【】,IC型号2N4903,2N4903 PDF资料,2N4903经销商,ic,电子元器件-51电子网

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

A

A

A

A

A

A

PNP硅晶体管，

外延基地

LF大信号功率放大

开关中的电流

绝对最大额定值

符号

V

CBO

集电极 - 基极电压

评级

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

t

p

= 5毫秒

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

价值

-40

-60

-80

-40

-60

-80

-40

-60

-80

-5.0

-40

-60

-80

-5

单位

V

首席执行官

＃集电极 - 发射极电压

V

CER

V

EBO

集电极 - 发射极电压

V

发射极 - 基极电压

V

CEX

集电极 - 基极电压

V

BE

=1.5 V

I

C

连续集电极电流 -

A

I

CM

集电极电流 - 峰值

-10

A

I

B

基极电流 - 连续

-1

A

P

合计

T

J

T

英镑

功耗

87.5

W

结温

200

-65

+200

°C

2N4903

储存温度

2N4901

2N4902

2N4903

3

热特性

符号

R

thJC

R

thJA

评级

热阻，结到外壳

结到自由空气的热阻

价值

2

47.3

单位

° C / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

V

CEO （ BR ）

评级

集电极 - 发射极

击穿电压）

测试条件（S ）

I

C

= 200 MADC ，我

B

=0

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

民

-40

-60

-80

20

典型值

-

Mx

-

单位

V

CE

= -2.0 V，I

C

=-1.0 A

-

80

V

h

FE

直流电流增益（ * ）

V

CE

= -2.0 V，I

C

=-5.0 A

7

-

0.1

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

-0.1

-2.0

-1.0

mA

I

CBO

集电极 - 基极截止

当前

I

CEX

收藏家Cuto FF电流

V

CE

= -40 V，I

E

=0

V

CE

= -60 V，I

E

=0

V

CE

= -80 V，I

E

=0

V

CE

=-40 V, V

EB

=1.5 V

V

CE

=-40 V, V

EB

=1.5 V,

T

例

=150°C

V

CE

=-60 V, V

EB

=1.5 V

V

CE

=-60 V, V

EB

=1.5 V,

T

例

=150°C

V

CE

=-80 V, V

EB

=1.5 V

V

CE

=-80 V, V

EB

=1.5 V,

T

例

=150°C

V

BE

= 5.0 V，I

C

=0

V

CE

= -10 V，I

C

=-0.5 A

F = 1MHz的

I

C

= -1.0 A，I

B

=-0.1 A

mA

2N4902

-

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

-

I

EBO

H

fe

发射Cuto FF电流

正向电流传输

比（ *）

20

-

V

-

-0.4

V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

I

C

= -5.0 A，I

B

=-1.0 A

-

-1.5

V

BE

基射极电压（ * ）

I

C

= -1.0 A，V

CE

=-2.0 V

-

-1.2

V

3

V

BE （ SAT ）

f

T

I

S / B

基射极饱和

电压（*）

跃迁频率

第二击穿

集电极电流

I

C

= -5.0 A，I

B

=-1.0 A

V

CE

= -10 V，I

C

=-1.0 A,

F = 1.0千赫

T = 1秒，V

CE

=40 V,

T

例

=100°C

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

2N4901

2N4902

2N4903

-

1.7

-

V

4

-

兆赫

1.25

-

A

按照JEDEC注册数据

（ * ）脉冲宽度

≈

300

s,

占空比

∠

2.0%

机械数据案例TO- 3

尺寸

A

B

C

D

E

G

H

L

M

N

P

引脚1 ：

引脚2 ：

案例：

mm

25,51

38,93

30,12

17,25

10,89

11,62

8,54

1,55

19,47

1

4,06

英寸

1,004

1,53

1,18

0,68

0,43

0,46

0,34

0,6

0,77

0,04

0,16

BASE

辐射源

集热器

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N4901 2N4902 2N4903

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N5067 /五千零六十九分之五千零六十八

ULOW

集电极饱和电压

应用

For

通用交换

和功率放大器的应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

导½

电半

固

集电极 - 基极电压

V

CBO

INC。

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

GE

的HAn

2N4901

2N4902

2N4903

ICO

SEM

发射极开路

开基

条件

器

DUC

N

价值

-40

-60

-80

-40

-60

-80

单位

V

2N4901

2N4902

2N4903

集电极 - 发射极电压

V

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

-5

-10

-1

V

A

W

℃

T

C

=25℃

87.5

200

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

2.0

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N4901

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N4902

2N4903

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

首席执行官

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

I

C

= -1A ;我

B

=-0.1A

I

C

= -5A ，我

B

=-1A

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -0.2A ;我

B

=0

2N4901 2N4902 2N4903

条件

民

-40

-60

-80

典型值。

最大

单位

V

-0.4

-1.5

-1.2

-1.0

-0.1

V

mA

V

CE

=额定V

首席执行官

; I

B

=0

V

CB

=额定V

CBO

; I

E

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

导½

电半

固

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

INC。

直流电流增益

GE

的HAn

ICO

SEM

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V

器

DUC

N

-1.0

-2.0

-1.0

80

20

7

4

跃迁频率

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N4901 2N4902 2N4903

导½

电半

固

INC。

GE

的HAn

ICO

SEM

器

DUC

N

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N4901 2N4902 2N4903

描述

·采用TO-3封装

·补键入2N5067 / 5069分之5068

·低集电极饱和电压

应用

·对于通用开关

和功率放大器的应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值

(Ta=25

)

符号

参数

2N4901

