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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第404页 > 2N5321
NPN 2N5320 - 2N5321
硅平面外延晶体管
该2N5320和2N5321的NPN晶体管安装在TO- 39金属外壳。
它们特别适用于工业和商业的高压中等功率应用
EQUIPEMENTS 。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CEV
V
EBO
I
C
I
B
P
D
评级
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 1.5V)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
@ T
AMB
= 25°
总功耗
@ T
= 25°
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
价值
75
50
100
75
100
75
6
5
2
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
10
-65到+200
-65到+200
°C
°C
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
热特性
符号
R
THJ -A
R
THJ -C
评级
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
价值
175
17.5
单位
° C / W
° C / W
半导体COMSET
1/3
NPN 2N5320 - 2N5321
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
CEV
V
EBO
h
FE
(1)
V
CE ( SAT )
(1)
V
BE
(1)
f
T
t
on
t
关闭
评级
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极击穿
电压
集电极发射极击穿
电压
发射极基极击穿
电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
测试条件(S )
V
CB
= 80 V,I
E
=0
V
CB
= 60 V,I
E
=0
V
EB
= 5 V,I
C
=0
V
EB
= 4 V,I
C
=0
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
I
C
= 100 A
V
BE
= 1.5V
I
E
= 100 A ,我
C
=0
I
C
= 500毫安
V
CE
= 4 V
I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安, V
CE
= 4 V
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 4 V
F = 10MHz的
I
C
= 500毫安, V
CC
= 30 V
I
B1
= 50毫安
I
C
= 500毫安, V
CC
= 30 V
I
B1
= -I
B2
= 50毫安
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
75
50
100
75
6
5
30
40
10
-
-
-
-
50
-
-
-
-
0.1
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
5
-
-
-
-
-
-
-
-
130
250
-
0.5
0.8
1.1
1.4
-
80
800
V
V
兆赫
ns
ns
A
A
V
V
V
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
-
( 1 )脉冲条件: TP < 300
s, δ
=1%
半导体COMSET
2/3
NPN 2N5320 - 2N5321
机械数据案例TO- 39
外形尺寸(mm )
A
B
D
E
F
G
H
I
L
12.7
-
-
-
-
5.08
-
-
45°
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.49
6.6
8.5
9.4
-
1.2
0.9
-
引脚1 :
引脚2 :
案例:
辐射源
BASE
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
小信号晶体管
TO- 39案例(续)
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @
(A)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
4.0
4.0
7.0
6.5
5.0
5.0
7.0
6.0
3.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.5
6.0
5.0
5.0
7.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
3.5
1.00
1.00
0.01
0.01
100**
100**
0.05
0.05
5.00***
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
1.00**
0.50
1.00**
100
100
100
100
10**
5.00
5.00
10
10
10
10
50
50
1.00
1.00
1.00
1.00
10***
10***
10***
150
150
60
50
30
20
100
100
35
60
60
60
60
60
60
60
60
30
30
100
75
100
75
90
60
80
80
80
100
100
175
280
100
120
100
120
75
60
45
20
20
100
100
25
40
35
30
40
30
30
70
70
30
70
30
70
35
35
30
40
30
40
30
30
30
30
60
30
60
30
30
40
40
40
40
20
20
20
最大
200
200
300
300
100
100
150
150
120
90
90
200
200
90
200
90
200
--
--
130
250
130
250
120
150
150
120
240
120
240
150
120
150
150
150
150
100
100
100
10
10
150
150
500
500
30
30
50
1,000
1,000
1,000
1,000
2,500
2,500
2,500
2,500
500
100
500
500
500
500
1,000
1,000
1,000
2,000
2,000
2,000
2,000
50
50
250
250
250
250
1,000
1,200
1,600
10
10
10
10
1.0
1.0
25
25
15
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
10
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
最大
5.00
5.00
0.25
0.50
0.80
0.70
1.00
1.00
0.50
0.85
5.00
0.85
5.00
0.75
0.75
0.75
0.75
1.00
0.80
0.50
0.80
0.70
1.20
1.00
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
0.70
2.50
2.50
1.00
1.00
1.00
1.00
0.50
0.75
1.00
10
10
150
500
1.0
1.0
30
30
100
2,000
3,000
2,000
3,000
2,500
2,500
2,500
2,500
1.0
1,000
500
500
500
500
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
2,000
50
50
500
500
500
500
1,000
1,200
1,600
VCB
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE ( SAT ) @ IC的fT
(MA )
(V)
(V)
(毫安) (兆赫)
* TYP
COB
(PF )
* TYP
(纳秒)
* TYP
花花公子
(纳秒)
* TYP
NF
( dB)的
* TYP
2N4930
2N4931
2N4943
2N4960
2N5022
2N5023
2N5058
2N5059
2N5109
2N5147
2N5148
2N5149
2N5150
2N5151
2N5152
2N5153
2N5154
2N5189
2N5262
2N5320
2N5321
2N5322
2N5323
2N5333
2N5334
2N5335
2N5336
2N5337
2N5338
2N5339
2N5415
2N5416
2N5679
2N5680
2N5681
2N5682
2N5781
2N5782
2N5783
PNP高压
PNP高压
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
NPN高压
NPN高压
NPN高频
200
250
80
60
50
30
300
250
20
80
80
80
80
80
80
80
80
35
50
75
50
75
50
80
60
80
80
80
100
100
200
350
100
120
100
120
65
50
40
20
20
12
250
170
200
30
30
1,200
--
60
60
60
60
70
60
70
250
250
50
50
50
50
30
40
40
30
30
30
30
15
15
30
30
30
30
8.0
8.0
8.0
最大
20
20
--
15
25
25
10
10
3.5
--
70
70
70
250
250
250
250
12
12
--
--
--
--
--
75
75
250
250
250
250
25
25
50
50
50
50
--
--
--
最大
--
--
--
--
40
40
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
40
30
80
80
100
100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
90
90
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
