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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第127页 > 2N5322
PNP 2N5322 - 2N5323
硅平面外延晶体管
该2N5322和2N5323是PNP晶体管安装在TO- 39金属外壳。
它们特别适用于工业和商业的高压中等功率应用
EQUIPEMENTS 。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CEV
V
EBO
I
C
I
B
P
D
评级
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 1.5V)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
@ T
AMB
= 25°
总功耗
@ T
= 25°
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
价值
-75
-50
-100
-75
-100
-75
-6
-5
-2
-1
1
单位
V
V
V
V
A
A
10
-65到+200
-65到+200
°C
°C
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
热特性
符号
R
THJ -A
R
THJ -C
评级
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
价值
175
17.5
单位
° C / W
° C / W
半导体COMSET
1/3
PNP 2N5322 - 2N5323
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
CEV
V
EBO
h
FE
(1)
V
CE ( SAT )
(1)
V
BE
(1)
f
T
t
on
t
关闭
评级
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极击穿
电压
集电极发射极击穿
电压
发射极基极击穿
电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
测试条件(S )
V
CB
= -80 V,I
E
=0
V
CB
= -60 V,I
E
=0
V
EB
= -5 V,I
C
=0
V
EB
= -4 V,I
C
=0
I
C
= -10毫安,我
B
=0
I
C
= -100 A
V
BE
= 1.5V
I
E
= -100 IA ,我
C
=0
I
C
= -500毫安
V
CE
= -4 V
I
C
= -1 A
V
CE
= -2 V
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
I
C
= -500毫安,V
CE
= -4 V
I
C
= -50毫安,V
CE
= -4 V
F = 10MHz的
I
C
= -500毫安,V
CC
= -30 V
I
B1
= -50毫安
I
C
= 500毫安, V
CC
= 30 V
I
B1
= -I
B2
= -50毫安
最小值典型值
-
-
-
-
-
-0.1
-
-0.5
-75
-
-50
-
-100
-
-75
-
-6
-
-5
-
30
-
40
-
10
-
-
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Mx
-0.5
-5
-
-
-
-
-
-
-
-
130
250
-
-0.7
-1.2
-1.1
-1.4
-
100
1000
单位
A
A
V
V
V
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
-
V
V
兆赫
ns
ns
( 1 )脉冲条件: TP < 300
s, δ
=1%
半导体COMSET
2/3
PNP 2N5322 - 2N5323
机械数据案例TO- 39
外形尺寸(mm )
A
B
D
E
F
G
H
I
L
12.7
-
-
-
-
5.08
-
-
45°
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.49
6.6
8.5
9.4
-
1.2
0.9
-
引脚1 :
引脚2 :
案例:
辐射源
BASE
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N5322
2N5323
机械数据
尺寸mm (英寸)
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
高速
中压
开关
描述
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
5.08 (0.200)
典型值。
该2N5322和2n5323是硅平面
在JEDEC外延PNP三极管TO- 39
金属外壳适用于高压介质
在工业电源应用和
商业设备。
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
互补NPN类型是
分别2N5320和2N5321
45°
TO- 39 ( TO- 205AD )
引脚1 - 发射极
PIN 2 - 基
PIN 3 - 集电极
绝对最大额定值
T
CASE =
25 ° C除非另有说明
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑,
T
j
R
THJ情况
R
THJ - AMB
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 1.5v)
发射极 - 基极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
连续集电极电流
基极电流
总功耗在T
AMB
= 25°C
T
= 50°C
储存和结温
2N5322
-100V
-100V
-75V
-6V
2N5323
-75V
-75V
-50V
-5V
-1.2A
-1A
1W
10W
-65到+ 200℃
热数据
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
17.5
175
° C / W
° C / W
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 ) 556565.传真:+44( 0 ) 1455 ) 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
文档编号3073
问题2
2N5322
2N5323
电气特性
(温度上限= 25 ° C除非另有说明)
参数
I
CBO
I
EBO
收藏家切断电流
发射器切断电流
测试条件
V
CB
= -80V
V
CB
= -60V
V
EB
= -5V
V
EB
