INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
通用放大器;
和切换应用程序
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
2N5614
2N5616/5618
2N5620
2N5614
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
2N5616/5618
2N5620
ND
ICO
EM
发射极开路
开基
条件
OR
UCT
价值
80
100
120
60
80
100
单位
V
V
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
5
5
V
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
50
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5614
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5616/5618
2N5620
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
0.5
1.5
0.1
1.0
0.1
70
V
V
mA
mA
mA
h
FE
固电
直流电流增益
导½
半
2N5614/5618
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
2N5616/5620
2N5614/5618
f
T
跃迁频率
的HAn
INC。
2N5616/5620
ES
G
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
ND
ICO
EM
30
OR
UCT
200
90
兆赫
70
60
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
通用放大器;
和切换应用程序
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N5614
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5616/5618
2N5620
2N5614
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5616/5618
2N5620
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
60
80
100
5
5
50
150
-65~150
V
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5614
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5616/5618
2N5620
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5614/5618
h
FE
直流电流增益
2N5616/5620
2N5614/5618
f
T
跃迁频率
2N5616/5620
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
30
70
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
60
0.5
1.5
0.1
1.0
0.1
200
90
V
V
mA
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
图2外形尺寸
3
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
描述
·采用TO-3封装
·卓越的安全工作区
·低集电极饱和电压
应用
·对于通用放大器;
和切换应用程序
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N5614
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5616/5618
2N5620
2N5614
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5616/5618
2N5620
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
80
100
120
60
80
100
5
5
50
150
-65~150
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N5614
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5616/5618
2N5620
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
2N5614/5618
h
FE
直流电流增益
2N5616/5620
2N5614/5618
f
T
跃迁频率
2N5616/5620
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
符号
条件
民
60
典型值。
最大
单位
I
C
= 50毫安，我
B
=0
80
100
V
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
70
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
30
70
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
60
0.5
1.5
0.1
1.0
0.1
200
90
V
V
mA
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5614 2N5616 2N5618 2N5620
图2外形尺寸
3
QQ：2881677436 复制
