【】,IC型号2N5109,2N5109 PDF资料,2N5109经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 39案例（续）

型号

描述

VCBO

(V)

VCEO

(V)

* VCER

VEBO

(V)

ICBO @

(A)

* ICEO

** ICES

*** ICEV

**** ICER

民

4.0

7.0

6.5

5.0

7.0

6.0

3.0

5.5

6.0

5.5

6.0

5.5

6.0

5.5

6.0

5.0

7.0

5.0

6.0

4.0

6.0

4.0

5.0

3.5

1.00

0.01

100**

0.05

5.00***

1.00**

0.50

1.00**

100

10**

5.00

10

50

1.00

10***

150

60

50

30

20

100

35

60

30

100

75

100

75

90

60

80

100

175

280

100

120

100

120

75

60

45

民

20

100

25

40

35

30

40

30

70

30

70

30

70

35

30

40

30

40

30

60

30

60

30

40

20

最大

200

300

100

150

120

90

200

90

200

90

200

--

130

250

130

250

120

150

120

240

120

240

150

120

150

100

10

150

500

30

50

1,000

2,500

500

100

500

1,000

2,000

50

250

1,000

1,200

1,600

10

1.0

25

15

5.0

1.0

4.0

2.0

10

2.0

最大

5.00

0.25

0.50

0.80

0.70

1.00

0.50

0.85

5.00

0.85

5.00

0.75

1.00

0.80

0.50

0.80

0.70

1.20

1.00

0.70

2.50

1.00

0.50

0.75

1.00

10

150

500

1.0

30

100

2,000

3,000

2,000

3,000

2,500

1.0

1,000

500

2,000

50

500

1,000

1,200

1,600

VCB

(V)

的hFE

@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT

（MA ）

(V)

