技术参数
PNP小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 485分之19500
器件
2N5415
2N5415S
2N5416
2N5416S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= +25
0
C
@ T
C
= +25
0
C
工作&存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
2N5415
200
200
2N5416
300
350
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
6.0
1.0
0.75
10
-65到+200
马克斯。
17.5
TO- 5 *
2N5415, 2N5416
热特性
特征
符号
热阻，结到外壳
R
θ
JC
0
0
1 ）减额线性4.28毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
2 ）线性降额57.1毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
0
2N5415S ， 2N5416S
TO-39*
(TO-205AD)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 150伏
V
CE
= 200伏
V
CE
= 250 VDC
V
CE
= 300伏
发射基截止电流
V
EB
= 6.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 200伏，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 300伏，V
BE
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 175伏
V
CB
= 280伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200伏
V
CB
= 350伏
2N5415
2N5415
2N5416
2N5416
50
1.0
50
1.0
20
50
50
50
50
500
500
μAdc
MADC
μAdc
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
I
首席执行官
I
EBO
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
I
CEX
I
CBO1
I
CBO2
μAdc
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N5415 ， 2N5416 JAN ，系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC
基射极电压
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
前锋
30
15
120
2.0
1.5
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路的幅度
电流传输比
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 5.0 MHz的
正向电流传输比
I
C
= 5.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 5.0伏，我
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
C
IBO
3.0
25
15
15
75
pF
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 200伏，我
C
= 50 MADC ，我
B1
= 5.0 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 200伏，我
C
= 50 MADC ，我
B1
= I
B2
= 5.0 MADC
t
on
1.0
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
℃; 1周期; T = 0.4秒
测试1
V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 ADC
测试2
V
CE
= 100伏，我
C
= 100 MADC
测试3
V
CE
= 200伏，我
C
= 24 MADC
2N5415
测试4
V
CE
= 300伏，我
C
= 10 MADC
2N5416
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
技术参数
PNP小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 485分之19500
器件
2N5415
2N5415S
2N5416
2N5416S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= +25
0
C
@ T
C
= +25
0
C
工作&存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
2N5415
200
200
2N5416
300
350
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
6.0
1.0
0.75
10
-65到+200
马克斯。
17.5
TO- 5 *
2N5415, 2N5416
热特性
特征
符号
热阻，结到外壳
R
θ
JC
0
0
1 ）减额线性4.28毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
2 ）线性降额57.1毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
0
2N5415S ， 2N5416S
TO-39*
(TO-205AD)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 150伏
V
CE
= 200伏
V
CE
= 250 VDC
V
CE
= 300伏
发射基截止电流
V
EB
= 6.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 200伏，V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 300伏，V
BE
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 175伏
V
CB
= 280伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200伏
V
CB
= 350伏
2N5415
2N5415
2N5416
2N5416
50
1.0
50
1.0
20
50
50
50
50
500
500
μAdc
MADC
μAdc
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
I
首席执行官
I
EBO
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
I
CEX
I
CBO1
I
CBO2
μAdc
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N5415 ， 2N5416 JAN ，系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC
基射极电压
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
前锋
30
15
120
2.0
1.5
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路的幅度
电流传输比
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 5.0 MHz的
正向电流传输比
I
C
= 5.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 5.0伏，我
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
C
IBO
3.0
25
15
15
75
pF
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 200伏，我
C
= 50 MADC ，我
B1
= 5.0 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 200伏，我
C
= 50 MADC ，我
B1
= I
B2
= 5.0 MADC
t
on
1.0
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
℃; 1周期; T = 0.4秒
测试1
V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 ADC
测试2
V
CE
= 100伏，我
C
= 100 MADC
测试3
V
CE
= 200伏，我
C
= 24 MADC
2N5415
测试4
V
CE
= 300伏，我
C
= 10 MADC
2N5416
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
2N5415
2N5416
硅PNP晶体管
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
PNP晶体管
描述
该2N5415 ， 2N5416是高压硅
外延平面PNP晶体管JEDEC的TO -39
金属壳体设计用于在消费者的使用和
工业线供电的应用。
这些设备特别适合作为驱动
高电压低电流逆变器，开关和
系列稳压器。
TO-39
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
参数
2N5415
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
c
≤
25
o
C
总功耗在T
AMB
≤
50
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
-200
-200
-4
-1
-0.5
10
1
-65 200
200
价值
2N5416
-350
-300
-6
V
V
V
A
A
W
W
o
o
单位
C
C
1997年6月
1/4
2N5415 / 2N5416
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
2N5415 / 2N5416
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2000意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
4/4
2N5415 / 2N5416
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2000意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
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4/4
小信号晶体管
