【标准可选功率晶体管TO- 220 CASETO-220型号IC(A)最大4.04.04.07.07.】,IC型号2N5492,2N5492 PDF资料,2N5492经销商,ic,电子元器件-51电子网

标准

可选

功率晶体管

TO- 220 CASE

TO-220

型号

IC

(A)

最大

4.0

7.0

2N6040

2N6041

2N6042

10

16

2N6124

2N6125

2N6126

2N6132

2N6133

2N6134

2N6111

2N6109

2N6107

2N6666

2N6667

2N6668

2N6475

2N6476

2N6489

2N6490

2N6491

4.0

7.0

8.0

10

4.0

15

PD

(W)

36

50

75

40

50

40

65

40

75

BVCBO BVCEO

(V)

民

80

60

80

60

75

60

90

60

80

100

70

80

45

60

80

40

60

80

40

60

80

40

60

80

110

130

50

70

90

(V)

民

70

40

60

40

55

40

70

60

80

100

60

70

40

45

60

80

40

60

80

30

50

70

40

60

80

100

120

40

60

80

民

30

20

1,000

20

15

25

20

30

1,000

15

20

的hFE

最大

120

80

100

20,000

80

100

80

100

150

20,000

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

3.0

4.0

5.0

8.0

1.5

2.5

2.0

2.5

3.0

5.0

1.5

5.0

TO- 220FP全白

fT

（兆赫）

民

0.8

4.0

5.0

2.5

4.0

20

4.0

5.0

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

最大

1.0

2.0

2.5

0.6

1.4

1.8

3.5

2.0

1.2

1.3

(A)

