结场效应晶体管*
（续）
低频/低噪声
N沟道
例
型号
政府飞行服务队
高斯
（ mmho ） （ μmho ）
民
最大
1.0
2.0
2.5
0.6
0.8
1.3
2.0
1.0
1.5
2.0
--
--
1.5
1.0
0.5
1.0
2.0
1.0
10
20
40
5.0
15
30
60
50
50
50
--
--
25
10
5.0
50
50
50
西塞
（PF ）
最大
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
CRSS
（PF ）
最大
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.2
1.2
1.2
3.0
3.0
3.0
V（ BR ） GSS
(V)
民
30
30
30
50
50
50
50
25
25
25
30
30
50
50
50
30
30
30
TO-18
VGS （关闭）
民
--
--
--
0.3
0.6
1.0
2.0
0.5
1.0
2.0
0.2
0.8
1.0
0.6
0.3
--
--
--
最大
4.0
6.0
8.0
1.0
1.8
3.0
6.0
6.0
7.0
8.0
4.0
5.0
3.5
2.0
1.2
4.0
6.0
10
民
0.5
2.0
5.0
0.2
0.5
1.2
3.0
1.0
2.0
4.0
0.5
2.0
1.0
0.4
0.1
0.5
4.0
0.5
TO-72
IDSS
最大
3.0
6.0
15.0
0.6
1.5
3.6
9.0
5.0
9.0
16
2.5
5.0
3.0
1.2
0.5
5.0
10
5.0
TO-92
针
OUT
SDGC
SDGC
SDGC
SDG
SDG
SDG
SDG
DSG
DSG
DSG
SDGC
SDGC
DSG
DSG
DSG
DSG
DSG
DSG
TO-72
TO-72
TO-72
TO-18
TO-18
TO-18
TO-18
TO-92
TO-92
TO-92
TO-72
TO-72
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
2N4220
2N4221
2N4222
2N4338
2N4339
2N4340
2N4341
2N5457
2N5458
2N5459
2N5556
2N5557
PN3685
PN3686
PN3687
PN4302
PN4303
PN4304
P沟道
TO-18
TO-18
TO-92
TO-18
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
2N2608
2N2609
2N3820
2N5020
2N5460
2N5461
2N5462
PN4360
1.0
2.5
0.8
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
--
--
200
20
75
75
75
100
17
30
32
25
7.0
7.0
7.0
20
--
--
16
7.0
2.0
2.0
2.0
5.0
30
30
20
25
40
40
40
20
1.0
1.0
--
0.3
0.75
1.0
1.8
0.4
4.0
4.0
8.0
1.5
6.0
7.5
9.0
10
0.9
2.0
0.3
0.3
1.0
2.0
4.0
3.0
4.5
10
15
1.2
5.0
9.0
16
30
SGD
SGD
DGS
SGD
DSG
DSG
DSG
DSG
100
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
2N5460, 2N5461, 2N5462
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅 - 源击穿电压
(I
G
= 10
MADC ，
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0)
(V
GS
= 30伏直流电，V
DS
= 0)
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
(V
GS
= 30伏直流电，V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
栅 - 源截止电压
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 1.0
MADC ）
栅 - 源电压
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 0.1 MADC ）
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 0.2 MADC ）
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 0.4 MADC ）
基本特征
零-Gate - 电压漏电流
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 kHz）的
小信号特性
正向转移导纳
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 kHz）的
输出导纳（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 kHz）的
输入电容（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
功能特点
相当于短路输入噪声电压
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 100Hz时， BW = 1.0赫兹）
e
n
60
115
nV
Hz
2N5460
2N5461
2N5462
y
fs
1000
1500
2000
5.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
毫姆欧
2N5460
2N5461
2N5462
I
DSS
1.0
2.0
4.0
5.0
9.0
16
MADC
V
（ BR ） GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
I
GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
V
GS （ OFF ）
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
NADC
MADC
VDC
40
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
VDC
y
os
C
国际空间站
C
RSS
毫姆欧
pF
pF
订购信息
设备
2N5460
2N5460G
2N5461
2N5461G
2N5461RLRA
2N5461RLRAG
2N5462
2N5462G
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
1000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
1000单位/箱
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
2N5460, 2N5461, 2N5462
包装尺寸
TO92
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格7 ：
