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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5241
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
应用
·开关稳压器
·逆变器
·电磁阀和继电器驱动器
·电机控制
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
最高可额定值（Ta = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
400
5
5
125
165
-65~200
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.46
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2N5241
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
400
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.4A
2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.4A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
T
C
=125
V
CE
= 400V ;我
B
=0
2.0
0.2
2.0
5.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
15
35
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5241
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5241
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
应用
切换
调节器
·逆变器
·电磁阀
和继电器驱动器
Motor
控制
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
最高可额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
400
5
5
125
165
-65~200
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.46
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N5241
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
400
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.4A
2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.4A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
T
C
=125℃
V
CE
= 400V ;我
B
=0
2.0
0.2
2.0
5.0
V
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
15
35
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5241
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
2N5241
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
应用
切换
调节器
·逆变器
·电磁阀
和继电器驱动器
Motor
控制
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
最高可额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
400
5
5
125
165
-65~200
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.46
单位
℃/W
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硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.4A
I
C
= 2A ;我
B
=0.4A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
T
C
=125℃
V
CE
= 400V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
15
民
400
典型值。
2N5241
最大
单位
V
2.0
2.0
0.2
2.0
5.0
1.0
35
V
V
mA
mA
mA
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硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5241
图2外形尺寸
JMnic
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