 5.8 ADC
测试2
V
CE
= 45伏直流，我
C
= 0.9 ADC
测试3
V
CE
= 4.67伏，我
C
= 30 ADC
测试4
V
CE
= 90伏直流，我
C
= 0.19 ADC
2N5671
测试5
V
CE
= 120伏，我
C
= 0.11 ADC
2N5672
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5671 2N5672
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
NPN 2N5671 - 2N5672
大电流快速开关应用
该2N5671和2N5672是硅multiepitaxial刨床NPN晶体管JEDEC的TO - 3 。
它们特别适用于高电流，快速开关的工业应用。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
V
CER
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
V
EB
= -1.5V,
R
EB
= 50
集电极 - 发射极电压
R
EB
< = 50
集电极电流
基极电流
器件总功耗
结温
储存温度
@ T
C
= 25°
评级
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
价值
90
120
120
150
7.0
120
150
110
140
30
10
140
200
-65到+200
单位
V
V
V
V
V
A
A
瓦
°C
°C
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
2N5671
2N5672
价值
1.25
单位
° C / W
半导体COMSET
1/3
NPN 2N5671 - 2N5672
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5671 2N5672
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
2N5671
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 90V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 30A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
90
30
单位
V
A
-
Hz
@ 2/15 (V
CE
/ I
C
)
20
50M
100
140
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
NPN 2N5671 - 2N5672
大电流快速开关应用
该2N5671和2N5672是硅multiepitaxial刨床NPN晶体管JEDEC的TO - 3 。
它们特别适用于高电流，快速开关的工业应用。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
V
CER
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极
电压
集电极 - 发射极
电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ TC = 25 °
结温
储存温度
V
EB
= -1.5V
R
EB
= 50
R
EB
< = 50
评级
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
2N5671
2N5672
价值
90
120
120
150
7.0
120
150
110
140
30
10
140
200
-65到+200
单位
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
半导体COMSET
价值
1.25
单位
° C / W
1|4
09/11/2012
NPN 2N5671 - 2N5672
机械数据案例TO- 3
外形尺寸（mm ）
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
民
11
0.97
1.5
8.32
19
10.70
16.50
25
3.84
38.50
29.90
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
13.10
1.15
1.65
8.92
22
11.1
17.20
27,20
4.21
40.13
30.40
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
辐射源
集热器
修订后的2012年10月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担使用后果不承担任何责任
这类信息也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有更改，恕不
通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不
不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的关键部件
生命支持设备或系统。
www.comsetsemi.com
09/11/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
4|4
QQ：2880707522 复制
