技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
器件
水平
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
2N5010S
2N5011S
2N5012S
2N5013S
2N5014S
2N5015S
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
集电极 - 基极电压
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +25° C
热阻，结到外壳
1/
P
t
R
θJC
T
j
, T
英镑
1.0
7.0
20
-65到+200
W
° C / W
°C
TO-39
2N5010S通2N5015S
V
EBO
I
C
I
B
V
CBO
V
CER
符号
价值
500
600
700
800
900
1000
500
600
700
800
900
1000
5
200
20
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
TO-5
2N5010 2N5015直通
操作&存储结温范围
注意：
对于温度降额曲线1 /见七百二十七分之一万九千五。
T4 - LDS -0067版本2 （ 100293 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
集电极基截止电流
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 580V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 588V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
发射基地的截止电流
V
EB
= 4V
集电极基极击穿电压
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
发射极基极击穿电压
I
C
= 0毫安
I
E
= 0.05毫安
集电极到发射极击穿电压
R
BE
= 1KΩ
I
C
= 0.2毫安，脉冲
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
@ T
A
= +150°C
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
符号
分钟。
马克斯。
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
20
单位
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
I
CBO1
I
CBO2
I
EBO
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
V
（ BR ） CBO
500
600
700
800
900
1000
5
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） EBO
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
V
（ BR ） CER
500
600
700
800
900
1000
30
30
10
10
180
180
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
正向电流传输比
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
I
C
= 5毫安
V
CE
= 10V
I
C
= 20mA下
h
FE1
h
FE2
@ T
A
= -55°C
h
FE3
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6湖街，劳伦斯，MA 01841
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电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明） （续）
参数/测试条件
基射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
动态特性
参数/测试条件
小信号短路正向电流传输比大小
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 25毫安， F = 10MHz时
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 20mA时， F = 10MHz时
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
|h
fe
|
1.0
1.0
符号
分钟。
马克斯。
单位
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
1.4
1.5
1.6
1.6
1.6
1.8
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
符号
分钟。
马克斯。
1.0
1.0
单位
VDC
VDC
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
开路输出电容
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 2MHz的
C
敖包
pF
30
T4 - LDS -0067版本2 （ 100293 ）
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技术数据表
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1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
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包装尺寸
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
P
Q
TL
TW
r
α
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.305
.335
7.75
8.51
.240
.260
6.10
6.60
.335
.370
8.51
9.40
0.200 TP
5.08 TP
.016
.019
0.41
0.48
见注14
.016
.019
0.41
0.48
.050
1.27
.250
6.35
.100
2.54
.030
0.76
.029
.045
0.74
1.14
.028
.034
0.71
0.86
.010
0.25
45 ° TP
45 ° TP
1, 2, 10, 12, 13, 14
笔记
6
7
8,9
8,9
8,9
8,9
7
5
3,4
3
10
7
注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
尺寸为英寸。
毫米给出的只是一般信息。
除了R（半径）最大， TW依法追究为0.011 （0.28 mm）的最小长度。
TL尺寸从最大的高清测量。
车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选
CD变化应不大于0.010英寸（0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米），应在0.007英寸（0.18 MM）
半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。该设备可以被测量
用直接法或通过测量过程。
维的LU应用于L1和L2之间。尺寸LD适用于L2和LL最小值之间。直径是不受控制
在内外LL最低。
所有这三个线索。
署长须在内部连接到的情况。
尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。
根据ASME Y14.5M ，直径相当于
Φx
符号。
导致1 =发射器，导致2 =基地，导致3 =收藏家。
对于非S -后缀器件（TO -5），尺寸LL = 1.5英寸（ 38.10毫米）分钟。和1.75英寸（ 44.45毫米）最大。对于S-
后缀类型（ TO- 39 ） ，尺寸LL = 0.5英寸英寸（12.70 mm）最小。和0.750英寸（ 19.05毫米）最大。
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
T4 - LDS -0067版本2 （ 100293 ）
第4页4
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NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
器件
水平
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
2N5010S
2N5011S
2N5012S
2N5013S
2N5014S
2N5015S
