2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列

Vishay Siliconix公司

P沟道JFET的

2N5114JAN/JANTX/JANTXV

2N5115JAN/JANTX/JANTXV

2N5116JAN/JANTX/JANTXV

产品概述

产品型号

2N5114

2N5115

2N5116

V

GS （ OFF ）

(V)

5至10

3至6

1至4

r

DS （ ON）

最大值（W）的

75

100

150

I

D（关闭）

典型值（PA ）

–10

–10

–10

t

ON

马克斯（ NS ）

16

30

42

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： 2N5114 <75

W

快速切换-T

ON

： 16纳秒

高关断隔离-I

D（关闭）

： -10 pA的

低电容： 6 pF的

低插入损耗

好处

D

D

D

D

D

低电压错误

高速模拟电路的性能

可以忽略不计“关错误”，出色的精度

良好的频率响应

消除了额外的缓冲

应用

D

D

D

D

D

模拟开关

菜刀

采样和保持

通常情况下“开”开关

限流

描述

该2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列由

p沟道JFET的模拟开关的设计，以提供低

的导通电阻，良好的关断隔离，和快速切换。这些

JFET的是在互补开关应用进行了优化

应用程序与日前，Vishay Siliconix的2N4856A系列。

TO-206AA

(TO-18)

S

1

2

G

例

顶视图

3

D

绝对最大额定值

栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V

栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V

栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C

工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至200_C

文档编号： 70261

S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01

焊接温度（

1

/

16

“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C

功耗

a

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦

笔记

一。减免3毫瓦/ _C以上25_C

www.vishay.com

9-1

2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列

Vishay Siliconix公司

规格（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

范围

2N5114

2N5115

2N5116

参数

STATIC

栅极 - 源

击穿电压

栅源截止电压

饱和漏极电流

b

符号

测试条件

典型值

a

MIN MAX MIN

最大最小

最大单位

V

（ BR ） GSS

V

GS （ OFF ）

I

DSS

I

G

= 1

mA

, V

DS

= 0 V

V

DS

= -15 V，I

D

= -1 nA的

V

DS

= –18 V

V

GS

= 0 V

V

DS

= –15 V

45

30

5

–30

10

–90

30

3

6

30

V

1

4

mA

pA

mA

–15

5

0.01

–5

–10

–10

–10

–0.02

–0.02

–0.02

–1.0

–0.7

–0.5

75

–0.7

–1

–1.3

–1

–500

500

1

–60

500

1

–5

–25

500

1

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

门反向电流

门工作电流

c

I

GSS

I

G

T

A

= 150_C

V

DG

= -15 V，I

D

= -1毫安

V

GS

= 12 V

V

DS

= –15 V

排水截止电流

I

D（关闭）

V

DS

= –15 V

T

A

= 150_C

V

GS

= 7 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 12 V

V

GS

= 7 V

V

GS

= 5 V

I

D

= -15毫安

漏源电压

V

DS （ ON）

V

GS

= 0 V

I

D

= -7毫安

I

D

= -3毫安

漏源导通电阻

门源正向电压

r

DS （ ON）

V

GS （ F）

V

GS

= 0 V，I

D

= -1毫安

I

G

= -1毫安，V

DS

= 0 V

–500

–500

pA

–1

–1

m

mA

–0.8

–0.6

100

–1

150

–1

V

W

V

动态

漏源导通电阻

共源

输入电容

共源

反向传输电容

r

DS （ ON）

C

国际空间站

V

GS

= 0 V，I

D

= 0毫安中，f = 1千赫

V

DS

= –15 V, V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

GS

= 12 V

C

RSS

V

DS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

GS

= 7 V

V

GS

= 5 V

20

5

6

6

75

25

7

7

7

100

25

175

27

pF

W

开关

开启时间

t

D（上）

t

r

打开-O FF时间

t

D（关闭）

t

f

笔记

一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

B 。脉冲测试： PW

v300

ms

占空比

v3%.

。该参数不符合JEDEC注册。

见开关电路

6

15

8

30

20

60

PSCIA

6

10

10

20

25

35

ns

www.vishay.com

9-2

文档编号： 70261

S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01

2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列

Vishay Siliconix公司

开关时间测试电路

2N5114

V

DD

V

GG

R

L

*

R

G

*

I

D（上）

V

GS （H ）

V

GS （ L）

*无感

–10 V

20 V

430

W

100

W

?? 15毫安

0V

–11 V

V

GG

–V

DD

2N5115

–6 V

12 V

910

W

220

W

-7毫安

0V

–7 V

2N5116

–6 V

8V

2000

W

390

W

-3毫安

0V

–5 V

51

W

1.2千瓦

采样

范围

51

W

51

W

V

GS （ L）

V

GS （H ）

0.1

mF

1.2千瓦

R

L

R

G

7.5千瓦

输入脉冲

上升时间< 1纳秒

下降时间< 1纳秒

脉冲宽度为100ns

PRF 1兆赫

采样示波器

上升时间0.4纳秒

输入阻抗10兆瓦

输入电容1.5 pF的

见典型特性曲线的变化。

文档编号： 70261

S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

9-3

2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列

Vishay Siliconix公司

P沟道JFET的

2N5114JAN/JANTX/JANTXV

2N5115JAN/JANTX/JANTXV

2N5116JAN/JANTX/JANTXV

产品概述

产品型号

2N5114

2N5115

2N5116

V

GS （ OFF ）

(V)

