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半导体
技术参数
一般工业用途。
高电压应用。
B
2N5400
外延平面PNP晶体管
C
高集电极电压Breakdwon
: V
CBO
=-130V, V
首席执行官
=-120V
低漏电流。
: I
CBO
= -100nA （最大） @V
CB
=-100V
低饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= -0.5V （最大） @I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
低噪音： NF = 8分贝（最大）
F
H
A
特点
N
K
D
E
G
F
L
1
2
3
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
(Ta=25
(Tc=25
)
)
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-130
-120
-5
-600
-100
625
1.5
150
-55
150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
W
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
1997. 5. 13
版本号： 0
1/2
2N5400
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
*
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
(1)
直流电流增益
*
h
FE
(2)
h
FE
(3)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
小信号电流增益
噪声系数
*
*
V
CE （ SAT ）
1
V
CE （ SAT ）
2
V
BE （ SAT ）
1
V
BE （ SAT ）
2
f
T
C
ob
h
fe
NF
测试条件
V
CB
= -100V ，我
E
=0
V
CB
= -100V ，我
E
= 0 ，TA = 100
V
EB
= -3V ，我
C
=0
I
C
= -0.1mA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10 A，I
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-50mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA中，f = 1kHz时
V
CE
= -5V ，我
C
=-250 A
RG = 1K ， F = 10Hz的15.7kHz
分钟。
-
-
-
-130
-120
-5
30
40
40
-
-
-
-
100
-
30
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-100
-100
-50
-
-
-
-
180
-
-0.2
-0.5
-1.0
-1.0
400
6
200
8
dB
V
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
1997. 5. 13
版本号： 0
2/2
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