PIN 1.源
2.漏
3.门
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
2N5460/D
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
P沟道JFET的
2N5460
2N5461
2N5462
产品概述
产品型号
2N/SST5460
2N/SST5461
2N/SST5462
SST5460
SST5461
SST5462
V
GS （ OFF ）
(V)
0.75至6
1到7.5
1.8 9
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
40
40
40
g
fs
MIN（ ms）的
1
1.5
2
I
DSS
敏（毫安）
–1
–2
–4
特点
D
D
D
D
高输入阻抗
非常低噪声
高增益：一个
V
= 80 @ 20
mA
低电容： 1.2 pF的典型
好处
D
信号损失/系统错误
D
高灵敏度系统
D
高品质的低电平信号
放大器阳离子
应用
D
低电流，低电压放大器
D
高侧开关
D
超高输入阻抗
前置放大器
描述
在2N / SST5460系列P沟道JFET的设计
提供广泛的放大器的全能表现
和模拟开关应用。
2N个系列，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST系列，TO- 236
（ SOT - 23 ） ，塑料包装提供了低成本的选择，并且是
在带与卷筒的自动组装功能， （见
包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
1
2N5460
2N5461
2N5462
D
1
TO-236
(SOT-23)
SST5460 （ B0 ） *
SST5461 （B1） *
SST5462 （B2） *
*标识代码为TO- 236
S
D
2
3
S
2
G
G
3
顶视图
顶视图
绝对最大额定值
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
www.vishay.com
9-1
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N/SST5460
2N/SST5461
2N/SST5462
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
符号
测试条件
典型值
a
MIN MAX MIN
最大最小
最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
I
G
= 10
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= –1
mA
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= -20 V，I
D
= -0.1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
I
D
= -0.1毫安
55
40
0.75
–1
6
–5
5
1
40
1
–2
7.5
–9
5
1
40
V
1.8
–4
9
–16
5
1
mA
nA
mA
pA
0.003
0.0003
3
–5
1.3
2.3
3.8
–0.7
0.5
4
0.8
4.5
1.5
6
V
栅源电压
V
GS
V
DS
= –15 V
I
D
= -0.2毫安
I
D
= -0.4毫安
栅极 - 源
正向电压
V
GS （ F）
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
反向传输
电容
共源
反向传输
电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1
4
75
2N
C
国际空间站
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
2N
C
OSS
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹，R
G
= 1兆瓦
W
BW = 1赫兹
SST
2N
SST
2N
SST
SST
4.5
4.5
1.2
1.5
1.5
15
15
0.2
0.2
PSCIB
2.5
2.5
2.5
dB
115
115
115
nV/
√Hz的
√
2
2
2
pF
7
1.5
5
75
7
2
6
75
7
mS
mS
C
RSS
e
n
噪声系数
NF
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
www.vishay.com
9-2
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
–20
5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
g
fs
- 正向跨导（MS ）
1000
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
克骨质输出电导（
m
S)
–16
g
fs
–12
I
DSS
–8
800
80
600
r
DS
400
g
os
60
2.5
40
–4
g
fs
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
0
0
2
4
6
8
10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
200
r
DS
@ I
D
= -100毫安，V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
0
2
4
6
8
10
20
0
0
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
输出特性
–2
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
–10
V
GS
= 0 V
0.2 V
I D - 漏电流（mA ）
–8
输出特性
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–1.6
I D - 漏电流（mA ）
–1.2
0.4 V
–6
V
GS
= 0 V
0.5 V
1.0 V
–0.8
0.6 V
0.8 V
–4
–0.4
1.0 V
–2
1.5 V
2.0 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
DS
- 漏源电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
–0.5
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
–0.4
I D - 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
0.2 V
0.4 V
0.6 V
I D - 漏电流（mA ）
–1.6
–2
输出特性
V
GS （ OFF ）
= 3 V
0.5 V
1.0 V
–1.2
1.5 V
–0.8
2.0 V
–0.4
1.2 V
2.5 V
0
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1
V
GS
= 0 V
0.8 V
–0.3
–0.2
1.0 V
–0.1
0
