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2N5087
首选设备
晶体管放大器
PNP硅
特点
无铅包可用*
http://onsemi.com
3收藏家
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
50
50
3.0
50
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
风格1
2
BASE
1辐射源
3
直引线
散装
12
1
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2N
5087
AYWW
G
G
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
2N5087
2N5087G
2N5087RLRAG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000/T
猿&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术参考
手动， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年3月 - 第4版
出版订单号：
2N5087/D
2N5087
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 35 VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100
MADC ，
V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
(I
C
= 20
MADC ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
(I
C
= 100
MADC ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 3.0千瓦， F = 1.0千赫）
NF
2.0
2.0
h
fe
250
900
dB
(I
C
= 500
MADC ，
V
CE
= 5.0伏， F = 20兆赫）
f
T
40
C
cb
4.0
pF
兆赫
V
BE（上）
0.85
h
FE
250
250
250
V
CE （ SAT ）
0.3
VDC
800
VDC
I
EBO
50
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
V
（ BR ） CBO
50
I
CBO
50
NADC
NADC
V
（ BR ） CEO
50
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
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2
2N5087
典型噪声特性
(V
CE
= -5.0伏，T
A
= 25°C)
10
7.0
恩，噪声电压（NV ）
5.0
I
C
= 10
mA
30
mA
3.0
2.0
1.0毫安
100
mA
300
mA
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
中，噪声电流（PA ）
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
1.0
10
20
50
100 200
500 1.0 k
男，频率（Hz ）
2.0 k
5.0 k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
男，频率（Hz ）
5.0 k
10 k
300
mA
100
mA
30
mA
10
mA
I
C
= 1.0毫安
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈ ∞
图1.噪声电压
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
10
20
30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500 700 1.0 k
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
图2.噪声电流
RS ，源电阻（欧姆）
RS ，源电阻（欧姆）
带宽= 1.0赫兹
带宽= 1.0赫兹
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
10
20
30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500 700 1.0 k
图3.窄带， 100赫兹
图4.窄带， 1.0千赫
RS ，源电阻（欧姆）
1.0 M
500 k
200 k
100 k
50 k
20 k
10 k
5.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
100
10 Hz至15.7千赫
噪声系数的定义是：
en2
)
4KTRS
)
在2RS2 1 2
4KTRS
e
n
=晶体管的噪声电压折合到输入端。 （图3）
I
n
=晶体管的电流噪声折合到输入端。 （图4）
K =波尔兹曼常数（ 1.38 ×10
23
焦耳/ ° K）的
源电阻的T =温度（° K）
R
S
=源电阻（欧姆）
NF
+
20 LOG10
0.5分贝
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
5.0分贝
10
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1.0 k
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.宽带
http://onsemi.com
3
2N5087
典型静态特性
400
T
J
= 125°C
25°C
^ h FE ， DC电流增益
200
55°C
100
80
60
40
0.003 0.005
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
0.01
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70 100
图6.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
A
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
IC ，集电极电流（毫安）
100
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
ms
80占空比
≤
2.0%
300
mA
60
I
B
= 400
mA
350
mA
250
mA
200
mA
150
mA
0.6
0.4
40
20
0
100
mA
50
mA
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图7.集电极饱和区
图8.收藏家特点
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
T
J
= 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/2
0.8
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
0
- 55 ° C至25°C时
0.8
25 ° C至125°C
1.6
q
VB
对于V
BE
0.2
- 55 ° C至25°C时
50
100
25 ° C至125°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
2.4
0.1
0.5 1.0 2.0
5.0
10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
图9. “开”电压
图10.温度系数
http://onsemi.com
4
2N5087
典型的动态特性
500
300
200
T， TIME （ NS ）
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
1.0
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
t
r
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
1000
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
1.0
t
s
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
f
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50 70
100
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50 70 100
图11.开启时间
带宽积（兆赫）
图12.开启，关闭时间
500
T
J
= 25°C
300
200
V
CE
= 20 V
5.0 V
C，电容（pF ）
10
7.0
C
ib
5.0
T
J
= 25°C
3.0
2.0
C
ob
F T ，电流增益
100
70
50
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图13.电流增益 - 带宽积
图14.电容
20
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（K
Ω
)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
V
CE
= -10伏直流
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
V
CE
= 10 VDC
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
1.0 2.0
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
10
20
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
图15.输入阻抗
图16.输出导纳
http://onsemi.com
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2SK3668
2520LX103Z5
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26-66-0111
29705BXA
2E-6PT-5.5
2SK3426
2SK1647STL-E
248-4501-000
2SA1201_07
2SC2229Y
2SD560KB
24FC256IMS
241251238
262XR102B
204-15-T2C3-1LQA
2082-6040-01
24ICR1-15T
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：800888908 复制
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2N5087RLRAG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N5087RLRAG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2N5087RLRAG
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5000
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全新原装正品/质量有保证
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
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ON
2025+
26820
TO-226-3
【原装优势★★★绝对有货】
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电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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ON
22+
9600
T0-92
全新原装现货热卖可长期供货
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电话：0755-18503085056
联系人：郑小姐
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30000
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4550
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进口全新原装现货
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
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