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
2N5010
2N5011
2N5012
V
CER
2N5013
2N5014
2N5015
集电极 - 基极电压
2N5010
2N5011
2N5012
V
CBO
2N5013
2N5014
2N5015
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +25° C
热阻，结到外壳
1/
P
t
1.0
7.0
20
-65到+200
W
V
EBO
I
C
I
B
800
900
1000
5
200
20
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
800
900
1000
500
600
700
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
符号
价值
500
600
700
单位
VDC
VDC
VDC
TO-5
2N5010 2N5015直通
TO-39
2N5010S通2N5015S
R
θJC
T
j
, T
英镑
° C / W
°C
操作&存储结温范围
注意：
对于温度降额曲线1 /见七百二十七分之一万九千五。
T4 - LDS -0067修订版1（ 082021 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
集电极基截止电流
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 580V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
@ T
A
= +150°C
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
符号
分钟。
马克斯。
10
10
10
10
10
10
单位
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
NADC
I
CBO1
V
CB
= 400V
V
CB
= 500V
V
CB
= 588V
V
CB
= 650V
V
CB
= 700V
V
CB
= 760V
发射基地的截止电流
V
EB
= 4V
集电极基极击穿电压
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.1mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
I
C
= 0.2mAdc
发射极基极击穿电压
I
C
= 0毫安
I
E
= 0.05毫安
集电极到发射极击穿电压
R
BE
= 1KΩ
I
C
= 0.2毫安，脉冲
I
CBO2
10
10
10
10
10
10
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
uAdc
I
EBO
20
uAdc
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
V
（ BR ） CBO
500
600
700
800
900
1000
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） EBO
5
VDC
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
V
（ BR ） CER
500
600
700
800
900
1000
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
正向电流传输比
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
I
C
= 5毫安
V
CE
= 10V
I
C
= 20mA下
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
h
FE1
30
30
180
180
h
FE2
@ T
A
= -55°C
h
FE3
10
10
T4 - LDS -0067修订版1（ 082021 ）
分页： 1 2 3
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-七百二十七分之一万九千五
电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明） （续）
参数/测试条件
基射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 25毫安
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
C
= 20mA下
I
B
= 5毫安，脉冲
2N5010
2N5011
2N5012
2N5013
2N5014
2N5015
1.4
1.5
1.6
1.6
1.6
1.8
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
符号
分钟。
马克斯。
1.0
1.0
单位
VDC
VDC
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
动态特性
参数/测试条件
小信号短路正向电流传输比大小
符号
2N5010, 2N5011, 2N5012
2N5013, 2N5014, 2N5015
分钟。
1.0
1.0
马克斯。
单位
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 25毫安， F = 10MHz时
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 20mA时， F = 10MHz时
开路输出电容
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 2MHz的
|h
fe
|
C
敖包
30
pF
T4 - LDS -0067修订版1（ 082021 ）
第3页3
2N5010
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
硅外延
NPN晶体管
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
特点
对于通用功率晶体管
在一个开关和线性应用
密封TO- 39封装。
5.08 (0.200)
典型值。
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
3
45°
TO- 39 （ TO- 205AD ）包装
引脚1 - 发射极
PIN 2 - 基
PIN 3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
C
P
合计
T
J,
T
英镑
R
θJC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基反向电压
连续集电极电流
器件总功耗
热阻抗结到外壳
T
C
= 25°C
最大储存和结温范围
R = 10
500V
500V
5V
0.5A
2W
200°C
50°C/W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
CBO
的hFE
ft
集电极和基漏电流
D.C电流增益
跃迁频率
测试条件
V
CB
= 500V
V
CE
= 10V
I
C
=0.025A
30
20
分钟。
典型值。
马克斯。
0.006
180
单位
mA
—
兆赫
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号3696
第1期
2N5010
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
硅外延
NPN晶体管
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
特点
对于通用功率晶体管
在一个开关和线性应用
密封TO- 39封装。
5.08 (0.200)
典型值。
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
3
45°
TO- 39 （ TO- 205AD ）包装
引脚1 - 发射极
PIN 2 - 基
PIN 3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
C
P
合计
T
J,
T
英镑
R
θJC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基反向电压
连续集电极电流
器件总功耗
热阻抗结到外壳
T
C
= 25°C
最大储存和结温范围
R = 10
500V
500V
5V
0.5A
2W
200°C
50°C/W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
CBO
的hFE
ft
集电极和基漏电流
D.C电流增益
跃迁频率
测试条件
V
CB
= 500V
V
CE
= 10V
I
C
=0.025A
30
20
分钟。
典型值。
马克斯。
0.006
180
单位
mA
—
兆赫
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