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

35

4.0

3.0

10

16

1.5

7.0

3.0

5.0

1.5

5.0

NPN

2N5294

2N5296

2N5298

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N6043

2N6044

2N6045

2N6099

2N6101

2N6103

2N6121

2N6122

2N6123

2N6129

2N6130

2N6131

2N6288

2N6290

2N6292

2N6386

2N6387

2N6388

2N6473

2N6474

2N6486

2N6487

2N6488

PNP

92

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

可在TO- 220FP全乐要求。

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

描述

·带

的TO-220封装

高

功耗

应用

For

在中等功率和使用

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N5490/5494

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5492

2N5496

2N5490/5494

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5492

2N5496

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

60

75

90

40

55

70

5

7

3

50

150

-65~150

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

2.5

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5490/5494

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

sustioning电压

2N5492

2N5496

2N5490

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5492

2N5494

2N5496

2N5490

2N5492

V

BE

基射极电压上

2N5494

2N5496

2N5492

I

CEV

集电极截止电流

2N5490/5494

2N5496

I

CER

I

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

2N5490

2N5492

h

FE

直流电流增益

2N5494

2N5496

f

T

跃迁频率

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

条件

民

40

典型值。

最大

单位

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

55

70

V

I

C

=2.0A;I

B

=0.2A

I

C

=2.5A;I

B

=0.25A

1.0

I

C

=3.0A;I

B

=0.3A

I

C

=3.5A;I

B

=0.35A

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

V

CE

=70V;V

BE

=1.5V

V

CE

=55V;V

BE

=1.5V

V

CE

=85V;V

BE

=1.5V

V

CE

=额定V

首席执行官

;R

BE

=100Ω

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

20

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

0.8

兆赫

100

0.5

1.0

mA

1.0

mA

1.1

1.3

V

1.5

1.7

V

CESAT

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

JMnic

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

描述

·采用TO- 220封装

·高功耗

应用

·对于用于中等功率和

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2N5490/5494

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5492

2N5496

2N5490/5494

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5492

2N5496

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

60

75

90

40

55

70

5

7

3

50

150

-65~150

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

2.5

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N5490/5494

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

sustioning电压

2N5492

2N5496

2N5490

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5492

2N5494

2N5496

2N5490

2N5492

V

BE

基射极电压上

2N5494

2N5496

2N5492

I

CEV

集电极截止电流

2N5490/5494

2N5496

I

CER

I

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

2N5490

2N5492

h

FE

直流电流增益

2N5494

2N5496

f

T

跃迁频率

符号

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

条件

民

40

典型值。

最大

单位

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

55

70

V

I

C

=2.0A;I

B

=0.2A

I

C

=2.5A;I

B

=0.25A

1.0

I

C

=3.0A;I

B

=0.3A

I

C

=3.5A;I

B

=0.35A

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

V

CE

=70V;V

BE

=1.5V

V

CE

=55V;V

BE

=1.5V

V

CE

=85V;V

BE

=1.5V

V

CE

=额定V

首席执行官

;R

BE

=100>

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

20

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

0.8

兆赫

100

0.5

1.0

mA

1.0

mA

1.1

1.3

V

1.5

1.7

V

CESAT

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

描述

·带

的TO-220封装

高

功耗

应用

For

在中等功率和使用

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

固电

IN

导½

半

参数

2N5490/5494

2N5492

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

SEM

NG

HA

C

2N5496

2N5490/5494

2N5492

2N5496

发射极开路

ND

ICO

条件

器

UC

价值

60

75

90

40

55

70

单位

V

开基

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

5

7

3

V

A

W

℃

T

C

=25℃

50

150

-65~150

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

2.5

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5490/5494

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

sustioning电压

2N5492

2N5496

2N5490

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5492

2N5494

2N5496

2N5490

2N5492

V

BE

基射极电压上

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

条件

民

40

典型值。

最大

单位

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

55

70

V

I

C

=2.0A;I

B

=0.2A

I

C

=2.5A;I

B

=0.25A

1.0

I

C

=3.0A;I

B

=0.3A

I

C

=3.5A;I

B

=0.35A

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

V

CE

=70V;V

BE

=1.5V

V

CE

=55V;V

BE

=1.5V

V

CE

=85V;V

BE

=1.5V

V

CE

=额定V

首席执行官

;R

BE

=100Ω

V

EB

= 5V ;我

C

=0

0.5

1.0

mA

1.1

1.3

V

1.5

V

CESAT

固电

I

CEV

I

CER

I

EBO

导½

半

2N5494

2N5496

2N5492

2N5490/5494

2N5496

集电极截止电流

发射极截止电流

IN

SEM

NG

HA

C

2N5490

2N5492

ND

ICO

器

UC

1.7

1.0

mA

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

20

100

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

0.8

兆赫

h

FE

直流电流增益

2N5494

2N5496

f

T

跃迁频率

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

标准

可选

功率晶体管

TO- 220 CASE

TO-220

型号

IC

(A)

最大

4.0

7.0

2N6040

2N6041

2N6042

10

16

2N6124

2N6125

2N6126

2N6132

2N6133

2N6134

2N6111

2N6109

2N6107

2N6666

2N6667

2N6668

2N6475

2N6476

2N6489

2N6490

2N6491

4.0

7.0

8.0

10

4.0

15

PD

(W)

36

50

75

40

50

40

65

40

75

BVCBO BVCEO

(V)

民

80

60

80

60

75

60

90

60

80

100

70

80

45

60

80

40

60

80

40

60

80

40

60

80

110

130

50

70

90

(V)

民

70

40

60

40

55

40

70

60

80

100

60

70

40

45

60

80

40

60

80

30

50

70

40

60

80

100

120

40

60

80

民

30

20

1,000

20

15

25

20

30

1,000

15

20

的hFE

最大

120

80

100

20,000

80

100

80

100

150

20,000

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

3.0

4.0

5.0

8.0

1.5

2.5

2.0

2.5

3.0

5.0

1.5

5.0

TO- 220FP全白

fT

（兆赫）

民

0.8

4.0

5.0

2.5

4.0

20

4.0

5.0

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

最大

1.0

2.0

2.5

0.6

1.4

1.8

3.5

2.0

1.2

1.3

(A)

