2N5664
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N5664J ）
JANTX级别（ 2N5664JX ）
JANTXV级（ 2N5664JV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用的高功率开关
功率晶体管
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 66金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸9221
参考文献：
MIL-PRF-19500/455
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
功耗，T
C
= 25°C
线性降额高于100℃
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
等级
200
250
6
5
2.5
14.3
30
300
3.3
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
Rev. D的
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N5664
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
符号
|h
FE
|
C
敖包
测试条件
I
C
= 0.5 A ，V
CE
- 2伏
I
C
= 1 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 3 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 5 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 1 A，V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
I
C
= 3 A，I
B
= 300毫安
I
C
= 5 A，I
B
= 1 A
I
C
= 3 A，I
B
= 300毫安
I
C
= 5 A，I
B
= 1 A
测试条件
V
CE
= 5伏，我
C
= 500毫安，
F = 10MHz的
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
符号
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） EBO
I
CBO1
I
CES1
I
CES1
测试条件
I
C
= 10
A,
R
BE
= 100
I
E
= 10
A
V
CB
= 200伏
V
CE
= 200伏
V
CE
= 200伏特，T
A
= 150°C
民
250
6
100
200
100
典型值
最大
单位
伏
伏
nA
nA
A
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
40
40
15
5
15
典型值
最大
120
单位
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
1.2
1.5
0.4
1.0
伏
伏
民
2
典型值
最大
7
120
单位
pF
符号
t
ON
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A，V
CC
= 100伏
I
C
= 1 A，V
CC
= 100伏
民
典型值
最大
0.25
1.5
单位
s
s
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