分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
小信号晶体管
TO- 92案例（续）
TO-92
型号
描述
领导
CODE
(V)
民
60
40
40
120
60
60
60
50
50
35
30
25
50
50
25
25
25
30
70
25
40
25
40
40
60
40
60
60
60
40
130
160
40
50
160
180
40
30
15
40
35
35
VCBO
VCEO VEBO ICBO @ VCB
（ nA的）
(V)
(V)
* ICES
(V)
* VCES
* ICEV
民
40
40
40
80
40
30
30
50
50
30
25
25
50
50
20
25
25
30
50
25
40
25
40
40
30
30
30
30
40
40
120
150
25
30
140
160
15
15
15
15
25
25
最大
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
4.5
4.5
5.0
4.5
4.5
3.0
4.0
4.0
3.0
5.0
12
12
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
4.5
3.0
4.5
5.0
5.0
5.0
最大
100*
100*
100*
10
30
50
50
10
10
50
50
100
50
50
100
300
300
100
30
100
100
100
100
100
50
50
10
10
50
50
100
50
100
100
100
50
400
10
10
500*
100
100
35
35
35
100
40
40
40
10
10
20
15
25
35
35
10
15
15
10
50
25
40
25
40
40
40
30
30
30
30
30
100
120
20
20
100
120
20
15
8.0
20
25
25
的hFE
*的hFE
(1kHZ)
民
100
50
100
60
180
100
200
150
250
300
400
100
100
200
50
30
30
50
250
7,000
7,000
250
100
250
200
40
120
120
100
100
40
60
60
30
60
80
40
50
50
30
60
60
最大
300
150
300
400
540
300
600
500
800
900
1,200
500
300
600
800
600
600
700
500
70,000
70,000
500
300
500
400
400
--
--
300
300
180
240
300
150
250
250
120
200
120
120
200
200
@ @ VCE IC
(V)
（MA ）
VCE （ SAT ） @ IC玉米棒
(V)
（MA ）
TO-92-18R
fT
NF
花花公子
2N4401
2N4402
2N4403
2N4410
2N4424
2N4952
2N4953
2N5086
2N5087
2N5088
2N5089
2N5172
2N5209
2N5210
2N5223
2N5225
2N5226
2N5227
2N5232A
2N5306
2N5308
2N5356
2N5366
2N5367
2N5374
2N5375
2N5376
2N5377
2N5381
2N5383
2N5400
2N5401
2N5447
2N5448
2N5550
2N5551
2N5769
2N5770
2N5771
2N5772
2N5810
2N5811
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP低噪声
PNP低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PN低噪声
NPN低噪声
NPN达林顿
NPN达林顿
PNP幅度/ SWITCH
PN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
1.0
2.0
2.0
1.0
0.45
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
0.70
10
10
10
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
10
10
5.0
5.0
1.0
1.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
0.35
1.0
0.30
0.40
2.0
2.0
150
150
150
10
0.30
150
150
0.10
0.10
0.10
0.10
10
0.10
0.10
10
50
50
2.0
2.0
2.0
2.0
50
50
50
150
150
1.0
1.0
10
10
10
10
50
50
10
10
10
8.0
10
30
2.0
2.0
0.75
0.75
0.75
0.20
50
0.30
0.30
0.30
0.30
0.50
0.50
0.25
0.70
0.70
1.20
0.80
0.80
0.40
0.125
1.40
1.40
0.25
0.25
0.25
0.30
0.30
--
--
12
0.25
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
0.20
0.50
0.40
0.60
0.50
0.75
0.75
500
500
500
1.0
--
150
150
10
10
10
10
10
10
10
10
100
100
10
10
200
200
50
50
50
150
150
--
--
10
10
50
50
50
50
50
50
100
10
50
300
500
500
（ pF）的（兆赫） （ dB）的
* CRB * TYP
MAX MIN MAX MAX
6.5
250
--
255
8.5
8.5
12
--
8.0
8.0
4.0
4.0
4.0
4.0
13
4.0
4.0
4.0
20
8.0
10
4.0
10
10
8.0
8.0
8.0
10
10
8.0
8.0
4.0
4.5
6.0
6.0
12
12
6.0
6.0
4.0
1.1
3.0
5.0
15
15
150
200
60
--
250
250
40
40
50
50
200*
30
30
150
50
50
100
--
60
60
250*
250*
250*
150
150
--
--
300
250
100
100
100
100
100
100
500
800
850
350
100
100
-
--
--
--
--
--
3.0
2.0
3.0
2.0
--
3.0
2.0
--
--
--
--
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.0
4.0
8.0
8.0
--
--
10
8.0
--
--
--
--
--
--
255
255
--
--
400
400
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
18
--
20
28
--
--
PNP高压EBC
PNP高压EBC
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
CBE
CBE
NPN高压EBC
NPN高压EBC
NPN SAT SWITCH
NPN RF OSC
PNP SAT SWITCH
NPN SAT SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
EBC
EBC
EBC
EBC
CBE
CBE
器件可形成领先优势，
有关详细信息，请参阅第216页通219 。
此外，在Ammopack或磁带&卷可用，
有关详细信息，请参阅第230页通235 。
TO- 92-18R
73
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
2N5086/2N5087/MMBT5087
2N5086/2N5087/MMBT5087
PNP通用放大器
本设备是专为低层次，高增益，低
噪音通用放大器应用在
集电极电流至50mA 。
TO-92
1
1. 2.发射基地3.收藏家
3
2
SOT-23
1马克： 2Q
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
参数
价值
-50
-50
-3.0
-100
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
cb
h
fe
NF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= -10mA ，我
B
= -1.0mA
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -500μA ，V
CE
= -5.0V ， F = 20MHz的
V
CB
= -5.0V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V,
F = 1.0kHz
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 3.0kΩ ， F = 1.0KHz
I
C
= -20μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 10k
F = 10Hz到15.7KHz
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
分钟。
-50
-50
马克斯。
单位
V
V
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压*
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
集电极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
-10
-50
-50
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
150
250
150
250
500
800
nA
nA
nA
基本特征
-0.3
-0.85
40
4.0
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
600
900
3.0
2.0
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
小信号特性
dB
dB
dB
dB
2003仙童半导体公司
修订版B1 ， 2003年9月
2N5086/2N5087/MMBT5087
2N5086/2N5087/MMBT5087
PNP通用放大器
本设备是专为低层次，高增益，低
噪音通用放大器应用在
集电极电流至50mA 。
TO-92
