【SavantIC半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2N5293 2N5295】,IC型号2N5295,2N5295 PDF资料,2N5295经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5293 2N5295 2N5297

描述

·采用TO- 220封装

·高功耗

应用

·功率放大器，中速

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2N5293

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5295

2N5297

V

EBO

I

C

I

B

P

T

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

80

60

80

70

40

60

7

4

2

36

150

-65~150

V

A

A

W

V

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.47

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N5293

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

BE

基射极电压上

2N5295

2N5297

2N5293/5297

I

CEV

集电极截止电流

2N5295

I

CER

集电极截止电流

2N5293/5297

2N5295

I

EBO

发射极截止电流

2N5293/5297

2N5293

h

FE

直流电流增益

2N5295

2N5297

f

T

跃迁频率

2N5293

t

on

开启时间

2N5295

2N5297

2N5293

t

关闭

打开-O FF时间

2N5295

2N5297

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

符号

2N5293 2N5295 2N5297

条件

民

70

40

60

典型值。

最大

单位

V

I

C

=0.5A;I

B

=0.05A

I

C

=1.0A;I

B

=0.1A

I

C

=1.5A;I

B

=0.15A

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=4V

V

CE

=65V;V

BE

=1.5V

T

C

=150

V

CE

=35V;V

BE

=1.5V

T

C

=150

V

CE

=50V;R

BE

=100<

T

C

=150

V

EB

= 7V ;我

C

=0

1.0

mA

1.1

1.3

1.5

0.5

3.0

2.0

5.0

0.5

2.0

V

1.0

V

mA

mA

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

30

I

C

= 1.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.2A ; V

CE

=4V

I

C

=0.5A;I

B

=0.05A;V

CC

=30V

I

C

=1.0A;I

B

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CC

=30V

I

C

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CC

=30V

I

C

=0.5A;I

B

=0.05A;V

CC

=30V

I

C

=1.0A;I

B

=0.1A;V

CC

=30V

I

C

=1.5A;I

B

=0.15A;V

CC

=30V

15

s

5.0

s

20

0.8

80

兆赫

120

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5293 2N5295 2N5297

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

描述

·带

的TO-220封装

高

功耗

应用

“权力

放大器和中速

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

2N5293 2N5295 2N5297

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N5293

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5295

2N5297

V

EBO

I

C

I

B

P

T

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

80

60

80

70

40

60

7

4

2

36

150

-65~150

V

A

A

W

℃

℃

V

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.47

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5293

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

sustioning电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

BE

基射极电压上

2N5295

2N5297

2N5293/5297

I

CEV

集电极截止电流

2N5295

I

CER

集电极截止电流

2N5293/5297

2N5295

I

EBO

发射极截止电流

2N5293/5297

2N5293

h

FE

直流电流增益

2N5295

2N5297

f

T

跃迁频率

2N5293

t

on

开启时间

2N5295

2N5297

2N5293

t

关闭

打开-O FF时间

2N5295

2N5297

V

EB

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C

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N5293 2N5295 2N5297

条件

民

70

40

60

典型值。

最大

单位

V

I

C

=0.5A;I

B

=0.05A

I

C

=1.0A;I

B

=0.1A

I

C

=1.5A;I

B

=0.15A

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=4V

V

CE

=65V;V

BE

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=35V;V

BE

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=50V;R

BE

=100Ω

T

C

=150℃

V

EB

= 7V ;我

C

=0

1.0

mA

1.1

1.3

1.5

0.5

3.0

2.0

5.0

0.5

2.0

V

1.0

V

mA

mA

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

30

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C

= 1.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.2A ; V

CE

=4V

I

C

=0.5A;I

B

=0.05A;V

CC

=30V

I

C

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CC

=30V

I

C

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=30V

I

C

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CC

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I

C

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CC

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I

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B

=0.15A;V

CC

=30V

15

μs

5.0

μs

20

0.8

80

兆赫

120

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5293 2N5295 2N5297

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

JMnic

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5294 2N5296 2N5298

描述

·带

的TO-220封装

高

功耗

应用

“权力

放大器和中速

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

固电

IN

导½

半

参数

2N5294

2N5296

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

SEM

NG

HA

C

2N5298

2N5294

2N5296

2N5298

发射极开路

ND

ICO

条件

器

UC

价值

80

60

80

70

40

60

单位

V

开基

V

V

EBO

I

C

I

B

P

T

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

7

4

2

V

A

A

W

℃

℃

T

C

=25℃

36

150

-65~150

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.47

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5294

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5296

2N5298

2N5294

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5296

2N5298

2N5294

V

BE

基射极电压上

2N5296

2N5298

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N5294 2N5296 2N5298

条件

民

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40

60

典型值。

最大

单位

V

I

C

=0.5A;I

B

=0.05A

I

C

=1.0A;I

B

=0.1A

I

C

=1.5A;I

B

=0.15A

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.5A ; V

CE

=4V

V

CE

=65V;V

BE

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=35V;V

BE

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=50V;R

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=100Ω

T

C

=150℃

1.1

1.3

1.5

0.5

3.0

2.0

5.0

0.5

2.0

V

1.0

V

I

CEV

I

CER

电半

固

IN

集电极截止电流

导½

2N5294/5298

2N5296

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2N5294/5298

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I

EBO

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SEM

NG

HA

C

2N5296/5298

2N5294

2N5296

2N5298

V

EB

= 7V ;我

C

=0

ND

ICO

器

UC

1.0

30

120

mA

mA

mA

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 1.0A ; V

CE

=4V

h

FE

直流电流增益

I

C

= 1.5A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.2A ; V

CE

=4V

20

0.8

80

兆赫

f

T

跃迁频率

2N5294

I

C

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B

=0.05A;V

CC

=30V

I

C

=1.0A;I

B

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CC

=30V

I

C

=1.5A;I

B

=0.15A;V

CC

=30V

I

C

=0.5A;I

B

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CC

=30V

I

C

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I

C

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B

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15

μs

5.0

μs

t

on

开启时间

2N5296

2N5298

2N5294

t

关闭

打开-O FF时间

2N5296

2N5298

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5294 2N5296 2N5298

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5293 2N5295 2N5297

描述

·带

的TO-220封装

高

功耗

应用

“权力

放大器和中速

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N5293

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5295

2N5297

V

EBO

I

C

I

B

P

T

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

80

60

80

70

40

60

7

4

2

36

150

-65~150

V

A

A

W

℃

℃

V

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

3.47

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5293

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5295

2N5297

2N5293

V

BE

基射极电压上

2N5295

2N5297

2N5293/5297

I

CEV

集电极截止电流

2N5295

I

CER

集电极截止电流

2N5293/5297

2N5295

I

EBO

发射极截止电流

2N5293/5297

2N5293

h

FE

直流电流增益

2N5295

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f

T

跃迁频率

2N5293

t

on

开启时间

2N5295

2N5297

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t

关闭

打开-O FF时间

2N5295

2N5297

V

EB

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C

=0

I

C

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40

60

典型值。

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单位

V

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CE

=4V

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CE

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I

C

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CE

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V

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C

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V

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V

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C

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V

EB

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mA

1.1

1.3

1.5

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3.0

2.0

5.0

0.5

2.0

V

1.0

V

mA

mA

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C

= 0.5A ; V

CE

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30

I

C

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CE

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I

C

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CE

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C

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CE

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C

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CC

=30V

15

μs

5.0

μs

20

0.8

80

兆赫

120

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5293 2N5295 2N5297

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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