= -4V
V
BE
= 1.5V
I
E
= 0
2N5322
IE
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
-0.5
-5
A
A
= 0
2N5323
-0.1
-0.5
-100
-75
-75
-50
-6
-5
= 0
2N5323
2N5322
2N5323
I
C
= 0
2N5322
IC
I
C
= -0.1mA
V
V
( BR ) CEV
集电极发射极击穿电压
I
C
= -10mA
I
B
= 0
V
( BR ) CEO *
集电极 - 发射极击穿电压
I
E
= -0.1mA
I
C
= 0
2N5322
2N5323
V
V
( BR ) EBO
发射极基极击穿电压
I
C
= -500mA
2N5322
2N5323
V
I
B
= -50mA
2N5322
2N5323
V
CE (SAT) *
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA
-0.7
-1.2
-1.1
-1.4
30
10
130
V
V
CE
= -4V
2N5322
2N5323
V
BE *
基极发射极电压
I
C
= -500mA
I
C
= -1A
V
V
CE
= -4V
V
CE
= -2V
2N5322
h
FE *
直流电流增益
I
C
= -500mA
40
50
100
ns
1000
250
兆赫
V
CE
= -4V
2N5323
f
T
t
on
t
关闭
Transistion频率
开启时间
关闭时间
I
C
= -50mA
I
C
= -500mA
I
B1
= -50mA
I
C
= -500mA
V
CE
= -4V
V
CC
= -30V
V
CC
= -30V
I
B1
=-I
B2
= -50mA
*脉冲测试吨
p
= 300s ,
δ
= 1 %
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 ) 556565.传真:+44( 0 ) 1455 ) 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
文档编号3073
问题2
小信号晶体管
TO- 39案例(续)
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @
(A)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
4.0
4.0
7.0
6.5
5.0
5.0
7.0
6.0
3.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.0
5.0
7.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
3.5
1.00
1.00
0.01
0.01
100**
100**
0.05
0.05
5.00***
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
0.50
1.00**
100
100
100
100
10**
5.00
5.00
10
10
10
10
50
50
1.00
1.00
1.00
1.00
10***
10***
10***
150
150
60
50
30
20
100
100
35
60
60
60
60
60
60
60
60
30
30
100
75
100
75
90
60
80
80
80
100
100
175
280
100
120
100
120
75
60
45
20
20
100
100
25
40
35
30
40
30
30
70
70
30
70
30
70
35
35
30
40
30
40
30
30
30
30
60
30
60
30
30
40
40
40
40
20
20
20
最大
200
200
300
300
100
100
150
150
120
90
90
200
200
90
200
90
200
--
--
130
250
130
250
120
150
150
120
240
120
240
150
120
150
150
150
150
100
100
100
10
10
150
150
500
500
30
30
50
1,000
1,000
1,000
1,000
2,500
2,500
2,500
2,500
500
100
500
500
500
500
1,000
1,000
1,000
2,000
2,000
2,000
2,000
50
50
250
250
250
250
1,000
1,200
1,600
10
10
10
10
1.0
1.0
25
25
15
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
10
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大
5.00
5.00
0.25
0.50
0.80
0.70
1.00
1.00
0.50
0.85
5.00
0.85
5.00
0.75
0.75
0.75
0.75
1.00
0.80
0.50
0.80
0.70
1.20
1.00
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
2.50
2.50
1.00
1.00
1.00
1.00
0.50
0.75
1.00
10
10
150
500
1.0
1.0
30
30
100
2,000
3,000
2,000
3,000
2,500
2,500
2,500
2,500
1.0
1,000
500
500
500
500
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
50
50
500
500
500
500
1,000
1,200
1,600
VCB
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE ( SAT ) @ IC的fT
(MA )
(V)
(V)
(毫安) (兆赫)
* TYP
COB
(PF )
* TYP
(纳秒)
* TYP
花花公子
(纳秒)
* TYP
NF
( dB)的
* TYP
2N4930
2N4931
2N4943
2N4960
2N5022
2N5023
2N5058
2N5059
2N5109
2N5147
2N5148
2N5149
2N5150
2N5151
2N5152
2N5153
2N5154
2N5189
2N5262
2N5320
2N5321
2N5322
2N5323
2N5333
2N5334
2N5335
2N5336
2N5337
2N5338
2N5339
2N5415
2N5416
2N5679
2N5680
2N5681
2N5682
2N5781
2N5782
2N5783
PNP高压
PNP高压