（毫安）（兆赫）

* TYP

COB

（PF ）

* TYP

吨

（纳秒）

* TYP

花花公子

（纳秒）

* TYP

NF

（ dB）的

* TYP

民

2N4930

2N4931

2N4943

2N4960

2N5022

2N5023

2N5058

2N5059

2N5109

2N5147

2N5148

2N5149

2N5150

2N5151

2N5152

2N5153

2N5154

2N5189

2N5262

2N5320

2N5321

2N5322

2N5323

2N5333

2N5334

2N5335

2N5336

2N5337

2N5338

2N5339

2N5415

2N5416

2N5679

2N5680

2N5681

2N5682

2N5781

2N5782

2N5783

PNP高压

NPN幅度/ SWITCH

PNP核心驱动力

NPN高压

NPN高频

民

200

250

80

60

50

30

300

250

20

80

35

50

75

50

75

50

80

60

80

100

200

350

100

120

100

120

65

50

40

民

20

12

250

170

200

30

1,200

--

60

70

60

70

250

50

30

40

30

15

30

8.0

最大

20

--

15

25

10

3.5

--

70

250

12

--

75

250

25

50

--

最大

--

40

--

40

30

80

100

--

最大

--

90

--

70

60

800

1,000

--

最大

--

3.0*

--

200

250

120

60

50

30

300

250

40

100

60

75

100

75

100

75

100

60

80

100

200

350

100

120

100

120

80

65

45

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

PNP HIGH CURRENT

NPN HIGH CURRENT

NPN核心驱动力

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN快速开关

NPN HIGH CURRENT

PNP高压

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

64

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

数据表号2C5109

芯片型号2C5109

几何1007

极性NPN

通用封装器件：

2N5109

芯片型号

2C5109

通过Semicoa半自动

导体提供了性能

类似于这些设备。

型号：

产品简介：

应用范围：

专为宽带应用。我们 -

能够作为高频率电流模式

切换到200毫安。

产品特点：

特色

FT = 1200 MHz（典型值）为50mA / 15V

2N5109,

2N5109UB ， SD5109 ， SD5109F ，

SQ5109 ， SQ5109F

机械的特定网络阳离子

金属化

焊盘尺寸

模具厚度

芯片面积

顶面

顶部

背面

辐射源

BASE

艾尔 - 嘉15分钟。

金 - 6.5 KA NOM 。

3.4密耳X 3.0密耳

8密耳的名义

15密耳×20密耳

SILOX钝化

电气特性

T

A

= 25

o

C

参数

BV

CER

BV

首席执行官

I

首席执行官

I

EBO

h

FE1

h

FE2

测试条件

I

C

= 5.0毫安，R

BE

= 10欧姆

I

C

= 5.0毫安

V

CE

= 15 V DC

V

BE

= 3.0 V直流

I

C

= 360毫安， V

CE

= 3.0 V直流

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 15 V DC

民

40

20

---

5.0

40

最大

---

20

100

---

120

单位

V DC

A

---

由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于

超过300微秒，比2 ％的占空比少。

140 COMMERCE DRIVE

蒙哥马利， PA

18936-1013

电话：（ 215 ） 631-9840

传真：（ 215 ） 631-9855

2N5109

RF &微波离散

小功率三极管

特点

硅NPN ， TO- 39封装的VHF / UHF晶体管

1.2 GHz的电流增益带宽积@ 50毫安

最大单向增益= 12分贝（典型值） @ 200 MHz的

1.发射器

2.基

3.收集

TO-39

描述：

硅NPN晶体管，专为VHF和UHF设备。应用包括放大器;预驱动器，驱动器，并

输出级。也适合于振荡器和频率倍增功能。

绝对最大额定值

（ TCASE = 25

°

C)

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

IC

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

价值

20

40

3.0

400

单位

VDC

mA

热数据

P

D

器件总功耗@ T

C

= 75C (1)

减免上述25℃

2.5

20

瓦

毫瓦/°C的

注意在T 1，器件总功耗

A

=

25℃是1瓦。

MSC1304.PDF 99年10月25日

2N5109

电气特性（温度上限= 25

°

C)

STATIC

（关闭）

符号

BVCEO （ SUS）

BVCER （ SUS）

ICEO

IEBO

测试条件

分钟。

集电极 - 发射极电压维持

（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 发射极电压维持

（ IC = 5.0 MADC ， RBE = 10欧姆）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 15 VDC ， IB = 0 ）

发射Cuto FF电流

（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）

20

40

-

价值

典型值。

-

马克斯。

-

20

100

单位

VDC

A

（上）

的hFE

直流电流增益

（ IC = 360 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

（ IC = 50 MADC ， VCE = 15.0伏）

5

40

-

120

-

动态

符号

f

T

测试条件

分钟。

电流增益 - 带宽积

（ IC = 50 MADC ， VCE = 15 VDC ， F = 200兆赫）

-

价值

典型值。

1200

马克斯。

-

单位

兆赫

MSC1304.PDF 99年10月25日

2N5109

实用

符号

测试条件

分钟。

最大单向增益（ 1 ）

最大可用增益

插入增益

IC = 50 MADC ， VCE = 15V直流，

F = 200 MHz的

IC = 50 MADC ， VCE = 15V直流，

F = 200 MHz的

IC = 50 MADC ， VCE = 15V直流，

F = 200 MHz的

价值

典型值。

12

11.2

10.5

马克斯。

-

单位

dB

G

ü最大

-

9.5

MAG

2

|S

21

|

表1.共发射极S参数， @ VCE = 15 V ， IC = 50毫安

f

S11

（兆赫）

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

|S11|

.082

.255

.288

.298

.368

.404

.462

..

