2N5306
2N5306
NPN达林顿晶体管
本设备是专为要求极高的应用
电流增益电流1.0A 。
从工艺05采购。
见MPSA14的特点。
TO-92
1
1.辐射源2.收藏家3.基地
绝对最大额定值*
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
价值
25
25
12
1.2
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
C
cb
h
fe
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 0.1μA ，我
E
= 0
I
E
= 0.1μA ，我
C
= 0
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
V
CB
= 25V ，我
E
= 0, T
a
= 100°C
V
EB
= 12V，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 100毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 0.2毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 0.2毫安
I
C
=的200mA， V
CE
= 5.0V
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5.0V,
F = 1.0kHz
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5.0V,
F = 10MHz时
7000
6.0
7,000
20,000
分钟。
25
25
12
0.1
20
0.1
70,000
1.4
1.6
1.5
10
V
V
V
pF
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
A
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压Saturatin
基射极电压上
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
在特性*
小信号特性
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年7月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
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或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
我牧师
QQ：2880707522 复制
