【数据表号2N5003型号2N5003几何9702极性PNPQUAL等级： JAN - JANTXV产】,IC型号2N5003,2N5003 PDF资料,2N5003经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表号2N5003

型号2N5003

几何

9702

极性PNP

QUAL等级： JAN - JANTXV

产品特点：

在使用硅功率晶体管

高速功率开关应用程序

阳离子。

装在一个

TO-59

情况。

还采用芯片形式提供

该

9702

芯片的几何形状。

显示的最小和最大限值

每

MIL-PRF-19500/512

哪

Semicoa满足于所有情况。

通用型号：

2N5003

REF ： MIL -PRF-五百十二分之一万九千五

TO-59

最大额定值

T

C

= 25℃ ，除非另有规定

o

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

集电极电流，P

W

< 8.3毫秒， < 1 ％占空比

电源Disipation牛逼

A

= 25

o

C环境

减免上述25

o

C

电源Disipation牛逼

C

= 25

o

C环境

o

减免上述25℃

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

C

P

T

P

T

J

T

英镑

等级

80

100

5.5

10

15

2

11.4

58

331

-55到+200

单位

V

A

瓦

毫瓦/

o

C

瓦

o

毫瓦/ C

o

C

o

数据表号2N5003

电气特性

T

C

= 25

o

C除非另有说明

开关特性

热阻抗

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 100毫安，我

B

= 0时，脉冲

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 40 V, V

BE

= 0，偏置条件D

V

CE

= 60 V, V

BE

= 0时，偏置条件C

V

CE

= 100 V, V

BE

= 0时，偏置条件C

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 60 V, V

BE

= 2.0 V，T

C

= 150

o

C

基极发射极截止电流

V

EB

= 4 V，I

C

= 0，偏置条件D

V

EB

= 5.5 V，I

C

= 0，偏置条件D

符号

V

（ BR ） CEO

I

首席执行官

I

CES1

I

CES2

I

CEX

I

EBO1

I

EBO2

民

80

---

最大

3.1

---

50

1.0

500

1.0

单位

o

C / W

V

A

mA

A

mA

基本特征

正向电流传输比

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5 V

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5 V ，脉冲

I

C

= 5.0 A，V

CE

= 5 V ，脉冲

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5 V的脉冲，T

A

= -55

o

C

基射极电压， Nonsaturted

I

C

= 2.5 V, V

CE

= 5 V脉冲

基射极饱和电压

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安，脉冲

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安，脉冲

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

V

BE

V

BE(sat)1

V

BE(sat)2

民

20

30

20

15

---

最大

---

90

---

1.45

2.2

单位

---

V DC

小信号特性

常见发射小信号幅度

短路正向电流传输比

V

CE

= 5 V，I

C

= 500 mA时， F = 10 MHz的

共射，小信号短路

正向电流传输比

V

CE

= 5 V，I

C

= 100 mA时， F = 1千赫

开路输出电容

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

符号

|h

fe

|

民

6

最大

---

单位

---

h

fe

C

敖包

20

---

250

---

pF

开关时间

延迟时间

I

C

= 5 A，I

B1

= 500毫安

贮存时间

I

B2

= -500毫安

下降时间

V

BE （OFF）的

= 3.7 V

打开-O FF时间

R

L

= 6欧姆

符号

t

ON

t

s

t

f

t

关闭

民

---

最大

0.5

1.4

0.5

1.5

单位

s

数据表号2N5003

最大额定值

开关时间

数据表号2C5153

芯片型号2C5153

几何9221

极性NPN

通用封装器件：

2N5003, 2N5005, 2N5151,

2N5153

芯片型号

2C5153

通过Semicoa半自动

导体提供了性能

类似于这些设备。

型号：

2N5003 ， 2N5005 ， 2N5151 ， 2N5151L ， 2N5153 ，

2N5153L

产品简介：

应用范围：

专为中

功率放大器和开关和宽

波段放大器应用。

产品特点：

中等功率等级

艾尔 - 37.5 KA分钟。

金 - 6.5 KA NOM 。

12密耳×40密耳

12密耳×30密耳

8密耳的名义

100密耳×100密耳

SILOX钝化

机械的特定网络阳离子

金属化

焊盘尺寸

模具厚度

芯片面积

顶面

顶部

背面

辐射源

BASE

电气特性

T

A

= 25

o

C

参数

BV

首席执行官

I

CES

I

EBO

测试条件

I

C

= 10 mA时，我

E

= 0

V

CE

= 60 V, V

BE

= 0

V

EB

= 4.0 V

C

, I

C

= 0

民

80

---

最大

---

1.0

单位

V DC

A

h

FE

I

C

= 50 mA dc直流电，V

CE

= 5.0 V

50

---

由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于

超过300微秒，比2 ％的占空比少。

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

描述

补充， 2N5002

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N5003J ）

JANTX级别（ 2N5003JX ）

JANTXV级（ 2N5003JV ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072的JANTXV

