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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第420页 > 2N5547JANTX
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
单片N沟道JFET偶
产品概述
产品型号
2N5545
2N5546
2N5547
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.5到-4.5
-0.5到-4.5
-0.5到-4.5
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–50
–50
–50
g
fs
MIN（ ms）的
1.5
1.5
1.5
I
G
马克斯（PA ）
–50
–50
–50
jV
GS1
– V
GS2
j
MAX（毫伏）
5
10
15
特点
D
D
D
D
D
D
整体设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 3 pA的
低噪音
高CMRR ： 100分贝
好处
D
紧差分匹配与电流
D
提高运算放大器的速度，稳定时间
准确性
D
最小输入错误/修正要求
D
微不足道的信号丢失/错误电压
D
高灵敏度系统
D
大输入信号的最小误差
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，温度补偿的，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
描述
该2N5545 / 5546 / 5547JANTX / JANTXV是单片双
n沟道JFET的设计提供高输入阻抗
(I
G
< 50 pA的），用于一般用途的差动放大器。该
2N5545拥有最小的系统误差和校准（ 5毫伏
偏移量的最大值）。
TO-71
S
1
1
D
1
6
G
2
2
5
D
2
3
G
1
顶视图
4
S
2
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
www.vishay.com
8-1
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5545
2N5546
2N5547
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅极 - 源
截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
栅极 - 源
正向电压
符号
测试条件
典型值
a
最小最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.5 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–57
–2
3
–10
–20
–3
0.7
–50
–0.5
0.5
–4.5
8
–100
–150
–50
–50
–0.5
0.5
–4.5
8
–100
–150
–50
–50
V
–0.5
0.5
–4.5
8
–100
–150
–50
mA
pA
nA
pA
V
动态
共源转发
跨
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源反向
传输电容
等效输入
噪声电压
噪声系数
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
NF
2.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2
3.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 200
mA
F = 10赫兹
R
G
= 1兆瓦
1.3
20
0.1
1.5
6.0
25
6
2
180
3.5
1.5
6.0
25
6
2
200
5
1.5
6.0
25
6
pF
2
nV/
√Hz的
dB
mS
mS
匹配
迪FF erential
栅源电压
栅源电压
不同变化
随温度
饱和漏极
流动比率
c
跨比
c
|V
G7S1
– V
GS2
|
D
|V
GS1
– V
GS2
|
DT
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
|g
os1
– g
os2
|
V
DG
= 15 V，I
D
= 50
mA
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
T
A
= -55到125°C
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
T
A
= 125_C
0.98
0.95
5
5
10
10
10
20
15
15
40
mV
毫伏/
_C
1
0.9
1
0.9
1
0.99
0.97
1
0.95
1
0.9
1
迪FF erential输出
导
0.1
1
2
3
mS
差动电流门
|I
G1
– I
G2
|
1
5
5
5
nA
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。假定在分子中较小的值。
NQP
www.vishay.com
8-2
文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
5
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
3
g
fs
- 正向跨导（MS ）
100 nA的
I
G
@ I
D
= 200
mA
10 nA的
T
A
= 125_C
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
I
GSS
@ 125_C
100 pA的
200
mA
50
mA
50
mA
栅极漏电流
4
g
fs
3
I
DSS
2.6
2.2
2
1.8
10 pA的
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
1
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1.4
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
1
0.1帕
0
10
20
30
40
50
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
输出特性
5
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
4
5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
–0.3 V
–0.6 V
3
–0.9 V
2
–1.2 V
–1.5 V
1
–1.8 V
–2.1 V
0
20
0
4
8
12
–2.4 V
16
20
3
V
GS
= 0 V
–0.2 V
2
–0.4 V
–0.6 V
1
–1.0 V
–1.2 V
–0.8 V
0
0
4
8
12
16
–1.4 V
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
2
V
GS （ OFF ）
= –2 V
1.6
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
1.2
–0.6 V
–0.8 V
0.8
–1.0 V
0.4
–1.2 V
–1.4 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
–1.6 V
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
2.0
2.5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
–0.3 V
–0.6 V
–0.9 V
1.5
–1.2 V
1.0
–1.5 V
–1.8 V
0.5
–2.1 V
–2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
www.vishay.com
8-3
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
5
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
（毫伏）
V
DS
= 10 V
100
V
DG
= 15 V
T
A
= 25_C
栅极 - 源差分电压
与漏电流
V
GS1
– V
GS2
3
T
A
= –55_C
2N5547
10
2N5545
25_C
2
1
