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2N5550, 2N5551
首选设备
放大器晶体管
NPN硅
特点
这些无铅器件*
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
2N5550
2N5551
集电极 - 基极电压
2N5550
2N5551
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CBO
160
180
6.0
600
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
风格1
12
1
符号
V
首席执行官
140
160
VDC
价值
单位
VDC
1
辐射源
2
BASE
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2N
555x
AYWW
G
G
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
x
= 0或1
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年3月 - 修订版5
出版订单号:
2N5550/D
2N5550, 2N5551
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏,我
E
= 0)
(V
CB
= 120伏,我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏,我
E
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CB
= 120伏,我
E
= 0, T
A
= 100°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏,我
C
= 0)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
噪声系数
(I
C
= 250
MADC ,
V
CE
= 5.0伏,R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
h
fe
NF
10
8.0
f
T
C
敖包
C
IBO
50
30
20
200
dB
100
300
6.0
兆赫
pF
pF
h
FE
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
V
CE ( SAT )
这两种类型
2N5550
2N5551
V
BE ( SAT )
这两种类型
2N5550
2N5551
1.0
1.2
1.0
VDC
0.15
0.25
0.20
VDC
60
80
60
80
20
30
250
250
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
I
EBO
V
( BR ) CEO
2N5550
2N5551
V
( BR ) CBO
2N5550
2N5551
V
( BR ) EBO
6.0
I
CBO
100
50
100
50
50
NADC
MADC
NADC
VDC
160
180
VDC
140
160
VDC
符号
最大
单位
http://onsemi.com
2
2N5550, 2N5551
500
300
^ h FE , DC电流增益
200
100
55
°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
5.0
7.0
I
C
,集电极电流(毫安)
10
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
I
B
,基极电流(毫安)
图2.集电极饱和区
10
1
V
CE
= 30 V
IC ,集电极电流(
μ
A)
10
0
V,电压(V )
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
0.4
T
J
= 125°C
1.0
0.8
I
C
= I
CES
T
J
= 25°C
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
75°C
反向
25°C
前锋
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
,基极发射极电压(伏)
0.5
0.6
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
图3.集电极截止区
图4. “开”电压
http://onsemi.com
3
2N5550, 2N5551
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
q
VB
对于V
BE ( SAT )
q
VC
对于V
CE ( SAT )
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
θ
V,温度系数(毫伏/
°
C)
图5.温度系数
100
70
50
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
10纳秒
占空比= 1.0 %
0.25
mF
C,电容(pF )
V
BB
8.8 V
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
3.0 k
V
CC
30 V
R
C
V
OUT
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
C
IBO
T
J
= 25°C
C
敖包
显示的值是我
C
@ 10毫安
10
20
V
R
,反向电压(伏)
图6.开关时间测试电路
图7的电容
1000
500
300
T, TIME ( NS )
200
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
50
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30 50
100
200
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
I
C
,集电极电流(毫安)
T, TIME ( NS )
I
C
,集电极电流(毫安)
图8.导通时间
图9.开启,关闭时间
http://onsemi.com
4
2N5550, 2N5551
订购信息
设备
2N5550G
2N5550RLRPG
2N5551G
2N5551RL1G
2N5551RLRAG
2N5551RLRPG
2N55551ZL1G
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&卷轴
航运
5000单位/散装
2000 /磁带&弹药盒
5000单位/散装
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
2N5550, 2N5551
首选设备
放大器晶体管
NPN硅
特点
无铅包可用*
器件标识:设备类型,如2N5550 ,日期代码
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55到+150
W
毫瓦/°C的
°C
55xx
Y
WW
具体设备守则
=年
=工作周
mW
毫瓦/°C的
12
TO92
CASE 29
风格1
3
2N
55xx
YWW
2N5550 2N5551
140
160
6.0
600
160
180
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
辐射源
记号
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
热特性
特征
热阻,
结到环境
热阻,
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 第3版
出版订单号:
2N5550/D
2N5550, 2N5551
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏,我
E
= 0)
(V
CB
= 120伏,我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏,我
E
= 0, T
A
= 100°C)
(V
CB
= 120伏,我
E
= 0, T
A
= 100°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏,我
C
= 0)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
h
FE
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
V
CE ( SAT )
这两种类型
2N5550
2N5551
V
BE ( SAT )
这两种类型
2N5550
2N5551
1.0
1.2
1.0
0.15
0.25
0.20
VDC
60
80
60
80
20
30
250
250
VDC
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
I
EBO
V
( BR ) CEO
2N5550
2N5551
V
( BR ) CBO
2N5550
2N5551
V
( BR ) EBO
I
CBO
100
50
100
50
50
NADC
MADC
NADC
160
180
6.0
VDC
140
160
VDC
VDC
符号
最大
单位
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
噪声系数
(I
C
= 250
MADC ,
V
CE
= 5.0伏,R
S
= 1.0千瓦,
F = 1.0千赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
f
T
C
敖包
C
IBO
2N5550
2N5551
h
fe
NF
2N5550
2N5551
100
300
6.0
兆赫
pF
pF
50
30
20
200
dB
10
8.0
http://onsemi.com
2
2N5550, 2N5551
订购信息
设备
2N5550
2N5550RLRA
2N5550RLRP
2N5550RLRPG
2N5551
2N5551G
2N5551RL1
2N5551RLRA
2N5551RLRM
2N5551RLRP
2N55551ZL1
TO92
TO92
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
航运
5000单位/散装
2000磁带&卷轴
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
5000单位/散装
5000单位/散装
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装规范
系统蒸发散宣传册, BRD8011 / D 。
500
300
^ h FE , DC电流增益
200
100
55
°C
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
5.0
7.0
I
C
,集电极电流(毫安)
10
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
http://onsemi.com
3
2N5550, 2N5551
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
,基极电流(毫安)
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
图2.集电极饱和区
10
1
V
CE
= 30 V
IC ,集电极电流(
A)
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
0.4
T
J
= 125°C
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
,基极发射极电压(伏)
0.5
0.6
图3.集电极截止区
θ
V,温度系数(毫伏/
°
C)
1.0
0.8
V,电压(V )
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
q
VB
对于V
BE ( SAT )
q
VC
对于V
CE ( SAT )
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
图4. “开”电压
图5.温度系数
http://onsemi.com
4
2N5550, 2N5551
100
70
50
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
10纳秒
占空比= 1.0 %
0.25
mF
C,电容(pF )
V
BB
8.8 V
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
3.0 k
V
CC
30 V
R
C
V
OUT
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
C
IBO
C
敖包
T
J
= 25°C
显示的值是我
C
@ 10毫安
V
R
,反向电压(伏)
图6.开关时间测试电路
图7的电容
1000
500
300
T, TIME ( NS )
200
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
1.0
2.0 3.0 5.0 10
20 30 50
I
C
,集电极电流(毫安)
100
200
50
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30 50
I
C
,集电极电流(毫安)
100
200
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
图8.导通时间
T, TIME ( NS )
图9.开启,关闭时间
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5
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