【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2N5190 2N5191】,IC型号2N5190,2N5190 PDF资料,2N5190经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5190 2N5191 2N5192

描述

·带

TO- 126封装

.Complement

键入2N5193 /五千一百九十五分之五千一百九十四

优秀

安全工作区

应用

For

在中等功率的线性和使用

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N5190

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5191

2N5192

2N5190

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5191

2N5192

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

40

60

80

5

4

7

1

40

150

-65~150

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

3.12

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5190

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5191

2N5192

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

2N5190

I

首席执行官

集电极截止电流

2N5191

2N5192

2N5190

I

CBO

集电极截止电流

2N5191

2N5192

2N5190

I

CEX

集电极截止电流

2N5191

2N5192

I

EBO

发射极截止电流

2N5190

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 4A ，我

B

=1A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CB

= 40V ;我

E

=0

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

CB

= 80V ;我

E

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N5190 2N5191 2N5192

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.6

1.4

1.2

V

1.0

mA

0.1

mA

V

CE

=40V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=60V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=80V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

1.0

mA

25

h

FE-1

直流电流增益

2N5191

2N5192

2N5190

10

h

FE-2

直流电流增益

2N5191

2N5192

f

T

跃迁频率

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1MHz

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

7

2

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

20

100

80

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5190 2N5191 2N5192

图2外形尺寸

3

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5190 2N5191 2N5192

描述

·采用TO- 126封装

·补键入2N5193 /五千一百九十五分之五千一百九十四

·卓越的安全工作区

应用

·对于中等功率的线性和使用

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2N5190

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5191

2N5192

2N5190

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5191

2N5192

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

40

60

80

5

4

7

1

40

150

-65~150

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

3.12

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N5190

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5191

2N5192

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

2N5190

I

首席执行官

集电极截止电流

2N5191

2N5192

2N5190

I

CBO

集电极截止电流

2N5191

2N5192

2N5190

I

CEX

集电极截止电流

2N5191

2N5192

I

EBO

发射极截止电流

2N5190

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 4A ，我

B

=1A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CB

= 40V ;我

E

=0

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

CB

= 80V ;我

E

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

符号

2N5190 2N5191 2N5192

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.6

1.4

1.2

V

1.0

mA

0.1

mA

V

CE

=40V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125

V

CE

=60V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125

V

CE

=80V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125

V

EB

= 5V ;我

C

=0

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

1.0

mA

25

h

FE-1

直流电流增益

2N5191

2N5192

2N5190

10

h

FE-2

直流电流增益

2N5191

2N5192

f

T

跃迁频率

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1MHz

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

7

2

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

20

100

80

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5190 2N5191 2N5192

图2外形尺寸

3

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2N5190 2N5191 2N5192

描述

·带

TO- 126封装

.Complement

键入2N5193 /五千一百九十五分之五千一百九十四

优秀

安全工作区

应用

For

在中等功率的线性和使用

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N5190

2N5191

固电

IN

导½

半

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

NG

HA

C

2N5192

2N5190

2N5191

SEM

发射极开路

ND

ICO

条件

器

UC

价值

40

60

80

40

60

80

单位

V

开基

V

2N5192

集电极开路

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

5

4

7

1

V

A

W

℃

T

C

=25℃

40

150

-65~150

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

3.12

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5190

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5191

2N5192

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

2N5190

I

首席执行官

集电极截止电流

2N5191

2N5192

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 4A ，我

B

=1A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CB

= 40V ;我

E

=0

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

CB

= 80V ;我

E

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N5190 2N5191 2N5192

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.6

1.4

1.2

V

1.0

mA

I

CBO

电半

固

IN

集电极截止电流

导½

2N5190

2N5191

2N5192

2N5190

2N5191

I

CEX

集电极截止电流

I

EBO

发射极截止电流

SEM

NG

HA

C

2N5192

2N5190

2N5191

2N5192

2N5190

V

CE

=40V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=60V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=80V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

ND

ICO

器

UC

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

1.0

0.1

mA

25

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

20

100

80

10

h

FE-2

直流电流增益

2N5191

2N5192

f

T

跃迁频率

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1MHz

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

7

2

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5190 2N5191 2N5192

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸

3

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2N5190 2N5191 2N5192

描述

·带

TO- 126封装

.Complement

键入2N5193,2N5194,2N5195

优秀

安全工作区

应用

For

在中等功率的线性和使用

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2N5190

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5191

2N5192

2N5190

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5191

2N5192

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

40

60

80

5

4

7

1

40

150

-65~150

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

3.12

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5190

V

首席执行官

集电极 - 发射极

维持电压

2N5191

2N5192

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压

发射基电压上

2N5190

I

首席执行官

集电极截止电流

2N5191

2N5192

2N5190

I

CBO

集电极截止电流

2N5191

2N5192

2N5190

I

CEX

集电极截止电流

2N5191

2N5192

I

EBO

发射极截止电流

2N5190

I

C

= 1.5A ;我

B

=0.15A

I

C

= 4A ，我

B

=1A

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

V

CE

= 40V ;我

B

=0

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

= 80V ;我

B

=0

V

CB

= 40V ;我

E

=0

V

CB

= 60V ;我

E

=0

V

CB

= 80V ;我

E

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

2N5190 2N5191 2N5192

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.6

1.4

1.2

V

1.0

mA

0.1

mA

V

CE

=40V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=60V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

CE

=80V; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

0.1

2.0

0.1

2.0

0.1

2.0

1.0

mA

25

h

FE-1

直流电流增益

2N5191

2N5192

2N5190

10

h

FE-2

直流电流增益

2N5191

2N5192

f

T

跃迁频率

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1MHz

I

C

= 4A ; V

CE

=2V

7

2

I

C

= 1.5A ; V

CE

=2V

20

100

80

兆赫

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硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5190 2N5191 2N5192

图2外形尺寸

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