.503

.593

.655

∠φ

167

172

132

137

126

121

116

110

105

95

S21

|S21|

6.77

3.56

2.39

1.91

1.61

1.38

1.28

1.21

1.11

1.02

∠φ

87

71

61

50

41

33

27

18

12

9.8

S12

|S12|

.073

.135

.217

.271

.320

.390

.477

.513

.535

.604

∠φ

79

71

70

62

55

54

48

38

33

35

S22

|S22|

.347

.259

.247

.216

.172

.174

.163

.190

.246

.320

∠φ

-30

-35

-46

-76

-94

-115

-145

176

140

122

MSC1304.PDF 99年10月25日

2N5109

射频低功率PA， LNA ，和通用RF离散选择指南

GPE频率（MHz ）

效率（％）

IC最大（MA ）

顾MAX（分贝）

建行（PF ）

BVCEO

IC最大（MA ）

3.5

20

30

1

3

1

2.6

12

15

25

15

12

15

1

15

12

16

2.2

17

400

50

40

150

30

50

35

100

200

30

50

40

200

噘嘴（瓦特）

频率（MHz ）

NF（ dB）的

NF IC （MA ）

NF VCE

包

设备

SO-8

TO-39

POWER指令

TO-39

TO-72

MA C R ○×

TO-39

SO-8

P O w制备ER MA C R

MA C R ○×

SO-8

P O w制备ER MA C R

MRF4427 ， R2

2N4427

MRF553

MRF553T

MRF607

2N6255

2N5179

MRF559

2N3866A

MRF555

MRF555T

MRF559

MRF8372,R1,R2

MRF557

MRF557T

NPN 175

NPN 200

NPN 5 1 2

NPN 4 0 0

NPN 4 7 0

NPN型8 7 0

0.15

1

1.5

1.75

3

18

10

11.5

7.8

20

60

50

60

50

12

12.5

6

20

16

18

12

16

30

16

400

500

330

1000

50

150

400

150

200

400

TO-39

SO-8

TO-72

TO-39

TO-72

万家乐牛逼

2N5109

MRF5943C

MRF5943中，R1， R2的

2N5179

2N2857

MRF517

MRF904

2N6304

BFR91

BFR96

MRF5812中，R1， R2的

MRF581A

BFR90

BFY90

MRF914

MRF581

MRF586

NPN

200

300

450

500

3

3.4

4.5

5.5

7.5

1.5

5

1.9

2

2.4

2.5

3

10

30

1.5

50

5

2

10

50

2

5

50

90

15

6

15

6

5

10

5

10

15

11

15.5

14

15

11

GN （ dB）的

12

11.4

15

17

13

5.5

11

14

16.5

14.5

17.8

15

18

20

15

17.8

14.5

1200

1000

1300

900

1600

4600

4000

1400

5000

500

5000

1300

4500

5000

4500

0.5

1

1.5

0.5

0.75

1.5

10

13

10

11

6.5

9.5

8

65

60

45

50

70

65

55

7.5

12.5

28

12.5

7.5

12.5

万家乐牛逼

SO-8

万家乐X

万家乐

TO-72

万家乐X

TO-39

M R F 3 8 6 6 ， R 1，R 2的NPN 4 0 0

万家乐X

万家乐牛逼

TO-39

MRF951

MRF571

BFR91

BFR90

MRF545

MRF544

NPN 1000

PNP

NPN

1.3

1.5

2.5

3

5

10

2

6

5

10

14

10

8

10

17

8000

Ftau （兆赫）

GPE （ dB）的

GPE VCC

包

设备

BVCEO

TYPE

0.45

1

2

10

12

15

70

100

70

35

30

400

11

5000

12.5 5000

14

13.5

1400

1500

RF （低功率PA /通用）选择指南

RF （ LNA /通用）选择指南

低成本RF塑料包装选项

1

2

4

3

1

8

万家乐牛逼

MSC1304.PDF 99年10月25日

万家乐X

POWER指令

SO-8

2N5109

MSC1304.PDF 99年10月25日

数据表号2N5109

型号2N5109

几何

1007

极性NPN

QUAL等级： JAN - JANTXV

产品特点：

VHF- UHF放大器的硅晶体管

器。

装在

TO-39

情况。

还采用芯片形式提供

该

1007

芯片的几何形状。

显示的最小和最大限值

每

MIL-PRF-19500/398

哪

Semicoa满足于所有情况。

通用型号：

2N5109

REF ： MIL -PRF-四百五十三分之一万九千五百

TO-39

最大额定值

T

C

= 25

o

C除非另有说明

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

25功耗

o

C环境

减免上述25

o

C

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

等级

20

40

3.0

0.4

1.0

5.71

-65到+200

单位

V

A

W

毫瓦/

o

C

o

T

J

T

英镑

C

o

数据表号2N5109

电气特性

T

C

= 25

o

C除非另有说明

开关特性

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 5毫安

