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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第372页 > 2N5195G
2N5194, 2N5195
首选设备
硅PNP功率
晶体管
这些器件设计用于功率放大器和开关的使用
电路;出色的安全区域的限制。补充NPN 2N5191 ，
2N5192.
http://onsemi.com
特点
无铅包可用*
最大额定值
（注1 ）
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
2N5194
60
60
2N5195
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
4安培
功率晶体管
PNP硅
60 - 80伏
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
5.0
4.0
1.0
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
40
320
W
W / ℃，
° C / W
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
TO225AA
CASE 77-09
风格1
热特性
特征
符号
q
JC
最大
单位
标记图
热阻，
结到外壳
3.12
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。
YWW
2
N519xG
Y
WW
2N519x
G
=年
=工作周
=器件代码
X = 4或5的
= Pb-Free包装
订购信息
设备
2N5194
2N5194G
2N5195
2N5195G
包
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
航运
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
500单位/散装
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年10月 - 12牧师
出版订单号：
2N5194/D
2.表示JEDEC注册的数据。
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注2 ）
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
基射极电压上（注3 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 0.15 ADC）
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
DC电流增益（注3）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 125_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ）
(I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
0.1
0.004
的hFE ， DC电流增益（标准化）
0.3
1.0
0.7
0.5
10
7.0
5.0
0.2
2.0
3.0
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
T
J
= 150°C
0.007 0.01
25°C
0.02
特征
55
°C
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图1.直流电流增益
2N5194, 2N5195
http://onsemi.com
2N5194
2N5195
2N5194
2N5195
2N5194
2N5195
2N5194
2N5195
2N5194
2N5195
2N5194
2N5195
2N5194
2N5195
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
0.5
h
FE
f
T
1.0
民
2.0
25
20
10
7.0
60
80
2.0
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 10 V
最大
100
80
1.2
0.6
1.4
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
2.0
2.0
1.0
1.0
3.0 4.0
MADC
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
2N5194, 2N5195
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
1.6
1.2
I
C
= 10毫安
百毫安
1.0 A
3.0 A
0.8
T
J
= 25°C
0.4
0
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50
70
100
200
300
500
图2.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
2.0
T
J
= 25°C
1.6
电压（伏）
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.005 0.01 0.020.03 0.05
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
@ V
CE
T
J
-65 ° C至+ 150°C
1.2
* QV
C
对于V
CE （ SAT ）
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 4.0
qV
B
对于V
BE
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图3. “开”电压
RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）
图4.温度系数
10
3
V
CE
= 30 V直流
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
2
T
J
= 150°C
10
1
10
0
100°C
反向
25°C
I
CES
0
0.1 0.2
0.3
0.4 0.5 0.6
V
BE
，基极发射极电压（伏）
10
7
V
CE
= 30 V
10
6
I
C
= 10 ×1
CES
10
5
I
C
= 2×我
CES
10
4
10
3
10
2
20
I
C
≈
I
CES
10
1
前锋
10
2
10
3
（典型I
CES
值
购自图5 ）
+0.4 +0.3 +0.2 +0.1
40
60
80
100
120
140
160
T
J
，结温（ ° C）
图5.集电极截止区
图6.影响基射极电阻
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3
2N5194, 2N5195
开通脉冲
V
BE （OFF）的
V
in
0
约
11 V
V
CC
V
in
R
C
R
B
范围
电容（pF）
500
T
J
= 25°C
300
200
t
1
t
2
C
jd
<<
eb
约
+9.0 V
+4.0 V
R
B
和R
C
多变
以得到所希望的
当前水平
t
1
≤
7.0纳秒
100 <吨
2
＆ LT ; 500
ms
t
3
< 15纳秒
占空比
≈
2.0%
100
70
50
C
eb
C
cb
V
in
约
11 V
t
3
关断脉冲
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20 30 40
V
R
，反向电压（伏）
图7.开关时间等效测试电路
2.0
1.0
0.7
0.5
T， TIME （
μ
s)
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
t
r
@ V
CC
= 10 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
2.0
1.0
0.7
0.5
T， TIME （
μ
s)
0.3
0.2
t
s
′
图8.电容
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s
′
= t
s
1/8 t
f
T
J
= 25°C
t
f
@ V
CC
= 30 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05 0.07 0.1
t
f
@ V
CC
= 10 V
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 2.0 V
0.03
0.02
0.2 0.3
0.05 0.07 0.1
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
3.0 4.0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0 4.0
图9.启时间
注1 ：
5.0毫秒
T
J
= 150°C
dc
二次击穿极限
热极限@ T
C
= 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定V
首席执行官
2N5194
2N5195
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
1.0毫秒
100
ms
图10.开启，关闭时间
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图11的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C 。牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图11.等级和热数据
有源区的安全工作区
http://onsemi.com
4
2N5194, 2N5195
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.05
0.02
单脉冲
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
q
JC （最大）
= 3.12 ° C / W
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
100
200 300
500
1000
图12.热响应
设计说明：采用瞬态热阻数据
t
P
P
P
P
P
t
1
1/f
占空比D = T
1
f =
t1
tP
峰值脉冲功率= P
P
期刊功率脉冲串可以表示
利用该模型，并在图13中所示的模型
装置的热响应，归一化有效的瞬变
图12的耐热性进行了计算各种
占空比。
找到
q
JC
（吨） ，乘以从图12中得到的值
由稳态值
q
JC
.
例如：
该2N5193正在消退在以下50瓦特
条件：T已
1
= 0.1毫秒，T
p
= 0.5毫秒。 （D = 0.2） 。
使用图12中，以0.1毫秒和D = 0.2的脉冲宽度，
R的读取（T
1
，D ）为0.27 。
因此，峰值上升，结温为：
DT
= R（T ）× P
P
x
q
JC
= 0.27 ×50× 3.12 = 42.2_C
图13 。
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5
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推荐型号
245-521-93-38
2SB1120F
22-28-6105
2SC5106Y
2SD1752A
2N2222A_02
2N4313
2SD2122L
2SC3929AT
275X824A501A1A1
2SA992F
2520DX103K1
24LC16BTI/SL
2N1502
2SC4918A4
28C010TRTFE-12
26-61-5170
2SK619
24FC1025-I/SM
2SD1325Q
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N5195G
    -
    -
    -
    -
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