SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
描述
·采用TO-3封装
·卓越的安全工作区
·低集电极饱和电压
应用
·对于音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N5622
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5624/5626
2N5628
2N5622
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5624/5626
2N5628
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
60
80
100
5
10
100
150
-65~200
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5622
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5624/5626
2N5628
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5622/5626
h
FE
直流电流增益
2N5624/5628
2N5622/5626
f
T
跃迁频率
2N5624/5628
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
符号
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
30
40
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
30
1.5
1.5
0.1
0.1
200
90
V
V
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
2N5622
2N5624/5626
2N5628
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
2N5622
2N5624/5626
2N5628
MIC
E
发射极开路
开基
条件
ND
O
OR
UCT
价值
80
100
120
60
80
100
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
5
10
V
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
100
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5622
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5624/5626
2N5628
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.5
1.5
0.1
0.1
70
200
90
V
V
mA
mA
h
FE
固电
IN
直流电流增益
导½
半
2N5622/5626
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
2N5624/5628
2N5622/5626
f
T
跃迁频率
ES
昂
CH
2N5624/5628
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
ND
ICO
EM
30
40
OR
UCT
兆赫
30
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
2N5622
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
10
单位
V
A
-
Hz
@ 5/5 (V
CE
/ I
C
)
70
40M
200
100
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
2N5622
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
10
单位
V
A
-
Hz
@ 5/5 (V
CE
/ I
C
)
70
40M
200
100
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N5622
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5624/5626
2N5628
2N5622
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5624/5626
2N5628
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
60
80
100
5
10
100
150
-65~200
V
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5622
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5624/5626
2N5628
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5622/5626
h
FE
直流电流增益
2N5624/5628
2N5622/5626
f
T
跃迁频率
2N5624/5628
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
30
40
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
30
1.5
1.5
0.1
0.1
200
90
V
V
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
应用
For
音频和通用
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N5622
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5624/5626
2N5628
2N5622
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5624/5626
2N5628
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
60
80
100
80
100
120
5
10
100
150
-65~200
V
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
JMnic
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硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5622
V
首席执行官
集电极 - 发射极
维持电压
2N5624/5626
2N5628
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5622/5626
h
FE
直流电流增益
2N5624/5628
2N5622/5626
f
T
跃迁频率
2N5624/5628
2N5622 2N5624 2N5626 2N5628
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
30
40
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
30
2.0
1.5
0.1
0.1
200
90
V
V
mA
mA
兆赫
JMnic
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包装外形
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