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 5毫安，R

2

= 10欧姆

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 100 A

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 15 V

集电极 - 发射极截止电流

o

V

CE

= 15 V ，T

C

= +175 C

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CER

V

（ BR ） EBO

I

CEO1

I

CEO2

民

40

20

40

3.0

---

最大

---

20

5.0

单位

V

A

mA

基本特征

正向电流传输比

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 15 V （脉冲）

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5.0 V （脉冲）

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 100毫安，我

B

= 50 mA（脉冲电流）

符号

h

FE1

h

FE2

V

CE(sat)1

民

40

15

---

最大

150

---

0.5

单位

---

V DC

小信号特性

共发射极，小信号，短路的幅度

符号

民

5.0

6.0

5.0

---

11

---

11

最大

10

11

10.5

3.5

-57

3.5

---

单位

---

pF

dB

电流传输比

I

C

= 25 mA时， V

CE

= 15 V ， F = 200 MHz的

I

C

= 25 mA时， V

CE

= 15 V ， F = 200 MHz的

I

C

= 25 mA时， V

CE

= 15 V ， F = 200 MHz的

开路输出电容

V

CB

= 28 V，I

E

= 0 ， 100千赫< F < 1兆赫

功率增益（窄带）电流

V

CC

= 15 V，I

C

= 50 mA时， F = 200 MHz的

交叉调制

V

CC

= 15 V，I

C

= 50 mA时， F = 200 MHz的

54 dBm的V outpuot

噪声系数

V

CC

= 15 V，I

C

= 50 mA时， F = 200 MHz的

电压增益（宽带）

V

CC

= 15 V，I

C

= 50毫安中，f = 50至216兆赫

| HFE |

C

敖包

G

PE

cm

NF

G

VE

2N5109

硅

NPN晶体管RF

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

描述：

中央SEMICONDUCTOR 2N5109是

NPN硅外延平面RF晶体管安装

在密封包装物设计用于高

频放大器的应用。

标记：全部型号

TO- 39案例

最大额定值：

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

集电极 - 基极电压

VCBO

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

连续基极电流

功耗

功率耗散（ TC = 75 ° C）

工作和存储结温

VCEO

VEBO

IC

IB

PD

TJ ， TSTG

单位

V

mA

W

°C

单位

mA

μA

V

0.5

40

5.0

1200

3.5

3.0

11

兆赫

pF

dB

210

V

40

20

3.0

400

1.0

2.5

-65到+200

最大

5.0

20

100

电气特性：

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

典型值

ICEV

VCE = 35V ， VBE = 1.5V

ICEV

ICEO

IEBO

BVCBO

BVcer

BVCEO

VCE （ SAT ）

的hFE

fT

COB

NF

GPE

VCE = 15V ， VBE = 1.5V ， TC = 150℃

VCE=15V

VEB=3.0V

IC=0.1mA

IC = 5.0毫安， RBE = 10Ω

IC=5.0mA

IC = 100mA时IB = 10毫安

VCE = 15V ， IC = 50毫安

VCE = 5.0V ， IC = 360毫安

VCE = 15V ， IC = 50mA时F = 200MHz的

VCB = 15V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

VCE = 15V ， IC = 10毫安中，f = 200MHz的

VCE = 15V ， IC = 50mA时F = 200MHz的

40

20

R4 （ 2011年7月）

2N5109

硅

NPN晶体管RF

TO- 39案例 - 机械外形

前导码：

1 ）发射

2 ）基

3 ）集电极

标记：全部型号

R4 （ 2011年7月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层

RF &微波离散

小功率三极管

特点

低噪声 - 2.5 dB的500 MHZ

增益最佳的噪声系数= 15.5分贝@ 500 MHz的

Ftau - 5.0 GHz的@ 10V ， 75毫安

高性价比MacroX套餐

万家乐X

描述：

专为高电流，低功耗，低噪声，放大器高达1.0 GHz的。

绝对最大额定值

（ TCASE = 25

°

C)

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

MRF581

18

30

2.5

200

MRF581A

15

单位

VDC

mA

热数据

P

D

器件总功耗@ TC = 50℃

减免上述50℃

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

存储结温范围

-65到+150

最高结温

150

C

2.5

25

1.25

10

瓦

毫瓦/°C的

瓦

毫瓦/°C的

TSTG

T

JMAX

修订A- 2008年12月

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MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

