摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N5555 / D
JFET开关
N沟道 - 耗尽
3
门
1 DRAIN
2N5555
2 SOURCE
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅 - 源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
符号
VDS
VDG
VGS
IGF
PD
TJ
TSTG
价值
25
25
25
10
350
2.8
- 65 + 150
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格5
TO-92 （TO- 226AA ）
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
门 - 源极击穿电压（ IG = 10
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
排水截止电流（ VDS = 12 VDC， VGS = - 10 V ）
排水截止电流
（ VDS = 12 VDC， VGS = - 10 V ， TA = 100 ° C）
V（ BR ） GSS
IGSS
的ID （关闭）
25
—
—
—
—
1.0
10
2.0
VDC
NADC
NADC
μAdc
基本特征
零 - 门 - 电压漏电流（ 1 ）
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
门源正向电压
（ IG （ F） = 1.0 MADC ， VDS = 0 ）
漏源电压
（ n = 7.0 MADC ，V GS = 0）
静态漏源导通电阻
（ n = 0.1 MADC ，V GS = 0）
IDSS
VGS （ F）
VDS （上）
RDS （ ON）
15
—
—
—
—
1.0
1.5
150
MADC
VDC
VDC
欧
小信号特性
小信号漏源“ ON”电阻
（VGS = 0， n = 0中，f = 1.0 kHz）的
输入电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 0 ， VGS = 10伏， F = 1.0兆赫）
RDS （ ON）
西塞
CRSS
—
—
—
150
5.0
1.2
欧
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
（ VDD = 10 VDC ， ID （ ON） = 7.0 MADC ，
( )
VGS （上）= 0 ，V GS （关闭） = -10伏）（参见图1）
0
10 VD） （S网络
（ VDD = 10 VDC ， ID （ ON） = 7.0 MADC ，
( )
VGS （上）= 0 ，V GS （关闭） = -10伏）（参见图1）
0
10 VD） （S网络
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
—
—
—
—
5.0
5.0
15
10
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 3.0 ％ 。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
2N5555
脉冲宽度
VDD
1.0 k
10 k
脉冲
发电机
（ 50欧姆）
50欧姆同轴电缆
1.0 k
50
RIN =
50欧姆
TD （上）
产量
输入脉冲
上升时间< 1.0纳秒
FALL TIME < 1.0纳秒
“开”脉冲宽度= 400 ns的标称值
占空比
≤
1.0%
发生器源阻抗= 50Ω
10%
90%
tr
90%
tf
TD （关闭）
10%
50 OHM
同轴
电缆
泰克
567
采样
范围
输入
50%
10%
90%
90%
50%
10%
VGS （上）
VGS （关闭）
输入脉冲
上升时间
输入脉冲
下降时间
图1.开关时间测试电路
功率增益
24
F = 100 MHz的
20
PG ，功率增益（分贝）
16
12
400兆赫
Tchannel = 25°C
VDS = 15 VDC
VGS = 0 V
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
ID ，漏极电流（毫安）
12
14
8.0
4.0
图2.影响漏极电流
参考
称号
中和
COIL
输入
50
来源
C1
C5
Rg
′
L3
C6
VGS
常见
VDS
+15 V
L1
C2
C4
例
C7
ID = 5.0毫安
C3
500
负载
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
L1
L2
L3
价值
100兆赫
7.0 pF的
1000 pF的
3.0 pF的
1-12 pF的
1-12 pF的
0.0015
F
0.0015
F
3.0
H*
0.15
H*
0.14
H*
400兆赫
1.8 pF的
17 pF的
1.0 pF的
0.8-8.0 pF的
0.8-8.0 pF的
0.001
F
0.001
F
0.2
H**
0.03
H**
0.022
H**
L2
调整为VGS
ID = 50毫安
VGS < 0伏
*L1
注意：
噪声源是热感冒的身体
（ AIL类型70或同等学历）与
测试接收机（ AIL型136或同等学历）。
**L1
*L2
*L3
17圈， （约 - 取决于电路设计） AWG ＃ 28
漆包线，在9/32 “陶瓷线圈紧密缠绕
形式。调整由铁粉蛞蝓提供。
4-1 / 2圈， AWG ＃ 18漆包线， 5/16 “长，
3/8 “内径（空芯） 。
3-1 / 2圈， AWG ＃ 18漆包线， 1/4 “长，
3/8 “内径（空芯） 。
**L2
**L3
6圈， （约 - 取决于电路设计） AWG ＃ 24
漆包线，在7/32 “陶瓷线圈紧密缠绕
形式。通过调整铝塞提供。
1圈， AWG ＃ 16漆包线， 3/8“内径
（空芯） 。
1/2圈， AWG ＃ 16漆包线， 1/4“ ID
（空芯） 。
图3. 100 MHz和400 MHz的中性化测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
2N5555
常见源特性
纳参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C）
遗传资源，反纳（毫姆欧）
BRS ，反纳（毫姆欧）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
GIS @ 0.25 IDSS
1.0
0.7
0.5
0.3
10
20
30
二@ IDSS
5.0
3.0
2.0
BRS @ IDSS
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
遗传资源@智能决策支持系统，智能决策支持系统0.25
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.25 IDSS
地理信息系统，输入电导（毫姆欧）
二，输入纳（毫姆欧）
GIS @ IDSS
二@ 0.25 IDSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
图7.输入导纳（彝族）
图8.反向传输导纳（年）
政府飞行服务队，正向跨导（毫姆欧）
| B FS | ，FORWARD纳（毫姆欧）
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
| BFS | @ IDSS
| BFS | @ 0.25 IDSS
GOS ，输出导纳（姆欧）
不中，输出纳（姆欧）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
GOS @ 0.25 IDSS
GOS @ IDSS
BOS @ IDSS和0.25 IDSS
GFS @ IDSS
GFS @ 0.25 IDSS
图9.正向纳（ YFS ）
图10.输出导纳（ YOS ）
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
2N5555
常见源特性
S-参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C，数据点以MHz为单位）
30°
40°