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
NPN高压
NPN高压
NPN高频
200
250
80
60
50
30
300
250
20
80
80
80
80
80
80
80
80
35
50
75
50
75
50
80
60
80
80
80
100
100
200
350
100
120
100
120
65
50
40
20
20
12
250
170
200
30
30
1,200
--
60
60
60
60
70
60
70
250
250
50
50
50
50
30
40
40
30
30
30
30
15
15
30
30
30
30
8.0
8.0
8.0
最大
20
20
--
15
25
25
10
10
3.5
--
70
70
70
250
250
250
250
12
12
--
--
--
--
--
75
75
250
250
250
250
25
25
50
50
50
50
--
--
--
最大
--
--
--
--
40
40
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
40
30
80
80
100
100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
90
90
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
60
800
800
1,000
1,000
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
--
--
--
--
3.0*
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
200
250
120
60
50
30
300
250
40
100
100
100
100
100
100
100
100
60
75
100
75
100
75
100
60
80
80
80
100
100
200
350
100
120
100
120
80
65
45
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN快速开关
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP高压
PNP高压
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
64
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
博卡半导体公司
( BSC)的
http://www.bocasemi.com
http://www.bocasemi.com
2N5322
2N5323
机械数据
尺寸mm (英寸)
8 .8 9 (0 .3 5 )
9 .4 0 (0 .3 7 )
7 .7 5 (0 .3 0 5 )
8 .5 1 (0 .3 3 5 )
高速
中压
开关
描述
该2N5322和2n5323是硅平面
在JEDEC外延PNP三极管TO- 39
金属外壳适用于高电压medi-
在工业嗯功率应用及
商业设备。
互补NPN类型是
分别2N5320和2N5321
6 .1 0 (0 .2 4 0 )
6 .6 0 (0 .2 6 0 )
1 2 .7 0
(0 .5 0 0 )
M IN 。
0 0.8 9米高X 。
(0 .0 3 5 )
7 .7 5 (0 .3 0 5 )
8 .5 1 (0 .3 3 5 )
IA 。
5 .0 8 (0 .2 0 0 )
TY页。
1
0 .6 6 (0 .0 2 6 )
1 .1 4 (0 .0 4 5 )
0 .7 1 (0 .0 2 8 )
0 .8 6 (0 .0 3 4 )
2
3
2 .5 4
(0 .1 0 0 )
4 5 °
TO-39
引脚1 - 发射极
PIN 2 - 基
PIN 3 - 集电极
绝对最大额定值
T
CASE =
25 ° C除非另有说明
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑,
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 1.5v)
发射极 - 基极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
连续集电极电流
基极电流
总功耗在T
AMB
= 25°C
T
= 50°C
储存和结温
2N5322
-100V
-100V
-75V
-6V
2N5323
-75V
-75V
-50V
-5V
-2A
-1A
1W
10W
-65到+ 200℃
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
17.5
175
° C / W
° C / W
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 ) 556565.传真:+44( 0 ) 1455 ) 552612 。
网址:
http://www.semelab.co.uk
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
预赛。九十九分之七
2N5322
2N5323
电气特性
(温度上限= 25 ° C除非另有说明)
参数
I
CBO
I
EBO
收藏家切断电流
发射器切断电流
测试条件
V
CB
= -80V
V
CB
= -60V
V
EB
= -5V
V
EB
= -4V
V
BE
= 1.5V
I
E
= 0
2N5322
IE
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
-0.5
-5
-0.1
-0.5
A
A
= 0
2N5323
= 0
2N5323
2N5322
2N5323
I
C
= 0
2N5322
IC
I
C
= -0.1mA
-100
-75
-75
-50
-6
-5
-0.7
-1.2
-1.1
-1.4
30
10
40
50
100
ns
1000
250
兆赫
130
V
V
( BR ) CEV
集电极发射极击穿电压
I
C
= -10mA
I
B
= 0
V
CEO ( SUS) *
集电极 - 发射极饱和电压
I
E
= -0.1mA
V
( BR ) EBO
发射极基极击穿电压
I
C
= -500mA
V
CE (SAT) *
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA
V
BE *
基极发射极电压
I
C
= -500mA
I
C
= -1A
h
FE *
直流电流增益
I
C
= -500mA
f
T
t
on
t
关闭
Transistion频率
开启时间
关闭时间
I
C
= -50mA
I
C
= -500mA
I
B1
= -50mA
I
C
= -500mA
I
C
= 0
2N5322
2N5323