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
www.vishay.com
9-3
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
–5
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
–4
I D - 漏电流（mA ）
I D - 漏电流（mA ）
V
DS
= –15 V
–8
–10
V
GS （ OFF ）
= 3 V
V
DS
= –15 V
传输特性
–3
–6
T
A
= –55_C
–2
T
A
= –55_C
25_C
–4
25_C
–1
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–2
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1000
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
800
I G - 栅极漏
1 nA的
10 nA的
栅极漏电流
± 5毫安
T
A
= 125_C
600
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
= 1毫安
3V
400
4V
200
10 P A
T
A
= 25_C
1 pA的
± 5毫安
-0.1毫安
I
GSS
@ 25_C
0
–0.1
0.1帕
–1
I
D
- 漏电流（mA ）
–10
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
跨导与栅源电压
5
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
4
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
5
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= 3 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
4
T
A
= –55_C
3
25_C
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
3
T
A
= –55_C
2
25_C
2
125_C
1
1
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
9-4
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
电路的电压增益与漏电流
100
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
10
V
GS （ OFF ）
= 3 V
80
A V - 电压增益
g
fs
- 正向跨导（ μS ）
共源正向跨导
与漏电流
T
A
= –55_C
1
125_C
60
V
GS （ OFF ）
= 3 V
25_C
40
20
0
假设V
DD
= –15 V, V
DS
= –5 V
g
fs
R
L
10 V
A
V
+
R
L
+
I
D
1
)
R
L
g
os
–0.01
–0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
–1
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
0.1
–0.1
–1
I
D
- 漏电流（mA ）
–10
共源输入电容
与栅源电压
10
RSS - 逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
ISS - 输入电容（pF ）
8
共源逆向反馈电容
与栅源电压
5
F = 1 MHz的
6
2.5
4
–5 V
2
–5 V
–15 V
0
–15 V
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
等效输入噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= –15 V
g
os
- 输出电导（ μS ）
16
20
输出电导与漏极电流
V
GS （ OFF ）
= 3 V
Hz
T
A
= –55_C
12
25_C
8
125_C
4
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
恩 - 噪声电压内华达州/
I
D
= -0.1毫安
10
I
D
= -1毫安
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
0
–0.1
–1
I
D
- 漏电流（mA ）
–10
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
www.vishay.com
9-5
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
P沟道JFET的
2N5460
2N5461
2N5462
产品概述
产品型号
2N/SST5460
2N/SST5461
2N/SST5462
SST5460
SST5461
SST5462
V
GS （ OFF ）
(V)
0.75至6
1到7.5
1.8 9
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
40
40
40
g
fs
MIN（ ms）的
1
1.5
2
I
DSS
敏（毫安）
–1
–2
–4
特点
D
D
D
D
高输入阻抗
非常低噪声
高增益：一个
V
= 80 @ 20
mA
低电容： 1.2 pF的典型
好处
D
信号损失/系统错误
D
高灵敏度系统
D
高品质的低电平信号
放大器阳离子
应用
D
低电流，低电压放大器
D
高侧开关
D
超高输入阻抗
前置放大器
描述
在2N / SST5460系列P沟道JFET的设计
提供广泛的放大器的全能表现
和模拟开关应用。
2N个系列，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST系列，TO- 236
（ SOT - 23 ） ，塑料包装提供了低成本的选择，并且是
在带与卷筒的自动组装功能， （见
包装信息） 。
TO-226AA
(TO-92)
1
2N5460
2N5461
2N5462
D
1
TO-236
(SOT-23)
SST5460 （ B0 ） *
SST5461 （B1） *
SST5462 （B2） *
*标识代码为TO- 236
S
D
2
3
S
2
G
G
3
顶视图
顶视图
绝对最大额定值
栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
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9-1
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N/SST5460
2N/SST5461
2N/SST5462
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
排水截止电流
符号
测试条件
典型值
a
MIN MAX MIN
最大最小
最大单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
I
G
= 10