60
800
800
1,000
1,000
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
--
--
--
--
3.0*
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
200
250
120
60
50
30
300
250
40
100
100
100
100
100
100
100
100
60
75
100
75
100
75
100
60
80
80
80
100
100
200
350
100
120
100
120
80
65
45
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN快速开关
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP高压
PNP高压
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
64
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
博卡半导体公司
http://www.bocasemi.com
http://www.bocasemi.com
2N5320
2N5321
小信号NPN晶体管
s
s
s
硅外延平面NPN
晶体管
中功率放大器
PNP补充ARE 2N5322和
2N5323
描述
该2N5320和2N5321的硅外延
平面NPN晶体管JEDEC的TO -39金属
情况。它们特别适用于
高压中等功率应用
工业和商业设备。
互补PNP类型分别是
在2N5322和2N5323
TO-39
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
2N5320
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 1.5V)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
AMB
= 25 C
总功耗在T
c
= 25 C
储存和结温
o
o
价值
2N5321
75
75
50
5
1.2
2
1
1
10
-65 200
100
100
75
6
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
1997年6月
1/4
2N5320/2N5321
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
17.5
175
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEV
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
集电极截止
电流(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
击穿电压
(V
BE
= 1.5V)
测试条件
V
CB
= 80 V
V
CB
= 60 V
V
EB
= 5 V
V
EB
= 4 V
I
C
= 100
A
2N5320
2N5321
I
C
= 10毫安
2N5320
2N5321
I
E
= 100
A
2N5320
2N5321
I
C
= 500毫安
2N5320
2N5321
I
C
= 500毫安
2N5320
2N5321
2N5320
I
C
= 500毫安
I
C
= 1 A
2N5321
I
C
= 500毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 500毫安
I
B1
= 50毫安
I
B
= 50毫安
0.5
0.8
V
CE
= 4 V
1.1
1.4
V
CE
= 4 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CC
= 30 V
F = 10MHz的
30
10
40
50
80
800
130
V
V
V
V
2N5320
2N5321
2N5320
2N5321
100
75
75
50
6
5
0.1
0.5
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
5
单位
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) EBO
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
V
CE ( SAT )
V
BE
h
FE
直流电流增益
250
兆赫
ns
ns
f
T
t
on
t
关闭
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
I
C
= 500毫安V
CC
= 30 V
I
B1
= -I
B2
= 50毫安
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 1 %
2/4
2N5320/2N5321
TO- 39机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
5.08
1.2
0.9
45
o
(典型值)。
12.7
0.49
6.6
8.5
9.4
0.200
0.047
0.035
典型值。
马克斯。
分钟。
0.500
0.019
0.260
0.334
0.370
典型值。
马克斯。
G
I
H
D
A
L
F
E
B
P008B
3/4
2N5320/2N5321
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.
4/4
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
2N5321
特点
V
首席执行官
=50V
I
CM
=2A
P合计= 1.0W (环境温度Tamb = 25
O
C
)
Rth(jc)max=17.5
O
C / W ,的Rth ( JA )最大= 175
O
C / W
无铅涂层/符合RoHS (注1 ) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
等级
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
集电极 - 基极电压(I
E
=0)
发射极 - 基极电压(I
C
=0)
集电极 - 发射极电压(V
BE
=1.5v)
集电极电流
工作结温
储存温度
等级
50
75
5.0
75
1200
-65到+200
-65到+200
单位
V
V
V
V
mA
O
C
O
C
中功率
硅NPN
平面晶体管
TO-39
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEV
I
C
T
J
T
英镑
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10毫安,我
B
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 0.1毫安,V
BE
=1.5V))
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 0.1毫安,我
C
=0)
基射极电压
(I
C
= 500毫安,的Vce = 4V
)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 60V ,我
E
=0)
发射极 - 基极截止电流
(V
EB
= 4.0V ,我
C
=0)
直流电流
收益
(I
C
= 0.5A ,V
CE
=4V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500毫安,我
B
=50mA)
Transistion频率
(V
CE
= 4V ,我
C
= 0.05A , F = 10MH
Z
)
开启时间
(I
C
= 500毫安VCC = 30V我
B1
=50mA)
打开-O FF时间
( IC = 500毫安VCC = 30V磅
1
= -ib
2
=50mA)
50
75
5.0
---
---
---
最大
---
---
---
1.4
5.0
0.5TYP
单位
V
V
V
V
uA
uA
开关特性
V
( BR ) CEO *
V
( BR ) CEV
V
( BR ) EBO
V
BE (注2 )
I
CBO
I
EBO
基本特征
h
FE *
V
CE (SAT) *
f
T
T
ON
40
---
50
250
0.8
---
---
V
MH
Z
ns
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
80
800
T
关闭
ns
注意事项: 1。高低温焊料豁免应用,见欧盟指令附件7 。
2.Pulsed :脉冲持续时间= 300US ,占空比= 1 %
尺寸
英寸
MM
最大
.335
.370
8.509
-----
-----
.334
-----
-----
-----
.260
.50
-----
12.7
.200
5.08
.029
.045
7.366
-----
.050
-----
.009
.031
0.229
44°
46°
44°
.028
.034
0.711
.016
.021
0.406
最大
9.40
8.50
6.60
-----
11.43
1.27
7.874
46°
0.864
0.533
-
-
-
7<3
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1
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2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息:
设备
型号-BP
填料
Bulk;50pcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改,恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上,反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件( MCC )正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件,具有完整的可追溯性,满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题,并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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