辐射测试（总剂量）要求

应用

高速功率开关

功率晶体管

PNP硅晶体管

特点

密封TO- 59金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸9702

参考文献：

MIL-PRF-19500/535

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额25°C以上

功耗，T

C

= 25°C

线性降额25°C以上

热阻

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

P

T

资质等级： JAN ， JANTX ，并

JANTXV

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

等级

80

100

5.5

5

2

11.4

58

331

88

3

-65到+200

单位

伏

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

R

θJC

T

J

T

英镑

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页2

www.SEMICOA.com

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

热阻抗

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

V

BE

V

BEsat1

V

BEsat2

V

CEsat1

V

CEsat2

测试条件

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

V

CE

= 5伏，我

C

= 2.5 A

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

符号

V

（ BR ） CEO

I

首席执行官

I

CEX

I

CES1

I

CES2

I

EBO1

I

EBO2

θ

JC

测试条件

I

C

= 100毫安

V

CE

= 40伏

V

CE

= 60伏特，V

EB

= 2伏特，

T

A

= 150°C

V

CE

= 60伏

V

CE

= 100伏

V

EB

= 4伏

V

EB

= 5.5伏

民

80

50

500

1

3.1

典型值

最大

单位

伏

A

mA

A

mA

° C / W

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

直流电流增益

民

20

30

20

15

典型值

最大

90

单位

基射极电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

小信号短路正向

电流传输比

开路输出电容

开关特性

饱和导通时间

上升时间

下降时间

饱和的关断时间

1.45

2.20

0.75

1.50

伏

符号

|h

FE

|

h

FE

C

敖包

t

ON

t

r

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

= 5伏，我

C

= 500毫安，

F = 10MHz的

V

CE

= 5伏，我

C

= 100毫安，

F = 1千赫

V

CB

= 10伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

民

6

20

典型值

最大

单位

250

pF

I

C

= 5 A，I

B1

=I

B2

= 500毫安，

V

BE

= 3.7伏， RL = 6

0.5

1.4

0.5

1.5

s

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第2页2

www.SEMICOA.com

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

描述

补充， 2N5002

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N5003J ）

JANTX级别（ 2N5003JX ）

JANTXV级（ 2N5003JV ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072的JANTXV

辐射测试（总剂量）要求

应用

高速功率开关

功率晶体管

PNP硅晶体管

特点

密封TO- 59金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸9702

参考文献：

MIL-PRF-19500/535

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额25°C以上

功耗，T

C

= 25°C

线性降额25°C以上

热阻

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

P

T

资质等级： JAN ， JANTX ，并

JANTXV

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

等级

80

100

5.5

5

2

11.4

58

331

88

3

-65到+200

单位

伏

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

R

θJC

T

J

T

英镑

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页2

www.SEMICOA.com

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

热阻抗

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

V

BE

V

BEsat1

V

BEsat2

V

CEsat1

V

CEsat2

测试条件

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

V

CE

= 5伏，我

C

= 2.5 A

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

符号

V

（ BR ） CEO

I

首席执行官

I

CEX

I

CES1

I

CES2

I

EBO1

I

EBO2

θ

JC

测试条件

I

C

= 100毫安

V

CE

= 40伏

V

CE

= 60伏特，V

EB

= 2伏特，

T

A

= 150°C

V

CE

= 60伏

V

CE

= 100伏

V

EB

= 4伏

V

EB

= 5.5伏

民

80

50

500

1

3.1

典型值

最大

单位

伏

A

mA

A

mA

° C / W

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

直流电流增益

民

20

30

20

15

典型值

最大

90

单位

基射极电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

小信号短路正向

电流传输比

开路输出电容

开关特性

饱和导通时间

上升时间

下降时间

饱和的关断时间

1.45

2.20

0.75

1.50

伏

符号

|h

FE

|

h

FE

C

敖包

t

ON

t

r

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

= 5伏，我

C

= 500毫安，

F = 10MHz的

V

CE

= 5伏，我

C

= 100毫安，

F = 1千赫

V

CB

= 10伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

民

6

20

典型值

最大

单位

250

pF

I

C

= 5 A，I

B1

=I

B2

= 500毫安，

V

BE

= 3.7伏， RL = 6

0.5

1.4

0.5

1.5

s

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第2页2

www.SEMICOA.com

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

描述

补充， 2N5002

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N5003J ）

JANTX级别（ 2N5003JX ）

JANTXV级（ 2N5003JV ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072的JANTXV