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= -15 V，I
D
= –1
mA
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 100_C
V
DG
= -20 V，I
D
= -0.1毫安
V
DS
= –15 V, V
GS
= 10 V
I
D
= -0.1毫安
55
40
0.75
–1
6
–5
5
1
40
1
–2
7.5
–9
5
1
40
V
1.8
–4
9
–16
5
1
mA
nA
mA
pA
0.003
0.0003
3
–5
1.3
2.3
3.8
–0.7
0.5
4
0.8
4.5
1.5
6
V
栅源电压
V
GS
V
DS
= –15 V
I
D
= -0.2毫安
I
D
= -0.4毫安
栅极 - 源
正向电压
V
GS （ F）
I
G
= -1毫安，V
DS
= 0 V
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
共源
反向传输
电容
共源
反向传输
电容
共源
输出电容
等效输入
噪声电压
g
fs
g
os
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
1
4
75
2N
C
国际空间站
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
2N
C
OSS
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 100赫兹，R
G
= 1兆瓦
W
BW = 1赫兹
SST
2N
SST
2N
SST
SST
4.5
4.5
1.2
1.5
1.5
15
15
0.2
0.2
PSCIB
2.5
2.5
2.5
dB
115
115
115
nV/
√Hz的
√
2
2
2
pF
7
1.5
5
75
7
2
6
75
7
mS
mS
C
RSS
e
n
噪声系数
NF
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
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9-2
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
–20
5
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
g
fs
- 正向跨导（MS ）
1000
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
100
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
克骨质输出电导（
m
S)
–16
g
fs
–12
I
DSS
–8
800
80
600
r
DS
400
g
os
60
2.5
40
–4
g
fs
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
0
0
2
4
6
8
10
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
200
r
DS
@ I
D
= -100毫安，V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
0
2
4
6
8
10
20
0
0
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
0
输出特性
–2
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
–10
V
GS
= 0 V
0.2 V
I D - 漏电流（mA ）
–8
输出特性
V
GS （ OFF ）
= 3 V
–1.6
I D - 漏电流（mA ）
–1.2
0.4 V
–6
V
GS
= 0 V
0.5 V
1.0 V
–0.8
0.6 V
0.8 V
–4
–0.4
1.0 V
–2
1.5 V
2.0 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
DS
- 漏源电压（ V）
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
–0.5
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
–0.4
I D - 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
0.2 V
0.4 V
0.6 V
I D - 漏电流（mA ）
–1.6
–2
输出特性
V
GS （ OFF ）
= 3 V
0.5 V
1.0 V
–1.2
1.5 V
–0.8
2.0 V
–0.4
1.2 V
2.5 V
0
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1
V
GS
= 0 V
0.8 V
–0.3
–0.2
1.0 V
–0.1
0
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
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S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
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9-3
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
–5
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
–4
I D - 漏电流（mA ）
I D - 漏电流（mA ）
V
DS
= –15 V
–8
–10
V
GS （ OFF ）
= 3 V
V
DS
= –15 V
传输特性
–3
–6
T
A
= –55_C
–2
T
A
= –55_C
25_C
–4
25_C
–1
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–2
125_C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
1000
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
T
A
= 25_C
800
I G - 栅极漏
1 nA的
10 nA的
栅极漏电流
± 5毫安
T
A
= 125_C
600
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
= 1毫安
3V
400
4V
200
10 P A
T
A
= 25_C
1 pA的
± 5毫安
-0.1毫安
I
GSS
@ 25_C
0
–0.1
0.1帕
–1
I
D
- 漏电流（mA ）
–10
0
–10
–20
–30
–40
–50
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
跨导与栅源电压
5
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
4
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
5
