2N5550, 2N5551
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TO92
TO92
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TO92
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TO92
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有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装规范
系统蒸发散宣传册， BRD8011 / D 。
500
300
^ h FE ， DC电流增益
200
100
55
°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
5.0
7.0
I
C
，集电极电流（毫安）
10
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
http://onsemi.com
3
2N5550, 2N5551
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
图2.集电极饱和区
10
1
V
CE
= 30 V
IC ，集电极电流（
A)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
0.4
T
J
= 125°C
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
，基极发射极电压（伏）
0.5
0.6
图3.集电极截止区
θ
V，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
0.8
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
图4. “开”电压
图5.温度系数
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4
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