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

35

4.0

3.0

10

16

1.5

7.0

3.0

5.0

1.5

5.0

NPN

2N5294

2N5296

2N5298

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N6043

2N6044

2N6045

2N6099

2N6101

2N6103

2N6121

2N6122

2N6123

2N6129

2N6130

2N6131

2N6288

2N6290

2N6292

2N6386

2N6387

2N6388

2N6473

2N6474

2N6486

2N6487

2N6488

PNP

92

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

可在TO- 220FP全乐要求。

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

描述

·带

的TO-220封装

高

功耗

应用

For

在中等功率和使用

扩增fi er应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N5490/5494

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5492

2N5496

2N5490/5494

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5492

2N5496

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

60

75

90

40

55

70

5

7

3

50

150

-65~150

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

2.5

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5490/5494

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

sustioning电压

2N5492

2N5496

2N5490

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5492

2N5494

2N5496

2N5490

2N5492

V

BE

基射极电压上

2N5494

2N5496

2N5492

I

CEV

集电极截止电流

2N5490/5494

2N5496

I

CER

I

EBO

集电极截止电流

发射极截止电流

2N5490

2N5492

h

FE

直流电流增益

2N5494

2N5496

f

T

跃迁频率

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

条件

民

40

典型值。

最大

单位

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

55

70

V

I

C

=2.0A;I

B

=0.2A

I

C

=2.5A;I

B

=0.25A

1.0

I

C

=3.0A;I

B

=0.3A

I

C

=3.5A;I

B

=0.35A

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

V

CE

=70V;V

BE

=1.5V

V

CE

=55V;V

BE

=1.5V

V

CE

=85V;V

BE

=1.5V

V

CE

=额定V

首席执行官

;R

BE

=100Ω

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 2.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 2.5A ; V

CE

=4V

20

I

C

= 3.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 3.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

0.8

兆赫

100

0.5

1.0

mA

1.0

mA

1.1

1.3

V

1.5

1.7

V

CESAT

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

标准

可选

功率晶体管

TO- 220 CASE

TO-220

型号

IC

(A)

最大

4.0

7.0

2N6040

2N6041

2N6042

10

16

2N6124

2N6125

2N6126

2N6132

2N6133

2N6134

2N6111

2N6109

2N6107

2N6666

2N6667

2N6668

2N6475

2N6476

2N6489

2N6490

2N6491

4.0

7.0

8.0

10

4.0

15

PD

(W)

36

50

75

40

50

40

65

40

75

BVCBO BVCEO

(V)

民

80

60

80

60

75

60

90

60

80

100

70

80

45

60

80

40

60

80

40

60

80

40

60

80

110

130

50

70

90

(V)

民

70

40

60

40

55

40

70

60

80

100

60

70

40

45

60

80

40

60

80

30

50

70

40

60

80

100

120

40

60

80

民

30

20

1,000

20

15

25

20

30

1,000

15

20

的hFE

最大

120

80

100

20,000

80

100

80

100

150

20,000

150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

3.0

4.0

5.0

8.0

1.5

2.5

2.0

2.5

3.0

5.0

1.5

5.0

TO- 220FP全白

fT

（兆赫）

民

0.8

4.0

5.0

2.5

4.0

20

4.0

5.0

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

(V)

最大

1.0

2.0

2.5

0.6

1.4

1.8

3.5

2.0

1.2

1.3

(A)

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

35

4.0

3.0

10

16

1.5

7.0

3.0

5.0

1.5

5.0

NPN

2N5294

2N5296

2N5298

2N5490

2N5492

2N5494

2N5496

2N6043

2N6044

2N6045

2N6099

2N6101

2N6103

2N6121

2N6122

2N6123

2N6129

2N6130

2N6131

2N6288

2N6290

2N6292

2N6386

2N6387

2N6388

2N6473

2N6474

2N6486

2N6487

2N6488

PNP

92

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

阴影部分表示达林顿。

可在TO- 220FP全乐要求。