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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第662页 > 2N4899
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
2N4900
补充型2N4912
应用
·设计
对于驱动电路，开关
和放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N4898 2N4899 2N4900
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N4898
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N4899
2N4900
2N4898
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N4899
2N4900
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-40
-60
-80
-5
-1.0
-4.0
-1.0
25
150
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
7.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N4898
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N4899
2N4900
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N4898
I
首席执行官
集电极截止电流
2N4899
2N4900
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -1A ;我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
2N4898 2N4899 2N4900
条件
民
-40
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
-0.6
-1.3
-1.3
V
V
V
-0.5
mA
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -50mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -1.0A ; V
CE
=-1V
I
E
=0;V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
=-250mA;V
CE
=-10V
3.0
40
20
10
-0.1
-1.0
-0.1
-1.0
mA
mA
mA
100
100
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4898 2N4899 2N4900
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
优秀
安全工作区
2N4900
补充型2N4912
应用
·设计
对于驱动电路，开关
和放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N4898 2N4899 2N4900
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N4898
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N4899
2N4900
2N4898
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N4899
2N4900
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
40
60
80
40
60
80
5
1.0
4.0
1.0
25
150
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
7.0
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N4898
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N4899
2N4900
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N4898
I
首席执行官
集电极截止电流
2N4899
2N4900
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=1V
V
CE
= 20V ;我
B
=0
V
CE
= 30V ;我
B
=0
V
CE
= 40V ;我
B
=0
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
2N4898 2N4899 2N4900
条件
民
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
0.6
1.3
1.3
V
V
V
0.5
mA
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=1V
I
C
= 500毫安; V
CE
=1V
I
C
= 1.0A ; V
CE
=1V
I
E
=0;V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
=250mA;V
CE
=10V
3.0
40
20
10
0.1
1.0
0.1
1.0
mA
mA
mA
100
100
pF
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4898 2N4899 2N4900
图2外形尺寸
JMnic
功率晶体管
TO- 66案例
型号
NPN
2N3054
2N3054A
2N3583
2N3584
2N3585
2N3738
2N3739
PNP
2N6049
2N6420
2N6421
2N6422
IC
(A)
最大
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
7.0
7.0
7.0
7.0
1.0
1.0
1.0
4.0
4.0
3.0
4.0
4.0
8.0
8.0
7.0
7.0
6.0
6.0
6.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
3.0
PD
(W)
25
75
35
35
35
20
20
25
25
25
25
20
20
35
75
35
75
35
75
35
20
20
20
25
25
25
40
40
40
40
35
35
35
29
50
20
50
50
75
75
90
90
40
40
40
20
20
40
40
29
25
BVCBO
(V)
民
90
90
250
375
500
250
325
60
60
80
80
80
100
50
40
70
60
90
80
500
350
500
500
40
60
80
80
80
100
100
275
350
400
50
90
140
60
80
60
80
60
80
90
70
50
250
325
110
130
60
160
BVCEO
(V)
民
55
55
175
250
300
225
300
60
60
80
80
60
80
40
40
60
60
80
80
300
250
350
350
40
60
80
80
80
100
100
225
300
350
40
80
120
60
80
60
80
60
80
80
60
40
225
300
100
120
60
120
的hFE
民
25
25
40
40
40
40
40
30
30
30
30
40
40
25
25
25
25
25
25
40
50
25
50
20
20
20
30
60
30
60
10
10
10
20
25
20
750
750
750
750
20
20
20
20
20
40
40
15
15
20
25
最大
150
150
- -
- -
- -
200
200
150
150
150
150
160
160
100
100
100
100
100
100
- -
150
75
150
150
150
150
120
240
120
240
100
100
100
100
100
150
18,000
18,000
18,000
18,000
100
100
100
100
100
200
200
150
150
120
150
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
(A)
最大
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.5
0.5
0.5
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
0.1
0.1
1.5
1.5
1.0
0.5
1.0
0.5
5.0
0.75
0.75
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
0.6
1.0
1.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
1.0
0.9
0.9
0.75
0.6
0.6
0.6
0.7
0.7
0.7
0.7
1.4
1.6
2.0
1.5
0.5