1
1. 2.发射基地3.收藏家
3
2
SOT-23
1马克： 2Q
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
参数
价值
-50
-50
-3.0
-100
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
cb
h
fe
NF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= -10mA ，我
B
= -1.0mA
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -500μA ，V
CE
= -5.0V ， F = 20MHz的
V
CB
= -5.0V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V,
F = 1.0kHz
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 3.0kΩ ， F = 1.0KHz
I
C
= -20μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 10k
F = 10Hz到15.7KHz
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
分钟。
-50
-50
马克斯。
单位
V
V
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压*
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
集电极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
-10
-50
-50
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
150
250
150
250
500
800
nA
nA
nA
基本特征
-0.3
-0.85
40
4.0
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
600
900
3.0
2.0
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
小信号特性
dB
dB
dB
dB
2003仙童半导体公司
修订版B1 ， 2003年9月
2N5086/2N5087/MMBT5087
2N5086/2N5087/MMBT5087
PNP通用放大器
本设备是专为低层次，高增益，低
噪音通用放大器应用在
集电极电流至50mA 。
TO-92
1
1. 2.发射基地3.收藏家
3
2
SOT-23
1马克： 2Q
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
参数
价值
-50
-50
-3.0
-100
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
cb
h
fe
NF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= -10mA ，我
B
= -1.0mA
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -500μA ，V
CE
= -5.0V ， F = 20MHz的
V
CB
= -5.0V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V,
F = 1.0kHz
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 3.0kΩ ， F = 1.0KHz
I
C
= -20μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 10k
F = 10Hz到15.7KHz
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
分钟。
-50
-50
马克斯。
单位
V
V
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压*
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
集电极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
-10
-50
-50
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
150
250
150
250
500
800
nA
nA
nA
基本特征
-0.3
-0.85
40
4.0
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
600
900
3.0
2.0
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
小信号特性
dB
dB
dB
dB
2003仙童半导体公司
修订版B1 ， 2003年9月
2N5086/2N5087/MMBT5087
2N5086/2N5087/MMBT5087
PNP通用放大器
本设备是专为低层次，高增益，低
噪音通用放大器应用在
集电极电流至50mA 。
TO-92
1
1. 2.发射基地3.收藏家
3
2
SOT-23
1马克： 2Q
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
参数
价值
-50
-50
-3.0
-100
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
cb
h
fe
NF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= -10mA ，我
B
= -1.0mA
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -500μA ，V
CE
= -5.0V ， F = 20MHz的
V
CB
= -5.0V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V,
F = 1.0kHz
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 3.0kΩ ， F = 1.0KHz
I
C
= -20μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 10k
F = 10Hz到15.7KHz
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
分钟。
-50
-50
马克斯。
单位
V
V
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压*
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
集电极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
-10
-50
-50
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
150
250
150
250
500
800
nA
nA
nA
基本特征
-0.3
-0.85
40
4.0
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
600
900
3.0
2.0
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
小信号特性
dB
dB
dB
dB
2003仙童半导体公司
修订版B1 ， 2003年9月
2N5086/2N5087/MMBT5087
2N5086/2N5087/MMBT5087
PNP通用放大器
本设备是专为低层次，高增益，低
噪音通用放大器应用在
集电极电流至50mA 。
TO-92
1
1. 2.发射基地3.收藏家
3
2
SOT-23
1马克： 2Q
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温和存储温度
- 连续
参数
价值
-50
-50
-3.0
-100
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CB
= -35V ，我
E
= 0
V
EB
= -3.0V ，我
C
= 0
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
cb
h
fe
NF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= -10mA ，我
B
= -1.0mA
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V
I
C
= -500μA ，V
CE
= -5.0V ， F = 20MHz的
V
CB
= -5.0V ，我
E
= 0中，f = 100kHz的
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -5.0V,
F = 1.0kHz
I
C
= -100μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 3.0kΩ ， F = 1.0KHz
I
C
= -20μA ，V
CE
= -5.0V
R
S
= 10k
F = 10Hz到15.7KHz
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
分钟。
-50
-50
马克斯。
单位
V
V
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压*
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
首席执行官
I
CBO
h
FE
集电极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
-10
-50
-50
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
150
250
150
250
500
800
nA
nA
nA
基本特征
-0.3
-0.85
40
4.0
5086
5087
5086
5087
5086
5087
150
250
600
900
3.0
2.0
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
小信号特性
dB
dB
dB
dB
2003仙童半导体公司
修订版B1 ， 2003年9月
QQ：2880707522 复制
