产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
应用
For
音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N5621
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5623/5625
2N5627
2N5621
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5623/5625
2N5627
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
60
80
100
80
100
120
5
10
100
150
-65~200
V
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
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硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5621
V
首席执行官
集电极 - 发射极
维持电压
2N5623/5625
2N5627
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5621/5625
h
FE
直流电流增益
2N5623/5627
2N5621/5625
f
T
跃迁频率
2N5623/5627
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
30
40
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
30
2.0
1.5
0.1
0.1
200
90
V
V
mA
mA
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
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硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
图2外形尺寸
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
2N5621
2N5623/5625
2N5627
2N5621
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
2N5623/5625
2N5627
ND
ICO
EM
发射极开路
开基
条件
OR
UCT
价值
-80
-100
-120
-60
-80
-100
单位
V
V
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-5
-10
V
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
100
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5621
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5623/5625
2N5627
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
条件
民
-60
典型值。
最大
单位
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-80
-100
V
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-1.5
-1.5
-0.1
-0.1
70
200
90
V
V
mA
mA
h
FE
固电
IN
直流电流增益
导½
半
2N5621/5625
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
2N5623/5627
2N5621/5625
f
T
跃迁频率
ES
昂
CH
2N5623/5627
I
C
= -1A ; V
CE
=-12V
ND
ICO
EM
30
40
OR
UCT
兆赫
30
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
描述
·采用TO-3封装
·卓越的安全工作区
·低集电极饱和电压
应用
·对于音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N5621
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5623/5625
2N5627
2N5621
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5623/5625
2N5627
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-80
-100
-120
-60
-80
-100
-5
-10
100
150
-65~200
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5621
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5623/5625
2N5627
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5621/5625
h
FE
直流电流增益
2N5623/5627
2N5621/5625
f
T
跃迁频率
2N5623/5627
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
符号
条件
民
-60
典型值。
最大
单位
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-80
-100
V
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
70
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
30
40
I
C
= -1A ; V
CE
=-12V
30
-1.5
-1.5
-0.1
-0.1
200
90
V
V
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N5621
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5623/5625
2N5627
2N5621
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5623/5625
2N5627
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-80
-100
-120
-60
-80
-100
-5
-10
100
150
-65~200
V
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5621
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5623/5625
2N5627
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5621/5625
h
FE
直流电流增益
2N5623/5627
2N5621/5625
f
T
跃迁频率
2N5623/5627
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
条件
民
-60
典型值。
最大
单位
I
C
= -50mA ;我
B
=0
-80
-100
V
I
C
= -10A ;我
B
=-1A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
70
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
30
40
I
C
= -1A ; V
CE
=-12V
30
-1.5
-1.5
-0.1
-0.1
200
90
V
V
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N5621 2N5623 2N5625 2N5627
图2外形尺寸
3
QQ：2881677436 复制