辐射测试（总剂量）要求

应用

高速功率开关

功率晶体管

PNP硅晶体管

特点

密封TO- 59金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸9702

参考文献：

MIL-PRF-19500/535

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额25°C以上

功耗，T

C

= 25°C

线性降额25°C以上

热阻

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

P

T

资质等级： JAN ， JANTX ，并

JANTXV

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

等级

80

100

5.5

5

2

11.4

58

331

88

3

-65到+200

单位

伏

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

R

θJC

T

J

T

英镑

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页2

www.SEMICOA.com

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

热阻抗

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

V

BE

V

BEsat1

V

BEsat2

V

CEsat1

V

CEsat2

测试条件

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

V

CE

= 5伏，我

C

= 2.5 A

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

符号

V

（ BR ） CEO

I

首席执行官

I

CEX

I

CES1

I

CES2

I

EBO1

I

EBO2

θ

JC

测试条件

I

C

= 100毫安

V

CE

= 40伏

V

CE

= 60伏特，V

EB

= 2伏特，

T

A

= 150°C

V

CE

= 60伏

V

CE

= 100伏

V

EB

= 4伏

V

EB

= 5.5伏

民

80

50

500

1

3.1

典型值

最大

单位

伏

A

mA

A

mA

° C / W

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

直流电流增益

民

20

30

20

15

典型值

最大

90

单位

基射极电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

小信号短路正向

电流传输比

开路输出电容

开关特性

饱和导通时间

上升时间

下降时间

饱和的关断时间

1.45

2.20

0.75

1.50

伏

符号

|h

FE

|

h

FE

C

敖包

t

ON

t

r

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

= 5伏，我

C

= 500毫安，

F = 10MHz的

V

CE

= 5伏，我

C

= 100毫安，

F = 1千赫

V

CB

= 10伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

民

6

20

典型值

最大

单位

250

pF

I

C

= 5 A，I

B1

=I

B2

= 500毫安，

V

BE

= 3.7伏， RL = 6

0.5

1.4

0.5

1.5

s

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第2页2

www.SEMICOA.com

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

描述

补充， 2N5002

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N5003J ）

JANTX级别（ 2N5003JX ）

JANTXV级（ 2N5003JV ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072的JANTXV

辐射测试（总剂量）要求

应用

高速功率开关

功率晶体管

PNP硅晶体管

特点

密封TO- 59金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸9702

参考文献：

MIL-PRF-19500/535

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额25°C以上

功耗，T

C

= 25°C

线性降额25°C以上

热阻

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

P

T

资质等级： JAN ， JANTX ，并

JANTXV

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

等级

80

100

5.5

5

2

11.4

58

331

88

3

-65到+200

单位

伏

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

R

θJC

T

J

T

英镑

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页2

www.SEMICOA.com

2N5003

硅PNP晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

热阻抗

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

V

BE

V

BEsat1

V

BEsat2

V

CEsat1

V

CEsat2

测试条件

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 5 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 2.5 A，V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

V

CE

= 5伏，我

C

= 2.5 A

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

I

C

= 2.5 A，I

B

= 250毫安

I

C

= 5 A，I

B

= 500毫安

符号

V

（ BR ） CEO

I

首席执行官

I

CEX

I

CES1

I

CES2

I

EBO1

I

EBO2

θ

JC

测试条件

I

C

= 100毫安

V

CE

= 40伏

V

CE

= 60伏特，V

EB

= 2伏特，

T

A

= 150°C

V

CE

= 60伏

V

CE

= 100伏

V

EB

= 4伏

V

EB

= 5.5伏

民

80

50

500

1

3.1

典型值

最大

单位

伏

A

mA

A

mA

° C / W

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

直流电流增益

民

20

30

20

15

典型值

最大

90

单位

基射极电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

小信号短路正向

电流传输比

开路输出电容

开关特性

饱和导通时间

上升时间

下降时间

饱和的关断时间

1.45

2.20

0.75

1.50

伏

符号

|h

FE

|

h

FE

C

敖包

t

ON

t

r

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

= 5伏，我

C

= 500毫安，

F = 10MHz的

V

CE

= 5伏，我

C

= 100毫安，

F = 1千赫

V

CB

= 10伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

民

6

20

典型值

最大

单位

250

pF

I

C

= 5 A，I

B1

=I

B2

= 500毫安，

V

BE

= 3.7伏， RL = 6

0.5

1.4

0.5

1.5

s

版本C

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第2页2

www.SEMICOA.com