TO- 39案例（续）
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @
(A)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
民
4.0
4.0
7.0
6.5
5.0
5.0
7.0
6.0
3.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.0
5.0
7.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
3.5
1.00
1.00
0.01
0.01
100**
100**
0.05
0.05
5.00***
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
0.50
1.00**
100
100
100
100
10**
5.00
5.00
10
10
10
10
50
50
1.00
1.00
1.00
1.00
10***
10***
10***
150
150
60
50
30
20
100
100
35
60
60
60
60
60
60
60
60
30
30
100
75
100
75
90
60
80
80
80
100
100
175
280
100
120
100
120
75
60
45
民
20
20
100
100
25
40
35
30
40
30
30
70
70
30
70
30
70
35
35
30
40
30
40
30
30
30
30
60
30
60
30
30
40
40
40
40
20
20
20
最大
200
200
300
300
100
100
150
150
120
90
90
200
200
90
200
90
200
--
--
130
250
130
250
120
150
150
120
240
120
240
150
120
150
150
150
150
100
100
100
10
10
150
150
500
500
30
30
50
1,000
1,000
1,000
1,000
2,500
2,500
2,500
2,500
500
100
500
500
500
500
1,000
1,000
1,000
2,000
2,000
2,000
2,000
50
50
250
250
250
250
1,000
1,200
1,600
10
10
10
10
1.0
1.0
25
25
15
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
10
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大
5.00
5.00
0.25
0.50
0.80
0.70
1.00
1.00
0.50
0.85
5.00
0.85
5.00
0.75
0.75
0.75
0.75
1.00
0.80
0.50
0.80
0.70
1.20
1.00
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
2.50
2.50
1.00
1.00
1.00
1.00
0.50
0.75
1.00
10
10
150
500
1.0
1.0
30
30
100
2,000
3,000
2,000
3,000
2,500
2,500
2,500
2,500
1.0
1,000
500
500
500
500
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
50
50
500
500
500
500
1,000
1,200
1,600
VCB
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT
（MA ）
(V)
(V)
（毫安） （兆赫）
* TYP
COB
（PF ）
* TYP
吨
（纳秒）
* TYP
花花公子
（纳秒）
* TYP
NF
（ dB）的
* TYP
民
2N4930
2N4931
2N4943
2N4960
2N5022
2N5023
2N5058
2N5059
2N5109
2N5147
2N5148
2N5149
2N5150
2N5151
2N5152
2N5153
2N5154
2N5189
2N5262
2N5320
2N5321
2N5322
2N5323
2N5333
2N5334
2N5335
2N5336
2N5337
2N5338
2N5339
2N5415
2N5416
2N5679
2N5680
2N5681
2N5682
2N5781
2N5782
2N5783
PNP高压
PNP高压
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
NPN高压
NPN高压
NPN高频
民
200
250
80
60
50
30
300
250
20
80
80
80
80
80
80
80
80
35
50
75
50
75
50
80
60
80
80
80
100
100
200
350
100
120
100
120
65
50
40
民
20
20
12
250
170
200
30
30
1,200
--
60
60
60
60
70
60
70
250
250
50
50
50
50
30
40
40
30
30
30
30
15
15
30
30
30
30
8.0
8.0
8.0
最大
20
20
--
15
25
25
10
10
3.5
--
70
70
70
250
250
250
250
12
12
--
--
--
--
--
75
75
250
250
250
250
25
25
50
50
50
50
--
--
--
最大
--
--
--
--
40
40
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
40
30
80
80
100
100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
90
90
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
60
800
800
1,000
1,000
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
--
--
--
--
3.0*
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
200
250
120
60
50
30
300
250
40
100
100
100
100
100
100
100
100
60
75
100
75
100
75
100
60
80
80
80
100
100
200
350
100
120
100
120
80
65
45
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN快速开关
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP高压
PNP高压
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
64
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
PNP 2N5415 - 2N5416
高电压晶体管
该2N5415和2N5416是PNP晶体管安装在TO- 39金属外壳。
它们被设计用于高压开关和线性放大器应用中使用。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
评级
集电极 - 发射极电压（I
b
= 0)
集电极 - 基极电压（I
e
= 0)
发射极 - 基极电压（I
c
= 0)
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
T
AMB
= 50°C
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
价值
-200
-300
-200
-350
-4
-6
-200
-400
-200
1
单位
V
V
V
mA
mA
mA
P
D
总功耗
T
例
= 25°C
W
10
200
-65到+200
-65到+150
°C
°C
°C
T
J
T
英镑
T
AMB
结温
存储温度范围
工作环境温度
热特性
符号
R
THJ -A
R
THJ -C
评级
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
价值
150
17.5
单位
° C / W
° C / W
半导体COMSET
1/3
PNP 2N5415 - 2N5416
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
c
C
e
评级
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极发射极
击穿电压
(*)
直流电流增益
(*)
集电极 - 发射极
饱和电压
(*)
基射极电压
(*)
测试条件（S ）
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
I
C
= -10毫安，我
B
=0
2N5416
I
C
= -50毫安
2N5415
V
CE
= -10 V
2N5416
2N5415
I
C
= -50毫安
I
B
= -5毫安
2N5416
2N5415
I
C
= -50毫安
V
CE
= -10 V
2N5416
2N5415
I
C
= -10毫安
V
CE
= -10 V ， F = 5 MHz的2N5416
I
E
= i
e
= 0, V
CB
= -10 V 2N5415
F = 1 MHz的
2N5416
2N5415
I
C
= i
c
= 0, V
EB
= -6 V
F = 1 MHz的
2N5416
V
CB
= -175 V，I
E
=0
V
CB
= -280 V，I
E
=0
V
EB
= -4 V，I
C
=0
V
EB
= -6 V，I
C
=0
民
-
-
-200
-300
30
30
-
-
15
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-50
-20
-
-
150
120
-2.5
-1.5
-
15
75
单位
A
A
V
-
V
V
兆赫
pF
pF
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
（ * ）脉冲条件： TP < 300
s, δ
=1.5%
21/09/2012
半导体COMSET
2/3
PNP 2N5415 - 2N5416
机械数据案例TO- 39
外形尺寸（mm ）
民
最大
9.39
8.50
6.60
0.53
0.88
2.66
5.33
0.86
1.02
-
48°
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
8.50
7.74
6.09
0.40
-
2.41
4.82
0.71
0.73
12.70
42°
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
辐射源
BASE
集热器
集热器
修订后的2012年8月
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21/09/2012
半导体COMSET
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3/3
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