pF
2N5322
2N5323
V
I
B
= -50mA
2N5322
2N5323
V
V
CE
= -4V
2N5322
2N5323
V
V
CE
= -4V
V
CE
= -2V
2N5322
V
CE
= -4V
2N5323
V
CE
= -4V
V
CC
= -30V
V
CC
= -30V
I
B1
=-I
B2
= -50mA
*脉冲测试吨
p
= 300
m
s ,
d
= 1 %
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 ) 556565.传真:+44( 0 ) 1455 ) 552612 。
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预赛。九十九分之七
2N5322
2N5323
小信号PNP晶体管
s
s
s
硅外延平面PNP
晶体管
中功率放大器
NPN补充ARE 2N5320和
2N5321
描述
该2N5322和2N5323的硅外延
平面PNP晶体管JEDEC TO- 39金属
情况。它们特别适用于
高压中等功率应用
工业和商业设备。
互补NPN类型分别是
在2N5320和2N5321
TO-39
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
2N5322
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(V
BE
= -1.5V)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
AMB
= 25 C
总功耗在T
c
= 25 C
储存和结温
o
o
价值
2N5323
-75
-75
-50
-5
-1.2
-2
-1
1
10
-65 200
-100
-100
-75
-6
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
1997年6月
1/4
2N5322/2N5323
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
17.5
175
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEV
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
集电极截止
电流(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
击穿电压
(V
BE
= 1.5V)
测试条件
V
CB
= -80 V
V
CB
= -60 V
V
EB
= -5 V
V
EB
= -4 V
I
C
= -100
A
2N5322
2N5323
I
C
= -10毫安
2N5322
2N5323
I
E
= -100
A
2N5322
2N5323
I
C
= -500毫安
2N5322
2N5323
I
C
= -500毫安
2N5322
2N5323
2N5322
I
C
= -500毫安
I
C
= -1 A
2N5323
I
C
= -500毫安
I
C
= -500毫安
I
B1
= -50毫安
I
B
= -50毫安
-0.7
-1.2
V
CE
= -4 V
-1.1
-1.4
V
CE
= -4 V
V
CE
= -2 V
V
CE
= -4 V
F = 10MHz的
V
CC
= -30 V
30
10
40
50
100
1000
130
V
V
V
V
2N5322
2N5323
2N5322
2N5323
-100
-75
-75
-50
-6
-5
-0.1
-0.5
分钟。
典型值。
马克斯。
-0.5
-5
单位
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) EBO
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
V
CE ( SAT )
V
BE
h
FE
直流电流增益
250
兆赫
ns
ns
f
T
t
on
t
关闭
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
I
C
= -50毫安V
CE
= -4 V
I
C
= -500毫安V
CC
= -30 V
I
B1
= -I
B2
= -50毫安
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 1 %
2/4
2N5322/2N5323
TO- 39机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
5.08
1.2
0.9
45
o
(典型值)。
12.7
0.49
6.6
8.5
9.4
0.200
0.047
0.035
典型值。
马克斯。
分钟。
0.500
0.019
0.260
0.334
0.370
典型值。
马克斯。
G
I
H
D
A
L
F
E
B
P008B
3/4
2N5322/2N5323
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    终端采购配单精选

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联系人:吴小姐
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联系人:欧阳
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原厂封装
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联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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联系人:李
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TO-39
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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24+
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TO-5AA
原厂一级代理,原装现货
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M
24+
10000
CAN
原厂一级代理,原装现货
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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