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= 3 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
4
T
A
= –55_C
3
25_C
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
3
T
A
= –55_C
2
25_C
2
125_C
1
1
125_C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
9-4
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
2N / SST5460系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
电路的电压增益与漏电流
100
V
GS （ OFF ）
= 1.5 V
10
V
GS （ OFF ）
= 3 V
80
A V - 电压增益
g
fs
- 正向跨导（ μS ）
共源正向跨导
与漏电流
T
A
= –55_C
1
125_C
60
V
GS （ OFF ）
= 3 V
25_C
40
20
0
假设V
DD
= –15 V, V
DS
= –5 V
g
fs
R
L
10 V
A
V
+
R
L
+
I
D
1
)
R
L
g
os
–0.01
–0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
–1
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
0.1
–0.1
–1
I
D
- 漏电流（mA ）
–10
共源输入电容
与栅源电压
10
RSS - 逆向反馈电容（pF ）
F = 1 MHz的
ISS - 输入电容（pF ）
8
共源逆向反馈电容
与栅源电压
5
F = 1 MHz的
6
2.5
4
–5 V
2
–5 V
–15 V
0
–15 V
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
等效输入噪声电压与频率的关系
100
V
DS
= –15 V
g
os
- 输出电导（ μS ）
16
20
输出电导与漏极电流
V
GS （ OFF ）
= 3 V
Hz
T
A
= –55_C
12
25_C
8
125_C
4
V
DS
= –15 V
F = 1千赫
恩 - 噪声电压内华达州/
I
D
= -0.1毫安
10
I
D
= -1毫安
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
0
–0.1
–1
I
D
- 漏电流（mA ）
–10
文档编号： 70262
S- 04030 -REV 。 D， 04军， 01
www.vishay.com
9-5
ON Semiconductort
2漏
JFET放大器
P沟道 - 耗尽
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
结温范围
存储通道温度范围
符号
VDG
VGSR
IG （ F）
PD
TJ
TSTG
3
门
1来源
2N5460
2N5461
2N5462
价值
40
40
10
350
2.8
-65到+135
-65到+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
CASE 29-11 ，风格7
TO-92 （TO- 226AA ）
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
（ IG = 10
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = 30伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
（ VGS = 30伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
门源截止电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.0
μAdc ）
栅源电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.1 MADC ）
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.2 MADC ）
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.4 MADC ）
V（ BR ） GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
IGSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
VGS （关闭）
—
—
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
NADC
μAdc
VDC
40
—
—
VDC
VGS
VDC
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年11月 - 第3版
出版订单号：
2N5460/D
2N5460 2N5461 2N5462
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
零栅极电压漏电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
2N5460
2N5461
2N5462
IDSS
–1.0
–2.0
–4.0
—
—
—
–5.0
–9.0
–16
MADC
小信号特性
正向转移导纳
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
2N5460
2N5461
2N5462
y
fs
1000
1500
2000
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
毫姆欧
输出导纳（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
输入电容（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
y
os
西塞
CRSS
en
毫姆欧
pF
pF
功能特点
相当于短路输入噪声电压
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 100赫兹，BW = 1.0赫兹）
—
60
115
nV
Hz
图1 。
http://onsemi.com
2
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N5460 / D
JFET放大器
P沟道 - 耗尽
3
门
2漏
2N5460
THRU
2N5462
1来源
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅 - 源电压
正向栅电流
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
结温范围
存储通道温度范围
符号
VDG
VGSR
IG （ F）
PD
TJ
TSTG
价值
40
40
10
350
2.8
- 65 135
- 65 + 150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格7