20°
10°
0°
1.0
350°
100
100
0.9
50°
300
0.8
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
0.7
ID = IDSS
500
400
600
500
600
0.6
800
900
700
900
700
800
280°
270°
260°
250°
240°
80°
90°
100°
110°
120°
290°
70°
400
300
200
100
270°
260°
250°
240°
0.0
280°
300°
60°
600
800
700
500
0.1
200
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
0°
0.4
350°
340°
330°
320°
ID = 0.25 IDSS
200
300
0.3
400
310°
50°
ID = IDSS ， 0.25 IDSS
900
0.2
300°
290°
310°
130°
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图11. S11s
30°
40°
20°
10°
0°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
图12. S12S
10°
0°
350°
340°
330°
100 200
ID = 0.25 IDSS
300
1.0
400
100 200
500
300
600
400
700
0.9
500
800
600
ID = IDSS
700
900
800
900
0.8
320°
0.6
50°
0.5
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
900
800
700
600
500
400
300
ID = IDSS
240°
200
100
0.5
230°
0.6
130°
120°
800
700
600
ID = 0.25 IDSS
500
400
300
200
100
0.4
250°
110°
0.3
900
0.3
280°
270°
260°
80°
90°
100°
0.4
300°
290°
60°
70°
310°
50°
310°
300°
0.7
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.6
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图13. S21s
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
图14. S22s
5
ON Semiconductort
1 DRAIN
JFET开关
N沟道 - 耗尽
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
符号
VDS
VDG
VGS
IGF
PD
TJ
TSTG
3
门
2N5555
2 SOURCE
价值
25
25
25
10
350
2.8
-65到+150
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
CASE 29-11 ，风格5
TO-92 （TO- 226AA ）
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压（ IG = 10
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ）
排水截止电流（ VDS = 12 VDC， VGS = -10 V）
排水截止电流
（ VDS = 12 VDC， VGS = -10 V ， TA = 100 ° C）
V（ BR ） GSS
IGSS
的ID （关闭）
25
—
—
—
—
1.0
10
2.0
VDC
NADC
NADC
μAdc
基本特征
零栅极电压漏极电流（ 1 ）
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
门源正向电压
（ IG （ F） = 1.0 MADC ， VDS = 0 ）
漏源电压
（ n = 7.0 MADC ，V GS = 0）
静态漏源导通电阻
（ n = 0.1 MADC ，V GS = 0）
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 3.0 ％ 。
IDSS
VGS （ F）
VDS （上）
RDS （ ON）
15
—
—
—
—
1.0
1.5
150
MADC
VDC
VDC
欧
小信号特性
小信号漏源“ ON”电阻
（VGS = 0， n = 0中，f = 1.0 kHz）的
输入电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 0 ， VGS = 10伏， F = 1.0兆赫）
RDS （ ON）
西塞
CRSS
—
—
—
150
5.0
1.2
欧
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
（ VDD = 10 VDC ， ID （ ON） = 7.0 MADC ，
(
,
,
VGS （上）= 0 ，V GS （关闭） = -10伏）（参见图1）
0
10 VD） （S网络
(
（ VDD = 10 VDC ， ID （ ON） = 7.0 MADC ，
,
,
VGS （上）= 0 ，V GS （关闭） = -10伏）（参见图1）
0
10 VD） （S网络
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
—
—
—
—
5.0
5.0
15
10
ns
ns
ns
ns
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第3版
出版订单号：
2N5555/D
2N5555
脉冲宽度
VDD
1.0 k
脉冲
发电机
（ 50欧姆）
50欧姆同轴电缆
1.0 k
50
10 k
90%
50 OHM
同轴
电缆
泰克
567
采样
范围
输入
50%
10%
输入脉冲
上升时间
90%
50%
10%
VGS （上）
VGS （关闭）
输入脉冲
下降时间
RIN =
50欧姆
产量
TD （上）
10%
90%
tr
90%
tf
TD （关闭）
10%
输入脉冲
上升时间< 1.0纳秒
FALL TIME < 1.0纳秒
呢？ ON"脉冲宽度= 400 ns的标称值
占空比
≤
1.0%
发生器源阻抗= 50Ω
图1.开关时间测试电路
常见源特性
纳参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C）
遗传资源，反纳（毫姆欧）
BRS ，反纳（毫姆欧）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
10
20
30
二@ IDSS
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
遗传资源@智能决策支持系统，智能决策支持系统0.25
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 100
BRS @ IDSS
0.25 IDSS
地理信息系统，输入电导（毫姆欧）
二，输入纳（毫姆欧）
GIS @ IDSS
GIS @ 0.25 IDSS
二@ 0.25 IDSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.1
0.07
0.05
图2.输入导纳（彝族）
图3.反向传输导纳（年）
政府飞行服务队，正向跨导（毫姆欧）
| B FS | ，FORWARD纳（毫姆欧）
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
| BFS | @ IDSS
| BFS | @ 0.25 IDSS
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
GOS ，输出导纳（姆欧）
不中，输出纳（姆欧）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
GOS @ IDSS
BOS @ IDSS和0.25 IDSS
GFS @ IDSS
GFS @ 0.25 IDSS