1.2
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.5
2.5
1.2
1.2
1.0
1.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
0.25
0.25
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
0.75
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.125
0.125
0.125
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.5
3.0
0.25
0.25
1.5
1.5
0.5
0.5
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
10
10
10
10
10
3.0
3.0
3.0
3.0
10
10
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
15
20
20
20
3.0
3.0
3.0
30
30
30
30
20
20
20
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
5.0
5.0
0.75
0.2
2N3740
2N3740A
2N3741
2N3741A
2N3766
2N3767
2N4231
2N4231A
2N4232
2N4232A
2N4233
2N4233A
2N4240
2N4296
2N4298
2N4299
2N4910
2N4911
2N4912
2N5427
2N5428
2N5429
2N5430
2N6312
2N6313
2N6314
2N6423
2N4898
2N4899
2N4900
2N6211
2N6212
2N6213
2N6260
2N6261
2N6263
2N6294
2N6295
2N6300
2N6301
2N6315
2N6316
2N6372
2N6373
2N6374
2N6465
2N6466
40312
CM3441
2N6296
2N6297
2N6298
2N6299
2N6317
2N6318
2N5954
2N5955
2N5956
2N6424
2N6425
2N6467
2N6468
86
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
A
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极饱和电压
优秀
安全工作区
2N4900
补充型2N4912
应用
·设计
对于驱动电路，开关
和放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N4898 2N4899 2N4900
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
V
CBO
导½
电半
固
CHA
IN
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
条件
MIC
ê SE
NG
2N4898
2N4899
发射极开路
2N4900
2N4898
2N4899
2N4900
开基
集电极开路
器
DUC
ON
价值
-40
-60
-80
-40
-60
-80
-5
-1.0
-4.0
-1.0
单位
V
V
首席执行官
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
25
150
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
7.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N4898
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N4899
2N4900
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N4898
I
首席执行官
集电极截止电流
2N4899
2N4900
I
C
= -1A ;我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
2N4898 2N4899 2N4900
条件
民
-40
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
-0.6
-1.3
-1.3
V
V
V
-0.5
mA
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
导½
电半
固
集电极截止电流
集电极截止电流
INC。
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
GE
的HAn
ICO
SEM
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -50mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -1.0A ; V
CE
=-1V
I
E
=0;V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
=-250mA;V
CE
=-10V
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
器
DUC
N
-0.1
-1.0
-0.1
-1.0
40
20
10
100
3.0
100
mA
mA
mA
输出电容
跃迁频率
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4898 2N4899 2N4900
导½
电半
固
INC。
GE
的HAn
ICO
SEM
器
DUC
N
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
2N4898 2N4899 2N4900
·采用TO- 66封装
·低集电极饱和电压
·卓越的安全工作区
· 2N4900补键入2N4912
应用
·专为驱动电路，开关
和放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 66 ）和符号
描述
绝对最大额定值
(Ta=25
)
符号
参数
2N4898
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N4899
2N4900
2N4898
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N4899
2N4900
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-40
-60
-80
-5
-1.0
-4.0
-1.0
25
150
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
（日） JC
参数
热阻结到外壳
价值
7.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N4898
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N4899
2N4900
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
2N4898
I
首席执行官
集电极截止电流
2N4899
2N4900
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -1A ;我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
2N4898 2N4899 2N4900
符号
条件
民
-40
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
-0.6
-1.3
-1.3
V
V
V
-0.5
mA
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -50mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -1.0A ; V
CE
=-1V
I
E
=0;V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
=-250mA;V
CE
=-10V
3.0
40
20
10
-0.1
-1.0
-0.1
-1.0
mA
mA
mA
100
100
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4898 2N4899 2N4900
图2外形尺寸
3
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推荐型号
296XA102C3C
2SK2983-ZJ
2-31880-1
2N7283D1
2SC2316
2SC4272
2N6302
2SD1237R
2506031217Z0
2N2604
2SC4571(NE58230)
22-28-5201
2SK3737
20.100/6SB
2N521
2SK1548-01M
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200SXC220M30X20
251B120252C3T1
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