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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
高
击穿电压
高
功耗
应用
切换
调节器
·逆变器
“权力
放大器器
·偏转
电路
·高电压
桥式放大器
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N5239
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
最高可额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
225
6
5
2
100
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.75
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N5239
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
225
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 20mA下;我
C
=0
6
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.25A
2.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.125A
5.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
V
CE
=300V; V
BE
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CE
= 200V ;我
B
=0
3.0
4.0
5.0
5.0
V
I
CEV
集电极截止电流
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
5.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.4A ; V
CE
=10V
20
80
h
FE -2
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
h
FE-3
直流电流增益
I
C
= 4.5A ; V
CE
=10V
5
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
250
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
2
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5239
图2外形尺寸
3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
·高功耗
应用
·开关稳压器
·逆变器
·功率放大器
·偏转电路
·高压桥式放大器
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N5239
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
最高可额定值（Ta = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
c
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
225
6
5
2
100
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.75
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
E
= 20mA下;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.25A
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.125A
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
V
CE
=300V; V
BE
=-1.5V
T
C
=150
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.4A ; V
CE
=10V
20
h
FE -2
h
FE-3
C
OB
f
T
I
C
= 2A ; V
CE
=10V
I
C
= 4.5A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.2A ; V
CE
=10V
2
5
民
225
6
2N5239
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
I
CEV
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
典型值。
最大
单位
V
V
2.5
5.0
3.0
4.0
5.0
5.0
5.0
V
V
V
mA
mA
mA
80
250
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5239
图2外形尺寸
3
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250AXF220M30X20
225-617
24493
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