电气特性（温度上限= 25

°

C)

STATIC

（关闭）

符号

BVCEO

BVCBO

BVEBO

ICBO

IEBO

测试条件

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 15 VDC ， VBE = 0伏）

发射Cuto FF电流

（VBE = 2.5伏）

MRF581

MRF581A

价值

分钟。

18

15

30

2.5

-

典型值。

-

马克斯。

-

0.1

单位

VDC

mA

（上）

的hFE

直流电流增益

（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

MRF581

MRF581A

50

90

-

200

250

-

动态

符号

COB

Ftau

测试条件

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

电流增益带宽积

（ IC = 75 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千兆赫）

价值

分钟。

-

典型值。

2.0

5.0

马克斯。

3.0

-

单位

pF

GHz的

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MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

实用

符号

NF

测试条件

噪声系数（ 50欧姆）

（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）

功率增益@ NFmin

（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）

最大单向增益（ 1 ）

IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的

最大稳定增益

IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的

插入增益

IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的

价值

分钟。

-

13

-

14

典型值。

3.0

15.5

17.8

20

15

-

马克斯。

3.5

单位

dB

G

NF

ü最大

味精

|S

21

|

2

表1.共发射极S参数， @ VCE = 10 V ， IC = 50毫安

f

S11

S21

S12

S22

（兆赫）

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

|S11|

.610

.659

.671

.675

.677

.678

.677

.679

.678

.682

∠φ

-137

-161

-171

-178

176

172

168

184

160

156

|S21|

23.8

13.2

9.0

6.8

5.5

4.6

4.0

3.5

3.1

2.8

∠φ

116

98

89

83

77

72

68

64

60

56

|S12|

.026

.033

.040

.047

.055

.064

.073

.082

.092

.102

∠φ

46

47

51

55

58

61

62

63

64

65

|S22|

.522

.351

.304

.292

.293

.299

.306

.314

.322

.311

∠φ

-78

-106

-120

-128

-132

-134

-135

-136

-138

-139

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MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

C1 ， C4 ， C5 ， C6 ， C8 ， C9 - 1000 PF，贴片电容

C7, C10 — 10

F,

钽电容

RFC - VK- 200 ， Ferroxcube公司

TL1 ， TL7 ， TL8 - 微带0.162 ， X 0.600 ，

TL3 - 微带0.162 ， X 0.800 ，

TL5 - 微带0.120 ， X 0.440 ，

TL9 ， TL10 - 微带0.025 ， X 4.250 ，

板材料 - 0.0625 ，厚厚的玻璃铁氟龙

ε

r = 2.55

C2 ， C3 - 1.0-10 PF，约翰森电容器

R1 - 1.0 kΩ的水库。

FB - 铁氧体磁珠， Ferroxcube公司， 56-590-65 / 3B

TL2 - 微带0.162 ， X 1.000 ，

TL4 - 微带0.162 ， X 0.440 ，

TL6 - 微带0.120 ， X 1.160 ，

图1.最小噪声系数和增益@最小噪声系数。

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MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