125_C
0
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
差分电压与温度
与漏电流
100
V
DG
= 15 V
DT
A
= 25 125 ℃下
DT
A
= -55 25_C
130
共模抑制比
与漏电流
DV
DG
D
V
GS1
– V
GS2
(
m
V/
_C
)
CMRR = 20日志
120
共模抑制比（分贝）
2N5547
10
V
GS1
– V
GS2
110
DV
DG
= 10 – 20 V
100
5 – 10 V
90
D
t
2N5545
D
1
0.01
80
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
电路的电压增益与漏电流
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1k
导通电阻与漏电流
80
A
V
=电压增益
800
60
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS （ OFF ）
= –2 V
40
A
V
+
g
fs
R
L
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
0
0.01
10 V
I
D
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
600
V
GS （ OFF ）
= –2 V
400
V
GS （ OFF ）
= –3 V
20
200
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
1
www.vishay.com
8-4
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
共源输入电容
与栅源电压
10
RSS - 逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
8
5
F = 1 MHz的
4
共源反向反馈
电容与栅源电压
ISS - 输入电容（pF ）
6
V
DS
= 0 V
4
5V
3
V
DS
= 0 V
5V
2
2
15 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1
15 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
等效输入噪声电压与频率的关系
20
V
DS
= 10 V
Hz
16
I
D
@ 200
mA
12
g
os
- 输出电导（ μS ）
2.0
2.5
输出电导与漏极电流
V
GS （ OFF ）
= –2 V
V
DS
= 15 V
F = 1千赫
恩 - 噪声电压内华达州/
1.5
T
A
= –55_C
1.0
25_C
8
V
GS
= 0 V
4
0.5
125_C
0
0.01
0
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
共源正向跨导
与漏电流
2.5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
V
GS （ OFF ）
= –2 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
2.0
T
A
= –55_C
1.5
25_C
1.0
V
DS
= 15 V
F = 1千赫
1k
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
10
800
g
os
8
克骨质输出电导（
m
S)
600
6
400
r
DS
4
0.5
200
r
DS
@ I
D
= 100毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
2
125_C
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
www.vishay.com
8-5
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
单片N沟道JFET偶
产品概述
产品型号
2N5545
2N5546
2N5547
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.5到-4.5
-0.5到-4.5
-0.5到-4.5
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–50
–50
–50
g
fs
MIN（ ms）的
1.5
1.5
1.5
I
G
马克斯（PA ）
–50
–50
–50
jV
GS1
– V
GS2
j
MAX（毫伏）
5
10
15
特点
D
D
D
D
D
D
整体设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 3 pA的
低噪音
高CMRR ： 100分贝
好处
D
紧差分匹配与电流
D
提高运算放大器的速度，稳定时间
准确性
D
最小输入错误/修正要求
D
微不足道的信号丢失/错误电压
D
高灵敏度系统
D
大输入信号的最小误差
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，温度补偿的，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
描述
该2N5545 / 5546 / 5547JANTX / JANTXV是单片双
n沟道JFET的设计提供高输入阻抗
(I
G
< 50 pA的），用于一般用途的差动放大器。该
2N5545拥有最小的系统误差和校准（ 5毫伏
偏移量的最大值）。
TO-71
S
1
1
D
1
6
G
2
2
5
D
2
3
G
1
顶视图
4
S
2
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免4毫瓦/ _C以上25_C
文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
www.vishay.com
8-1
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N5545
2N5546
2N5547
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅极 - 源
截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
栅极 - 源
正向电压
符号
测试条件
典型值
a
最小最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
V
GS （ F）
I
G
= –1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.5 nA的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–57
–2
3
–10
–20
–3
0.7
–50
–0.5
0.5
–4.5
8
–100
–150
–50
–50
–0.5
0.5
–4.5
8
–100
–150
–50
–50
V
–0.5
0.5
–4.5
8
–100
–150
–50
mA
pA
nA
pA
V
动态
共源转发
跨
b
共源
输出电导
b
共源
输入电容
共源反向
传输电容
等效输入
噪声电压
噪声系数
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
n
NF
2.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
2
3.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 200
mA
F = 10赫兹
R
G
= 1兆瓦
1.3
20
0.1
1.5
6.0
25
6
2
180
3.5
1.5
6.0
25
6
2
200
5
1.5
6.0
25
6
pF
2
nV/
√Hz的
dB
mS
mS
匹配
迪FF erential
栅源电压
栅源电压
不同变化
随温度
饱和漏极
流动比率
c
跨比
c
|V
G7S1
– V
GS2
|
D
|V
GS1
– V
GS2
|
DT
I
DSS1
I
DSS2
g
fs1
g
fs2
|g
os1
– g
os2
|
V
DG
= 15 V，I
D
= 50
mA
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
T
A
= -55到125°C
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 200
mA
F = 1千赫
