产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5038/2N5039
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5038 2N5039
固电
IN
导½
半
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
器
UC
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5038 2N5039
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
2N5038
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供:
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级( 2N5038J )
JANTX级别( 2N5038JX )
JANTXV级( 2N5038JV )
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 %模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试(总剂量)要求
应用
高速功率开关
高功率
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 3金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸9351
参考文献:
MIL-PRF-19500/439
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或( 714 ) 979-1900
资质等级: JAN , JANTX ,并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流,连续
功耗,T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
等级
90
150
7
20
140
800
1.25
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N5038
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BE
V
BESAT
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 0.5 A ,V
CE
= 5伏
I
C
= 2 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 12 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 12 A,V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
V
CE
= 5伏,我
C
= 12 A
I
C
= 20 A,I
B
= 5 A
I
C
= 12 A,I
B
= 1.2 A
I
C
= 20 A,I
B
= 5 A
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO1
I
首席执行官
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
测试条件
I
C
= 200毫安
I
E
= 25毫安
V
CB
- 150伏
V
CE
= 70伏
V
CE
= 100Volts ,V
EB
=1.5Volts
V
CE
= 100Volts ,V
EB
=1.5Volts,
T
A
= 150°C
V
EB
= 5伏
民
90
7
1
1
5
100
1
典型值
最大
单位
伏
伏
A
A
A
A
脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
50
50
15
10
典型值
最大
200
单位
基射极电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极,短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
1.8
3.3
1.0
2.5
伏
伏
伏
符号
|h
FE
|
C
敖包
测试条件
V
CE
= 10伏,我
C
= 2 A,
F = 5兆赫
V
CB
= 10伏,我
E
= 0 mA时,
100千赫< F < 1兆赫
I
C
= 12 A,I
B1
= 1.2 A
I
C
= 12 A,I
B1
= -I
B2
= 1.2 A
民
12
典型值
最大
48
500
单位
pF
t
ON
t
关闭
0.5
2.0
s
s
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
2N5038
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供:
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级( 2N5038J )
JANTX级别( 2N5038JX )
JANTXV级( 2N5038JV )
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 %模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试(总剂量)要求
应用
高速功率开关
高功率
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 3金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸9351
参考文献:
MIL-PRF-19500/439
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或( 714 ) 979-1900
资质等级: JAN , JANTX ,并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流,连续
功耗,T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
等级
90
150
7
20
140
800
1.25
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N5038
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BE
V
BESAT
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 0.5 A ,V
CE
= 5伏
I
C
= 2 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 12 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 12 A,V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
V
CE
= 5伏,我
C
= 12 A
I
C
= 20 A,I
B
= 5 A
I
C
= 12 A,I
B
= 1.2 A
I
C
= 20 A,I
B
= 5 A
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO1
I
首席执行官
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
测试条件
I
C
= 200毫安
I
E
= 25毫安
V
CB
- 150伏
V
CE
= 70伏
V
CE
= 100Volts ,V
EB
=1.5Volts
V
CE
= 100Volts ,V
EB
=1.5Volts,
T
A
= 150°C
V
EB
= 5伏
民
90
7
1
1
5
100
1
典型值
最大
单位
伏
伏
A
A
A
A
脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
50
50
15
10
典型值
最大
200
单位
基射极电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极,短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
1.8
3.3
1.0
2.5
伏
伏
伏
符号
|h
FE
|
C
敖包
测试条件
V
CE
= 10伏,我
C
= 2 A,
F = 5兆赫
V
CB
= 10伏,我
E
= 0 mA时,
100千赫< F < 1兆赫
I
C
= 12 A,I
B1
= 1.2 A
I
C
= 12 A,I
B1
= -I
B2
= 1.2 A
民
12
典型值
最大
48
500
单位
pF
t
ON
t
关闭
0.5
2.0
s
s
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
2N5038
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供:
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级( 2N5038J )
JANTX级别( 2N5038JX )
JANTXV级( 2N5038JV )
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 %模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试(总剂量)要求
应用
高速功率开关
高功率
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 3金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸9351
参考文献:
MIL-PRF-19500/439
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或( 714 ) 979-1900
资质等级: JAN , JANTX ,并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流,连续
功耗,T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
等级
90
150
7
20
140
800
1.25
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N5038
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BE
V
BESAT
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 0.5 A ,V
CE
= 5伏
I
C
= 2 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 12 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 12 A,V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
V
CE
= 5伏,我
C
= 12 A
I
C
= 20 A,I
B
= 5 A
I
C
= 12 A,I
B
= 1.2 A
I
C
= 20 A,I
B
= 5 A