射频低功率PA， LNA ，和通用离散选择指南

GPE频率（MHz ）

效率（％）

顾MAX（分贝）

IC最大（MA ）

建行（PF ）

BVCEO

IC最大（MA ）

3.5

20 400

30 400

1

3

1

2.6

噘嘴（瓦特）

NF（ dB）的

NF IC （MA ）

NF VCE

GN （ dB）的

频率（MHz ）

设备

SO-8

TO-39

POWER指令

TO-39

TO-72

MRF4427 ， R2

2N4427

MRF553

MRF553T

MRF607

2N6255

2N5179

NPN

175 0.15

175

1

175 1.5

175 1.75

175

3

200

512

400

470

0.5

1

1.5

18

10

11.5

7.8

20

10

13

10

11

6.5

9.5

8

60

50

60

50

12

12.5

6

20 400

16 500

16 330

18 1000

12 50

TO-39

SO-8

TO-72

TO-39

TO-72

万家乐牛逼

SO-8

万家乐X

万家乐

TO-72

万家乐X

TO-39

2N5109

MRF5943C

2N5179

2N2857

MRF517

MRF904

2N6304

BFR91

BFR96

MRF581A

BFR90

BFY90

MRF914

MRF581

MRF586

NPN 200

NPN 300

NPN 450

NPN 500

3

10 15

12

15

17

13

1200

1300

900

1600

3.4 30 15

4.5 1.5

5.5 50

6

11.4 1000

MRF5943中，R 1 ，R 2的NPN 200

Ftau （兆赫）

4000

1400

5000

1300

4500

GPE （ dB）的

GPE VCC

包

BVCEO

设备

TYPE

PACKAG

TYPE

12 50

15 40

25 150

15 30

15 50

12 35

15 100

15 200

7.5 50 15

1.5

5

1.9

2

2.4

2.5

3

5

2

6

5

11

5.5 4600

11

14

16.5 5000

14.5 500

万家乐X

MRF559

万家乐X

MRF559

TO-39

2N3866A

SO-8

MRF3866中，R1， R2的

POWER指令

MRF555

POWER指令

MRF555T

65 7.5 16 150

60 12.5 16 150

45 28 30 400

50 12.5 16 400

70

65

55

7.5

12.5

16

150

200

400

10 10

50 10

2

5

10

5

10

15

11

14

15

MRF5812中，R 1 ，R 2的NPN 500

50 10 15.5 17.8 5000

15

18

20

15

1

15 30

15 50

12 40

16 200

2.5 50 10

90 15

17.8 5000

14.5 4500

2.2

17 200

万家乐X

MRF559

NPN 870 0.5

万家乐X

MRF559

NPN 870 0.5

SO-8

MRF8372中，R 1 ，R 2的NPN 870 0.75

POWER指令

MRF557

NPN 870 1.5

POWER指令

MRF557T

NPN 870 1.5

万家乐X

万家乐牛逼

MRF951

MRF571

BFR91

BFR90

NPN 1000 1.3

NPN 1000 2.5

NPN 1000

3

5

2

6

5

10

14

10

8

10

17

11

8000 0.45 10 100

8000

5000

1

10 70

12 35

15 30

NPN 1000 1.5 10

12.5 5000

TO-39

MRF545

MRF544

PNP

NPN

14

1400

2

70 400

13.5 1500

RF （低功率PA /通用）选择指南

RF （ LNA /通用）选择指南

低成本RF塑料包装选项

1

4

3

2

4

2

8

1

5

4

万家乐牛逼

万家乐X

动力

SO-8

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2N5109

NPN硅高频三极管

封装形式TO- 39

描述：

该

2N5109

是一个高频

晶体管通用

放大器应用。

最大额定值

I

C

V

CE

P

DISS

400毫安

20 V

为1.0W @ T

A

= 25 C

O

2.5瓦@ T

C

= 75 C

O

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

特征

符号

BV

首席执行官

BV

CER

BV

CBO

I

CEX

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

f

t

C

OB

N

F

G

ve

P

in

I

C

= 5.0毫安

I

C

= 5.0毫安

I

C

= 100

A

V

CE

= 35 V

V

CE

= 15 V

V

CE

= 15 V

V

EB

= 3.0 V

V

CE

= 15 V

V

CE

= 5.0 V

I

C

= 100毫安

V

CE

= 15 V

V

CB

= 15 V

T

A

= 25 C

O

无

测试条件

R

BE

= 10

V

BE

= -1.50 V

V

BE

= -1.50 V T，

C

= 150 C

O

最低

20

40

典型

最大

单位

V

5.0

20

100

mA

A

---

V

兆赫

I

C

= 50毫安

I

C

= 360毫安

I

B

= 10毫安

I

C

= 50毫安

F = 200 MHz的

F = 1.0 MHz的

40

5.0

220

0.5

1200

3.5

3.0

1.1

0.1

pF

dB

W

V

CE

= 15 V I

C

= 10毫安

G

= 50

F = 200 MHz的

V

CC

= 15 V I

C

= 50毫安

F = 50 216兆赫

V

CC

= 15 V I

C

= 50毫安卢比= 50

F = 200 MHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1202

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

1/1