TO-92 （TO- 226AA ）
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
门 - 源极击穿电压
（ IG = 10
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = 30伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
（ VGS = 30伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
门 - 源截止电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.0
μAdc ）
栅 - 源电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.1 MADC ）
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.2 MADC ）
（ VDS = 15 VDC ， ID = 0.4 MADC ）
V（ BR ） GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
IGSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
VGS （关闭）
—
—
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
NADC
μAdc
VDC
40
—
—
VDC
VGS
VDC
基本特征
零 - 门 - 电压漏极电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
2N5460
2N5461
2N5462
IDSS
– 1.0
– 2.0
– 4.0
—
—
—
– 5.0
– 9.0
– 16
MADC
小信号特性
正向转移导纳
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
2N5460
2N5461
2N5462
y
fs
1000
1500
2000
—
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
m
姆欧
输出导纳（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
输入电容（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
y
os
西塞
CRSS
NF
en
m
姆欧
pF
pF
功能特点
噪声系数
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， RG = 1.0兆欧， F = 100赫兹，BW = 1.0赫兹）
相当于短路输入噪声电压
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 100赫兹，BW = 1.0赫兹）
—
—
1.0
60
2.5
115
dB
nV
Hz
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
2N5460 2N5462直通
OSS ，输出电阻（千欧）
1000
700
500
300
200
IDSS = 3.0毫安
100
70
50
30
20
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
ID ，漏极电流（毫安）
5.0
10
6.0毫安
10毫安
10
VDS = 15 V
F = 1.0千赫
C，电容（pF ）
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
科斯
CRSS
10
20
30
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
40
西塞
F = 1.0 MHz的
VGS = 0
图7.输出电阻
与漏极电流
图8.电容与
漏源电压
5.0
VDS = 15 V
VGS = 0
RG = 1.0兆欧
10
9.0
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
VDS = 15 V
VGS = 0
F = 100赫兹
NF ，噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
1.0
0
10
20 30 50
100 200 300 500 1000 2000 3000
男，频率（Hz ）
10,000
0
1.0
10
100
1000
RS ，源电阻（千欧）
10,000
图9.噪声系数与频率
图10.噪声系数与
源电阻
vi
CRSS
西塞
罗斯
科斯
| YFS | VI
常见的来源
当频率y参数
30 MHz以下
彝族= jω西塞
YOS = jω COSP * + 1 /罗斯
YFS = YFS |
年= -jω的Crss
* COSP是科斯与连供的CRS串联组合并联。
注意：
1.图形数据被提交DC条件。表格式的
数据给出了脉冲条件（脉冲宽度= 630毫秒，
占空比= 10 ％） 。
图11.等效低频电路
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
2N5460 2N5462直通
包装尺寸
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格7 ：
PIN 1.源
2.漏
3.门
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 81-3-3521-8315
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
互联网：
http://motorola.com/sps
4
2N5460/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
2N5460 / 2N5461 / 2N5462 / MMBF5460 / MMBF5461
分立功率&信号
技术
2N5460
2N5461
2N5462
MMBF5460
MMBF5461
G
D
G
S
TO-92
D
SOT-23
马克： 6E / 61U
S
P沟道通用放大器
该设备的设计主要是针对低级别的音频和一般
目的应用高阻抗的信号源。来源
从过程89 。
绝对最大额定值*
-
TA = 25° C除非另有说明
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
参数
价值
- 40
40
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N5460
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBF5460
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
2N5460 / 2N5461 / 2N5462 / MMBF5460 / MMBF5461
P沟道通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= 10
A,
V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0, T
A
