添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第200页 > 2N5400_01
2N5400
2N5400
C
B
TO-92
E
PNP通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和开关要求高电压。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
120
130
5.0
600
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
2N5400
625
5.0
83.3
200
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2001年仙童半导体公司
2N5400 ,版本A
2N5400
PNP通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
CB
= 100 V,I
E
= 0, T
A
= 100
°C
V
EB
= 3.0 V,I
C
= 0
120
130
5.0
100
100
50
V
V
V
nA
A
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 50毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0毫安
30
40
40
180
0.2
0.5
1.0
1.0
V
V
V
V
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
C
ob
f
T
h
fe
NF
输出电容
电流增益 - 带宽积
小信号电流增益
噪声系数
V
CB
= 10 V , F = 1.0 MHz的
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 250
A,
R
S
= 1.0 k,
F = 10 Hz至15.7千赫
100
30
6.0
400
200
8.0
V
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%
2N5400
PNP通用放大器
(续)
典型特征
V
CESAT
- COLLE CTOR - 发射极电压(V )
h
FE
- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
200
V
CE
= 5V
150
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
100
25 °C
0.2
25 °C
125 °C
50
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流( A)
1
0
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
V
BE (O N)
- BASE -E米特电压( V)
V
BESAT
- 基地发射极VOLTAG E( V)
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
- 40 °C
25 °C
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
125 °C
0.6
125 °C
0.4
β
= 10
0.4
V
权证
= 5V
0.2
0.1
I
C
1
10
- 集电极电流(毫安)
100
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流( NA)
V
CB
= 10 0V
BV
CER
- 击穿电压( V)
100
集电极 - 发射极击穿
电压与电阻
发射基之间
220
210
10
1
200
190
0.1
180
25
50
75
100
125
T
A
- 上午bient TE MPE叉涂抹(
°
C)
150
170
0.1
1
10
100
1000
电阻(K
)
2N5400
PNP通用放大器
(续)
典型特征
(续)
输入和输出电容
VS反向电压
80
功耗与
环境温度
700
P
D
- 功耗(MW )
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
温度(
o
C)
125
150
SOT-23
TO-92
F = 1.0 MHz的
电容(pF)
60
40
C
eb
20
C
cb
0
0.1
1
10
100
V
R
- 反向偏置电压( V)
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration :
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT :
CBVK741B019
HTB : B
数量:
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID :
PN2222N
产品规格:
D / C1 :
D9842
SPEC REV :
QA REV :
B2
FSCINT
LABEL
( FSCINT )
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT : CBVK741B019
FSID : PN222N
D / C1 : D9842
D / C2 :
QTY1 :
QTY2 :
数量: 2000
产品规格:
SPEC REV :
CPN :
N / F: F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
( TO- 92 )批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直: PKG 92 ,
94 ( NON PROELECTRON
系列), 96
TO- 92标准
直: PKG 94
( PROELECTRON系列
BCXXX , BFXXX , BSRXXX )
97, 98
LEADCLIP
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月,修订版B1
查看更多2N5400_01PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N5400_01
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多2N5400_01供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!