5至10

3至6

1至4

r

DS （ ON）

最大值（W）的

75

100

150

I

D（关闭）

典型值（PA ）

–10

–10

–10

t

ON

马克斯（ NS ）

16

30

42

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： 2N5114 <75

W

快速切换-T

ON

： 16纳秒

高关断隔离-I

D（关闭）

： -10 pA的

低电容： 6 pF的

低插入损耗

好处

D

D

D

D

D

低电压错误

高速模拟电路的性能

可以忽略不计“关错误”，出色的精度

良好的频率响应

消除了额外的缓冲

应用

D

D

D

D

D

模拟开关

菜刀

采样和保持

通常情况下“开”开关

限流

描述

该2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列由

p沟道JFET的模拟开关的设计，以提供低

的导通电阻，良好的关断隔离，和快速切换。这些

JFET的是在互补开关应用进行了优化

应用程序与日前，Vishay Siliconix的2N4856A系列。

TO-206AA

(TO-18)

S

1

2

G

例

顶视图

3

D

绝对最大额定值

栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V

栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V

栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C

工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至200_C

文档编号： 70261

S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01

焊接温度（

1

/

16

“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C

功耗

a

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦

笔记

一。减免3毫瓦/ _C以上25_C

www.vishay.com

9-1

2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列

Vishay Siliconix公司

规格（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

范围

2N5114

2N5115

2N5116

参数

STATIC

栅极 - 源

击穿电压

栅源截止电压

饱和漏极电流

b

符号

测试条件

典型值

a

MIN MAX MIN

最大最小

最大单位

V

（ BR ） GSS

V

GS （ OFF ）

I

DSS

I

G

= 1

mA

, V

DS

= 0 V

V

DS

= -15 V，I

D

= -1 nA的

V

DS

= –18 V

V

GS

= 0 V

V

DS

= –15 V

45

30

5

–30

10

–90

30

3

6

30

V

1

4

mA

pA

mA

–15

5

0.01

–5

–10

–10

–10

–0.02

–0.02

–0.02

–1.0

–0.7

–0.5

75

–0.7

–1

–1.3

–1

–500

500

1

–60

500

1

–5

–25

500

1

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

门反向电流

门工作电流

c

I

GSS

I

G

T

A

= 150_C

V

DG

= -15 V，I

D

= -1毫安

V

GS

= 12 V

V

DS

= –15 V

排水截止电流

I

D（关闭）

V

DS

= –15 V

T

A

= 150_C

V

GS

= 7 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 12 V

V

GS

= 7 V

V

GS

= 5 V

I

D

= -15毫安

漏源电压

V

DS （ ON）

V

GS

= 0 V

I

D

= -7毫安

I

D

= -3毫安

漏源导通电阻

门源正向电压

r

DS （ ON）

V

GS （ F）

V

GS

= 0 V，I

D

= -1毫安

I

G

= -1毫安，V

DS

= 0 V

–500

–500

pA

–1

–1

m

mA

–0.8

–0.6

100

–1

150

–1

V

W

V

动态

漏源导通电阻

共源

输入电容

共源

反向传输电容

r

DS （ ON）

C

国际空间站

V

GS

= 0 V，I

D

= 0毫安中，f = 1千赫

V

DS

= –15 V, V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

GS

= 12 V

C

RSS

V

DS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

GS

= 7 V

V

GS

= 5 V

20

5

6

6

75

25

7

7

7

100

25

175

27

pF

W

开关

开启时间

t

D（上）

t

r

打开-O FF时间

t

D（关闭）

t

f

笔记

一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

B 。脉冲测试： PW

v300

ms

占空比

v3%.

。该参数不符合JEDEC注册。

见开关电路

6

15

8

30

20

60

PSCIA

6

10

10

20

25

35

ns

www.vishay.com

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文档编号： 70261

S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01

2N5114JAN / JANTX / JANTXV系列

Vishay Siliconix公司

开关时间测试电路

2N5114

V

DD

V

GG

R

L

*

R

G

*

I

D（上）

V

GS （H ）

V

GS （ L）

*无感

–10 V

20 V

430

W

100

W

?? 15毫安

0V

–11 V

V

GG

–V

DD

2N5115

–6 V

12 V

910

W

220

W

-7毫安

0V

–7 V

2N5116

–6 V

8V

2000

W

390

W

-3毫安

0V

–5 V

51

W

1.2千瓦

采样

范围

51

W

51

W

V

GS （ L）

V

GS （H ）

0.1

mF

1.2千瓦

R

L

R

G

7.5千瓦

输入脉冲

上升时间< 1纳秒

下降时间< 1纳秒

脉冲宽度为100ns

PRF 1兆赫

采样示波器

上升时间0.4纳秒

输入阻抗10兆瓦

输入电容1.5 pF的

见典型特性曲线的变化。

文档编号： 70261

S- 04030 -REV 。 E， 04军， 01

www.vishay.com

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