INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5190 2N5191 2N5192
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2N5193 /五千一百九十五分之五千一百九十四
优秀
安全工作区
应用
For
在中等功率的线性和使用
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2N5190
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5191
2N5192
2N5190
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5191
2N5192
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
4
7
1
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
3.12
单位
℃/W
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
2N5191
2N5192
中功率NPN硅晶体管
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
NPN晶体管
应用
s
线性和开关工业
设备
描述
该2N5191和2N5192的硅
外延基NPN晶体管JEDEC的SOT- 32
塑料封装。
他们inteded于中等功率的线性应用
和切换应用程序。
互补PNP型2N5192是
2N5195.
3
2
1
SOT-32
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
1997年6月
参数
2N5191
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
c
≤
25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
2N5192
80
80
5
4
7
1
40
-65到150
150
60
60
单位
单位
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
1/4
2N5191 / 2N5192
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
安森美半导体
)
硅NPN功率晶体管
。 。 。在功率放大器和开关电路，使用 - 优异
安全区的限制。补充PNP 2N5194 ， 2N5195 。
2N5191
2N5192 *
·安森美半导体首选设备
*最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N5191
60
60
2N5192
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
5.0
4.0
1.0
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
PD
40
320
瓦
毫瓦/°C的
_C
TJ ， TSTG
-65到+150
3 2
1
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
4安培
功率晶体管
硅NPN
60-80伏
40瓦
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
_C
CASE 77-09
TO- 225AA型
热阻，结到外壳
3.12
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 0.1 ADC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
VCEO （ SUS）
VDC
2N5191
2N5192
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ICEO
MADC
2N5191
2N5192
1.0
1.0
0.1
0.1
2.0
2.0
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
ICEX
MADC
2N5191
2N5192
2N5191
2N5192
ICBO
MADC
2N5191
2N5192
0.1
0.1
1.0
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
IEBO
MADC
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
*表示JEDEC注册的数据。
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 10牧师
出版订单号：
2N5191/D
2N5191 2N5192
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
*电气特性 - 续
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
基本特征
符号
民
最大
单位
DC电流增益（2）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
的hFE
—
2N5191
2N5192
2N5191
2N5192
25
20
10
7.0
100
80
—
—
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 0.15 ADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 1.0 ADC ）
基射极电压上（ 2 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
VCE （ SAT ）
VDC
—
—
—
0.6
1.4
1.2
VBE （ON）的
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
fT
2.0
—
兆赫
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
*表示JEDEC注册的数据。
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.004
0.007
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
TJ = 150℃
VCE = 2.0 V
VCE = 10 V
25°C
-55°C
图1.直流电流增益
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.05 0.07 0.1
IC = 10毫安
百毫安
1.0 A
3.0 A
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
5.0 7.0 10
3.0
IB ，基极电流（毫安）
20
30
50
70
100
200
300
500
图2.集电极饱和区
http://onsemi.com
2
2N5191 2N5192
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
0.8
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 4.0
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
0.005
0.01 0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 4.0
θ
V的VBE
*适用于IC / IB
≤
的hFE @ VCE
+
2.0 V
2
TJ = -65 °C至+ 150°C
* θV的VCE （SAT）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图3. “开”电压
RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）
图4.温度系数
103
102
101
100
10-1
10-2
10-3
-0.4 -0.3
VCE = 30 V
TJ = 150℃
100°C
反向
25°C
冰
-0.2 -0.1
0
+0.1 +0.2 +0.3
+0.4 +0.5
+0.6
VBE ，基极发射极电压（伏）
前锋
107
106
105
104
103
102
20
IC
≈
冰
IC = 2× ICES
IC = 10× ICES
VCE = 30 V
（典型ICES VALUES
购自图5 ）
40
60
80
100
120
140
160
TJ ，结温（ ° C）
图5.集电极截止区
图6.影响基射极电阻
开通脉冲
约
+11 V
VIN 0
VEB （关闭）
约
+11 V
VIN
t2
关断脉冲
VCC
VIN
300
RC
范围
电容（pF）
TJ = + 25°C
200
RB
CJD << CEB
-4.0 V
t1
100
70
50
30
t3
t1
≤
7.0纳秒
100 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
占空比
≈
2.0%
APPROX -9.0 V
CEB
RB和RC变化
以得到所希望的
当前水平
建行
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30 40
VR ，反向电压（伏）
图7.开关时间等效测试电路
图8.电容
http://onsemi.com
3
2N5191 2N5192
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05 0.07 0.1
TR @ VCC = 30 V
T， TIME （
s)
TR @ VCC = 10 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05 0.07 0.1
TF @ VCC = 30 V
TF @ VCC = 10 V
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
0.5 0.7 1.0
0.2 0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
3.0 4.0
ts
′
TD @ VEB （关闭） = 2.0 V
0.5 0.7 1.0
0.2 0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
3.0 4.0
图9.启时间
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
二次击穿极限
热限制在Tc = 25℃
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定VCEO
2N5191
2N5192
2.0
5.0
10
20
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
TJ = 150℃
5.0毫秒
dc
100
s
1.0毫秒
图10.开启，关闭时间
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图11的数据是基于TJ （ pk）的= 150_C ; T C是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150_C 。在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
0.1
1.0
图11.等级和热数据
有源区的安全工作区
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
θ
JC （ MAX）= 3.12 ° C / W
θ
JC （ MAX）= 2.08 ° C / W
2N5190-92
MJE5190-92
0.1
0.07
0.05
0.01
0.03
单脉冲
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3 0.5
1.0
2.0
3.0 5.0 10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
50
100
200
500
1000
图12.热响应
http://onsemi.com
4
2N5191 2N5192
设计说明：采用瞬态热阻数据
tP
PP
PP
t1
1/f
占空比D = T1的F -
t1
tP
图A
峰值脉冲功率= PP
期刊功率脉冲串可以表示
利用该模型，并在图A所示的模型
装置的热响应，归一化有效的瞬变
图12的耐热性进行了计算各种
占空比。
找到
θ
JC （t）的相乘由图12得到的值
由稳态值
θ
JC 。
例如：
该2N5190正在消退在以下50瓦特
条件： T1 = 0.1毫秒， TP = 0.5毫秒。 （D = 0.2） 。
使用图12中，以0.1毫秒和D = 0.2的脉冲宽度，
R（ T1 ， D）的读数是0.27 。
因此，峰值上升温度的功能为：
T
= R（T ）× PP X
θ
JC = 0.27 ×50× 3.12 = 42.2_C
http://onsemi.com
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5190 2N5191 2N5192
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2N5193 /五千一百九十五分之五千一百九十四
优秀
安全工作区
应用
For
在中等功率的线性和使用
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2N5190
2N5191
固电
IN
导½
半
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
NG
HA
C
2N5192
2N5190
2N5191
SEM
发射极开路
ND
ICO
条件
器
UC
价值
40
60
80
40
60
80
单位
V
开基
V
2N5192
集电极开路
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
5
4
7
1
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
40
150
-65~150
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
3.12
单位
℃/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5190 2N5191 2N5192
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2N5193 /五千一百九十五分之五千一百九十四
·卓越的安全工作区
应用
·对于中等功率的线性和使用
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2N5190
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N5191
2N5192
2N5190
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N5191
2N5192
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
4
7
1
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
3.12
单位
/W
145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
QQ：2880707522 复制