= 100°C
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.0
A
2N5460
2N5461
2N5462
V
DS
= 15 V，I
D
- 0.1毫安
2N5460
V
DS
= 15 V，I
D
- 0.2毫安
2N5461
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.4毫安
2N5462
40
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
V
nA
A
V
V
V
V
V
V
V
GS
栅源电压
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0
2N5460
2N5461
2N5462
- 1.0
- 2.0
- 4.0
- 5.0
- 9.0
- 16
mA
mA
mA
小信号特性
g
fs
正向传输导
V
DS
= 15, V
GS
= 0中，f = 1.0千赫
2N5460
2N5461
2N5462
V
DS
= 15, V
GS
= 0中，f = 1.0千赫
V
DS
= 15, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
V
DS
= 15, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0,
R
G
= 1.0兆欧， F = 100赫兹，
BW = 1.0赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0中，f = 100Hz时，
BW = 1.0赫兹
1000
1500
2000
5.0
1.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
2.5
μmhos
μmhos
μmhos
μmhos
pF
pF
dB
g
os
C
国际空间站
C
RSS
NF
输出电导
输入电容
反向传输电容
噪声系数
e
n
相当于短路输入
噪声电压
60
115
内华达州/
Hz
*
脉冲测试：脉冲宽度
300毫秒，占空比
2%
2N5460 / 2N5461 / 2N5462 / MMBF5460 / MMBF5461
P沟道通用放大器
（续）
典型特征
（续）
传输特性
转让Charactersitics
常见的漏源
参数相互作用
漏电流与电压
通道电阻与
温度
2N5460 / 2N5461 / 2N5462 / MMBF5460 / MMBF5461
P沟道通用放大器
（续）
典型特征
（续）
输出电导与
漏电流
跨导主场迎战
漏电流
噪声电压与频率的关系
电容 - 电压
TO- 92卷带式数据和包装尺寸
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
1999年9月，修订版A
2N5460 /五千四百六十二分之五千四百六十一/ MMBF5460 / MMBF5461 / MMBF5462
2N5460
2N5461
2N5462
MMBF5460
MMBF5461
MMBF5462
G
S
G
S
TO-92
D
SOT-23
马克： 6E / 61U / 61V
D
注：资料来源&漏
可互换
P沟道通用放大器
该设备的设计主要是针对低级别的音频和一般
目的应用高阻抗的信号源。来源
从过程89 。
绝对最大额定值*
-
TA = 25° C除非另有说明
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
参数
价值
- 40
40
10
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N5460-5462
350
2.8
125
357
最大
*MMBF5460-5462
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
2N5460 /五千四百六十二分之五千四百六十一/ MMBF5460 /五千四百六十二分之五千四百六十一，版本A
2N5460 /五千四百六十二分之五千四百六十一/ MMBF5460 / MMBF5461 / MMBF5462
P沟道通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= 10
A，V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0, T
A
= 100
°
C
5460
V
DS
= 15 V，I
D
= 1.0
A
5461
5462
5460
V
DS
= 15 V，I
D
- 0.1毫安
5461
V
DS
= 15 V，I
D
- 0.2毫安
5462
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.4毫安
40
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
V
nA
A
V
V
V
V
V
V
V
GS
栅源电压
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0
5460
5461
5462
- 1.0
- 2.0
- 4.0
- 5.0
- 9.0
- 16
mA
mA
mA
小信号特性
g
fs
正向传输导
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0中，f = 1.0千赫
5460
5461
5462
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0中，f = 1.0千赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0,
R
G
= 1.0兆欧， F = 100赫兹，
BW = 1.0赫兹
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0中，f = 100Hz时，
BW = 1.0赫兹
1000
1500
2000
5.0
1.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
2.5
姆欧
姆欧
姆欧
姆欧
pF
pF
dB
g
os
C
国际空间站
C
RSS
NF
输出电导
输入电容
反向传输电容
噪声系数
e
n
相当于短路输入
噪声电压
60
115
内华达州/
√
Hz
5
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%
2N5460 /五千四百六十二分之五千四百六十一/ MMBF5460 / MMBF5461 / MMBF5462
P沟道通用放大器
（续）
典型特征
（续）
传输特性
转让Charactersitics
常见的漏源
参数相互作用
漏电流与电压
通道电阻与
温度
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P沟道通用放大器
（续）
典型特征
（续）
输出电导与
漏电流
跨导主场迎战
漏电流
噪声电压与频率的关系
电容 - 电压
5
功耗对比
环境温度
P
D
- 功耗（MW ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
温度（
C)
125
150
TO-92
SOT-23
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H2牧师
QQ：2880707522 复制