0.05
0.02
0.01
10
20
30
GOS @ 0.25 IDSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 100
500 700 1000
图4.正向纳（ YFS ）
http://onsemi.com
2
图5.输出导纳（ YOS ）
2N5555
常见源特性
S-参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C，数据点以MHz为单位）
30°
40°
20°
10°
0°
1.0
350°
100
100
50°
0.9
200
300
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
0.8
ID = IDSS
400
500
600
0.6
900
800
700
900
600
700
800
290°
280°
270°
260°
250°
240°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
0°
0.4
350°
340°
330°
320°
ID = 0.25 IDSS
200
300
400
500
300°
60°
310°
50°
ID = IDSS ， 0.25 IDSS
800
600
400
300
200
100
0.0
700
500
0.1
900
0.2
300°
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.3
310°
0.7
130°
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图6. S11s
30°
40°
20°
10°
0°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
图7. S12S
10°
0°
350°
340°
330°
100 200
ID = 0.25 IDSS
300
1.0
400
100 200
500
300
600
400
700
0.9
500
800
600
ID = IDSS
700
900
800
900
0.8
320°
50°
0.6
310°
50°
310°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
900
800
700
600
500
400
300
ID = IDSS
200
100
800
700
600
ID = 0.25 IDSS
500
400
300
200
100
900
0.5
300°
290°
280°
270°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
300°
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.4
0.7
0.3
0.6
0.3
260°
250°
240°
0.4
0.5
130°
0.6
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图8. S21s
http://onsemi.com
3
图9. S22s
2N5555
共栅极特性
纳参数
（ VDG = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C）
广电运通，反向纳（毫姆欧）
BRG ，反纳（毫姆欧）
20
演出，输入电导（毫姆欧）
大，输入纳（毫姆欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
20
30
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10
20
30
演出@智能决策支持系统，智能决策支持系统0.25
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.25 IDSS
BRG @ IDSS
演出@ IDSS
GRG @ 0.25 IDSS
@大IDSS
大@ 0.25 IDSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.007
0.005
图10.输入导纳（ YIG ）
图11.反向传输导纳（ YRG ）
GFG ，正向跨导（毫姆欧）
BFG ， FORWARD纳（毫姆欧）
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
10
20
30
BFG @ IDSS
GFG @ 0.25 IDSS
高格，输出导纳（毫姆欧）
沼泽， OUTPUT纳（毫姆欧）
10
7.0
5.0
GFG @ IDSS
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10
沼泽@ IDSS ， 0.25 IDSS
歌革@ IDSS
BRG @ 0.25 IDSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
高格@ 0.25 IDSS
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
500 700 1000
图12.正向转移导纳（ YFG ）
图13.输出导纳（ YOG）
http://onsemi.com
4
2N5555
共栅极特性
S-参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C，数据点以MHz为单位）
30°
40°
20°
10°
0°
0.7
100
0.6
50°
100
0.5
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
0.4
ID = IDSS
200
200
300
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
0°
0.04
350°
340°
330°
320°
ID = 0.25 IDSS
400
500
600
400
500
600
700
700
800
900
0.03
310°
50°
0.02
310°
300
300°
290°
280°
270°
260°
250°
240°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
600
ID = IDSS
700
800
900
100
500
600
700
800
300°
290°
280°
270°
0.01
0.3
800
900
0.0
ID = 0.25 IDSS
0.01
260°
250°
240°
0.02
130°
230°
130°
900
230°
0.03
220°
190°
200°
210°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
0.04
180°
图14. S11g
30°
40°
20°
10°
0°
0.5
100
100
0.3
ID = IDSS
310°
50°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
图15. S12G
10°
0°
1.5
1.0
100
0.9
350°
300
200
400
340°
500
600
700
800
900
310°
330°
320°
0.4
50°
ID = IDSS ， 0.25 IDSS
0.8
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
300°
ID = 0.25 IDSS
290°
280°
900
900
270°
260°
250°
240°
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
300°
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.2
0.7
0.1
0.6
130°
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图16. S21g
http://onsemi.com
5
图17. S22g
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