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO1
I
首席执行官
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO
测试条件
I
C
= 200毫安
I
E
= 25毫安
V
CB
- 150伏
V
CE
= 70伏
V
CE
= 100Volts ,V
EB
=1.5Volts
V
CE
= 100Volts ,V
EB
=1.5Volts,
T
A
= 150°C
V
EB
= 5伏
民
90
7
1
1
5
100
1
典型值
最大
单位
伏
伏
A
A
A
A
脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
50
50
15
10
典型值
最大
200
单位
基射极电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极,短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
1.8
3.3
1.0
2.5
伏
伏
伏
符号
|h
FE
|
C
敖包
测试条件
V
CE
= 10伏,我
C
= 2 A,
F = 5兆赫
V
CB
= 10伏,我
E
= 0 mA时,
100千赫< F < 1兆赫
I
C
= 12 A,I
B1
= 1.2 A
I
C
= 12 A,I
B1
= -I
B2
= 1.2 A
民
12
典型值
最大
48
500
单位
pF
t
ON
t
关闭
0.5
2.0
s
s
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百三十九分之一万九千五
器件
2N5038
2N5039
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功率耗散@ T
C
= +25
0
C
(1)
工作&存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
2N5038
90
150
2N5039
75
125
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
0
7.0
5.0
20
140
-65到+200
马克斯。
1.25
C
热特性
特征
符号
热阻,结到外壳
R
θ
JC
0
0
1 )线性降容800毫瓦/ C对于T
C
> + 25℃
单位
0
C / W
TO-3*
(TO-204AA)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200 MADC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 25 MADC
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 150伏
V
CE
= 125 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 70伏直流
V
CE
= 55伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
BE
= -1.5伏V
CE
= 100 VDC
V
BE
= -1.5伏V
CE
= 85伏直流
2N5038
2N5039
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
EBO
2N5038
2N5039
2N5038
2N5039
I
CBO
90
75
7.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
5.0
5.0
VDC
VDC
μAdc
I
首席执行官
I
EBO
μAdc
μAdc
μAdc
2N5038
2N5039
I
CEX
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N5038 , 2N5039 , JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(2)
正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 5.0伏
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 5.0伏
I
C
= 12 ADC ,V
CE
= 5.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 5.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 12 ADC ,我
B
= 1.2 ADC
I
C
= 10位ADC ,我
B
= 1.0 ADC
I
C
= 20 ADC ,我
B
= 5.0 ADC
基射极饱和电压
I
C
= 20 ADC ,我
B
= 5.0 ADC
基射极电压
I
C
= 12 ADC ,V
CE
= 5.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 5.0伏
2N5038
2N5039
2N5038
2N5039
2N5038
2N5039
2N5038
2N5039
两
h
FE
50
30
50
30
15
15
200
150
V
CE ( SAT )
1.0
1.0
2.5
3.3
1.8
1.8
VDC
V
BE ( SAT )
2N5038
2N5039
VDC
VDC
V
BE
动态特性
正向电流传输比
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 5.0 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
FE
C
敖包
12
48
500
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30
±
2 VDC ;我
C
12 = ADC ;我
B1
=
1.2 ADC
V
CC
= 30
±
2 VDC ;我
C
= 10位ADC ;我
B1
=
1.0 ADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30
±
2 VDC ;我
C
12 = ADC ;我
B1
= -
I
B2
=
1.2 ADC
V
CC
= 30
±
2 VDC ;我
C
= 10位ADC ;我
B1
= -
I
B2
=
1.0 ADC
2N5038
2N5039
2N5038
2N5039
t
on
0.5
s
t
关闭
2.0
s
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 28伏直流,我
C
= 5.0 ADC
测试2
V
CE
= 45伏直流,我
C
= 0.9 ADC
测试3
V
CE
= 7.0伏,我
C
- 20 ADC
测试4
V
CE
= 90伏直流,我
C
= 0.23 ADC
2N5038
测试4
V
CE
= 75 VDC ,我
C
= 0.32 ADC
2N5039
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
≤
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
2N5038
机械数据
尺寸mm (英寸)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
应用
22.23
(0.875)
马克斯。
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
适用于高电流
开关应用。
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
TO3 ( TO204AA )
引脚1 - 基地
PIN 2 - 发射极
案例 - 集电极
绝对最大额定值
T
例
= 25° ,除非另有说明
C
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(V
BE
= -1.5V
BE
= 100 )
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
在总功率耗散
T
例
= 25°
C
减免上述25 °
C
储存温度
150V
150V
90V
7V
20A
5A
140W
0.8W/°
C
-65 200℃的
C
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab被认为是
既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab
鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
DOC 7365 ,第1期
2N5038
热特性
R
th
J-情况
热阻案例
马克斯。
1.25
单位
°
C / W
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
参数
h
FE
*
正向电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和电压
集电极到发射极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
测试条件
I
C
= 2A
I
C
= 12A
I
C
= 12A
I
C
= 20A
I
C
= 20A
I
C
= 0.2A
I
C
= 0.2A
V
BE
= -1.5V
V
CE
= 140V
V
BE
= -1.5V
V
BE
= -1.5V
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 12A
V
CE
= 100V
T
例
= 150°
C
V
CE
= 70V
V
EB
= 7V
V
EB
= 5V
V
CE
= 5.0V
R
BE
= 100
V
CE
= 5.0V
I
B
= 1.2A
I
B
= 5A
I
B
= 5A
分钟。典型值。马克斯。
50
20
250
100
1.0
2.5
3.3
90
150
50
10
20
50
5
1.8
单位
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
V
( BR ) CEO
*
V
( BR ) CEX
*
V
I
CEV
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
V
BE
*
集电极截止电流
发射极截止电流
基射极电压
mA
V
动态特性
t
r
t
s
t
f
C
ob
上升时间
贮存时间
下降时间
输出电容
V
CC
= 30V
I
B1
=-I
B2
=1.2A
I
E
= 0
F = 1.0MHz的
I
C
= 2A
F = 5MHz时
V
CE
= 10V
12
V
CB
= 10V
I
C
=12A
0.5
1.5
0.5
500
pF
s
|h
fe
|
小信号电流增益
*脉冲测试吨
p
= 300s,
δ
& LT ; 2 %
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab被认为是
既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab
鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
DOC 7365 ,第1期
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5038 2N5039
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3