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N4902

2N4903

2N4901

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N4902

2N4903

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-40

-60

-80

-40

-60

-80

-5

-10

-1

87.5

200

-65~200

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

（日） JC

参数

热阻结到外壳

价值

2.0

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N4901

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N4902

2N4903

V

CE(sat)-1

V

CE(sat)-2

V

BE（上）

I

首席执行官

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

I

C

= -1A ;我

B

=-0.1A

I

C

= -5A ，我

B

=-1A

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -0.2A ;我

B

=0

2N4901 2N4902 2N4903

符号

条件

民

-40

-60

-80

典型值。

最大

单位

V

-0.4

-1.5

-1.2

-1.0

-0.1

-1.0

-2.0

-1.0

20

7

4

80

V

mA

V

CE

=额定V

首席执行官

; I

B

=0

V

CB

=额定V

CBO

; I

E

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N4901 2N4902 2N4903

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2N4901 2N4902 2N4903

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N5067 /五千零六十九分之五千零六十八

ULOW

集电极饱和电压

应用

For

通用交换

和功率放大器的应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N4901

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N4902

2N4903

2N4901

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N4902

2N4903

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-40

-60

-80

-40

-60

-80

-5

-10

-1

87.5

200

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

2.0

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N4901

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N4902

2N4903

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

首席执行官

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

I

C

= -1A ;我

B

=-0.1A

I

C

= -5A ，我

B

=-1A

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -0.2A ;我

B

=0

2N4901 2N4902 2N4903

条件

民

-40

-60

-80

典型值。

最大

单位

V

-0.4

-1.5

-1.2

-1.0

-0.1

-1.0

-2.0

-1.0

20

7

4

80

V

mA

V

CE

=额定V

首席执行官

; I

B

=0

V

CB

=额定V

CBO

; I

E

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= -5V ;我

C

=0

I

C

= -1A ; V

CE

=-2V

I

C

= -5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N4901 2N4902 2N4903

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

2N4901 2N4902 2N4903

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N5067,2N5068,2N5069

ULOW

集电极 - 发射极饱和电压

应用

For

通用交换

和功率放大器的应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N4901

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N4902

2N4903

2N4901

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N4902

2N4903

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

40

60

80

5

10

1

87.5

150

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

2.0

单位

℃/W

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N4901

V

首席执行官

集电极 - 发射极

维持电压

2N4902

2N4903

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

首席执行官

I

CBO

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

I

C

= 1A ;我

B

=0.1A

I

C

= 5A ;我

B

=1A

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

2N4901 2N4902 2N4903

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.4

1.5

1.2

1.0

0.1

1.0

2.0

1.0

20

7

4

80

V

mA

V

CE

=额定V

首席执行官

; I

B

=0

V

CB

=额定V

CBO

; I

E

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

I

C

= 5A ; V

CE

=2V

I

C

= 1A ; V

CE

=10V

兆赫

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N4901 2N4902 2N4903

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

JMnic

2N4903

尺寸以毫米（英寸）。

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

在双极PNP设备

密封TO3

金属包装。

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

0.97 (0.060)

1.10 (0.043)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

22.23

(0.875)

马克斯。

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

1

2

双极PNP设备。

V

首席执行官

= 80V

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

I

C

= 5A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规范。

TO3 （ TO204AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

80

5

单位

V

A

-

Hz

@ 2/1 (V

CE

/ I

C

)

20

4M

80

87

W

*最大工作电压

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产生

31-Jul-02