2N5246
2N5246
N通道射频放大器
本设备是专为HF / VHF混频器/放大器和应用
其中，过程50is不够的。足够的增益和低噪声
敏感的接收器。
从工艺90采购。
TO-92
1
1.门2.源3.排水
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
工作和存储结温范围
参数
评级
30
-30
10
-55 ~ 150
单位
V
V
mA
°C
*此额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150摄氏度的最大结温
2 ）这些都是稳定极限。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
政府飞行服务队
高斯
参数
测试条件
I
G
= 1.0μA ，V
DS
= 0
V
GS
= 25V, V
DS
= 0
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.0nA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1.0kHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1.0kHz
-0.5
1.5
3000
分钟。
-30
-1.0
-4.0
7.0
9500
50
马克斯。
单位
V
nA
V
mA
μmhos
μmhos
门源Breakdwon电压
门反向电流
栅源截止电压
零栅极电压漏极电流*
转发Transferconductance
共源输出电导
基本特征
小信号特性
*脉冲测试：脉冲
≤
300s
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年10月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
FASTr
深不见底
FRFET
CoolFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
GTO
DOME
HiSeC
EcoSPARK
2
CMOS
I
2
C
E
Ensigna
ImpliedDisconnect
FACT
等平面
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2003仙童半导体公司
牧师I5
2N5246
2N5246
N通道射频放大器
本设备是专为HF / VHF混频器/放大器和应用
其中，过程50is不够的。足够的增益和低噪声
敏感的接收器。
从工艺90采购。
TO-92
1
1.门2.源3.排水
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
工作和存储结温范围
参数
评级
30
-30
10
-55 ~ 150
单位
V
V
mA
°C
*此额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150摄氏度的最大结温
2 ）这些都是稳定极限。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
政府飞行服务队
高斯
参数
测试条件
I
G
= 1.0μA ，V
DS
= 0
V
GS
= 25V, V
DS
= 0
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.0nA
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1.0kHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1.0kHz
-0.5
1.5
3000
分钟。
-30
-1.0
-4.0
7.0
9500
50
马克斯。
单位
V
nA
V
mA
μmhos
μmhos
门源Breakdwon电压
门反向电流
栅源截止电压
零栅极电压漏极电流*
转发Transferconductance
共源输出电导
基本特征
小信号特性
*脉冲测试：脉冲
≤
300s
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
350
2.8
125
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A ， 2003年10月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
FASTr
深不见底
FRFET
CoolFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
GTO
DOME
HiSeC
EcoSPARK
2
CMOS
I
2
C
E
Ensigna
ImpliedDisconnect
FACT
等平面
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2003仙童半导体公司
牧师I5
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