V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
V
DG
= 15 V，I
D
= 200
mA
T
A
= 125_C
0.98
0.95
5
5
10
10
10
20
15
15
40
mV
毫伏/
_C
1
0.9
1
0.9
1
0.99
0.97
1
0.95
1
0.9
1
迪FF erential输出
导
0.1
1
2
3
mS
差动电流门
|I
G1
– I
G2
|
1
5
5
5
nA
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
。假定在分子中较小的值。
NQP
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文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
5
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
3
g
fs
- 正向跨导（MS ）
100 nA的
I
G
@ I
D
= 200
mA
10 nA的
T
A
= 125_C
I
G
- 栅极泄漏
1 nA的
I
GSS
@ 125_C
100 pA的
200
mA
50
mA
50
mA
栅极漏电流
4
g
fs
3
I
DSS
2.6
2.2
2
1.8
10 pA的
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
1
I
DSS
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DG
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1.4
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
1
0.1帕
0
10
20
30
40
50
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
输出特性
5
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
4
5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
–0.3 V
–0.6 V
3
–0.9 V
2
–1.2 V
–1.5 V
1
–1.8 V
–2.1 V
0
20
0
4
8
12
–2.4 V
16
20
3
V
GS
= 0 V
–0.2 V
2
–0.4 V
–0.6 V
1
–1.0 V
–1.2 V
–0.8 V
0
0
4
8
12
16
–1.4 V
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
2
V
GS （ OFF ）
= –2 V
1.6
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
1.2
–0.6 V
–0.8 V
0.8
–1.0 V
0.4
–1.2 V
–1.4 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
–1.6 V
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70253
S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
2.0
2.5
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS
= 0 V
–0.3 V
–0.6 V
–0.9 V
1.5
–1.2 V
1.0
–1.5 V
–1.8 V
0.5
–2.1 V
–2.4 V
0.4
0.6
0.8
1
V
DS
- 漏源电压（ V）
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典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
5
V
GS （ OFF ）
= –2 V
4
I
D
- 漏电流（mA ）
（毫伏）
V
DS
= 10 V
100
V
DG
= 15 V
T
A
= 25_C
栅极 - 源差分电压
与漏电流
V
GS1
– V
GS2
3
T
A
= –55_C
2N5547
10
2N5545
25_C
2
1
125_C
0
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
差分电压与温度
与漏电流
100
V
DG
= 15 V
DT
A
= 25 125 ℃下
DT
A
= -55 25_C
130
共模抑制比
与漏电流
DV
DG
D
V
GS1
– V
GS2
(
m
V/
_C
)
CMRR = 20日志
120
共模抑制比（分贝）
2N5547
10
V
GS1
– V
GS2
110
DV
DG
= 10 – 20 V
100
5 – 10 V
90
D
t
2N5545
D
1
0.01
80
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
电路的电压增益与漏电流
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
1k
导通电阻与漏电流
80
A
V
=电压增益
800
60
V
GS （ OFF ）
= –3 V
V
GS （ OFF ）
= –2 V
40
A
V
+
g
fs
R
L
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
0
0.01
10 V
I
D
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
600
V
GS （ OFF ）
= –2 V
400
V
GS （ OFF ）
= –3 V
20
200
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
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S- 04031 -REV 。 C， 04军， 01
1
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典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
共源输入电容
与栅源电压
10
RSS - 逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
8
5
F = 1 MHz的
4
共源反向反馈
电容与栅源电压
ISS - 输入电容（pF ）
6
V
DS
= 0 V
4
5V
3
V
DS
= 0 V
5V
2
2
15 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
1
15 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
等效输入噪声电压与频率的关系
20
V
DS
= 10 V
Hz
16
I
D
@ 200
mA
12
g
os
- 输出电导（ μS ）
2.0
2.5
输出电导与漏极电流
V
GS （ OFF ）
= –2 V
V
DS
= 15 V
F = 1千赫
恩 - 噪声电压内华达州/
1.5
T
A
= –55_C
1.0
25_C
8
V
GS
= 0 V
4
0.5
125_C
0
0.01
0
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
共源正向跨导
与漏电流
2.5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
V
GS （ OFF ）
= –2 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
2.0
T
A
= –55_C
1.5
25_C
1.0
V
DS
= 15 V
F = 1千赫
1k
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
10
800
g
os
8
克骨质输出电导（
m
S)
600
6
400
r
DS
4
0.5
200
r
DS
@ I
D
= 100毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
2
125_C
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
文档编号： 70253
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