【T2N4401低功率双极晶体管产品特点：NPN硅平面外延晶体管。通用开关应用。TO- 92塑料包装尺】,IC型号2N4401_07,2N4401_07 PDF资料,2N4401_07经销商,ic,电子元器件-51电子网

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T2N4401

低功率双极晶体管

产品特点：

NPN硅平面外延晶体管。

通用开关应用。

TO- 92塑料包装

尺寸

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

最低

4.32

4.45

3.18

0.41

0.35

5°

1.14

12.70

1.982

最大

5.33

5.20

4.19

0.55

0.50

1.40

1.53

-

2.082

外形尺寸：毫米为

引脚配置

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

第1页

10/04/06 V1.0

T2N4401

低功率双极晶体管

绝对最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

a

= 25°C

减免上述25℃

在T功耗

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

热阻

结到外壳

结到环境

RTH

RTH

（J -C ）

第（j-一）

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T2N4401

40

60

6

600

625

5.0

1.5

12

-55到+150

单位

V

mA

mW

毫瓦/°C的

W

W / ℃，

°C

P

D

T

j

, T

英镑

83.3

° C / W

200

电气特性（T

a

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

集电极 - 发射极电压

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

集电极 - 基极电压

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

发射极电压

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

基地截断电流

V

CE

= 35V, V

EB

= 0.4V

收藏家切断电流

V

CE

= 35V, V

EB

= 0.4V

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

基极发射极饱和电压

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

*脉冲测试：脉冲宽度：

≤300s,

税

≤2.0%

符号

BV

首席执行官

*

BV

CBO

BV

EBO

I

BEV

<0.1

I

CEX

<0.4

<0.75

V

V

BE （SAT）

*

0.75 - 0.95

<1.2

A

T2N4401

>40

>60

>6

V

单位

V

CE （SAT）

*

第2页

10/04/06 V1.0

T2N4401

低功率双极晶体管

电气特性（T

a

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

直流电流增益

I

C

= 0.1毫安，V

CE

= 1V

I

C

= 1mA时， V

CE

= 1V

I

C

= 10毫安，V

CE

= 1V

I

C

= 150毫安，V

CE

= 1V*

I

C

= 500毫安，V

CE

= 2V*

动态特性

小信号电流增益

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

输入阻抗

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

特征

电压反馈比例

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

输出阻抗

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

集电极 - 基极电容

V

CB

= 5V ，我

E

= 0中，f = 100kHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 140kHz

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5V ，我

C

= 0中，f = 100kHz的

跃迁频率

I

C

= 20mA时， V

CE

= 10V ， F = 100MHz的

开关特性

V

CC

= 30V, V

EB

= 2V

I

C

= 150毫安，我

B1

= 15毫安

延迟时间

上升时间

V

CC

= 30V ，我

C

= 150毫安

I

B1

= I

B2

= 15毫安

贮存时间

下降时间

*脉冲测试：脉冲宽度：

≤300s,

税

≤2.0%

t

s

t

f

<225

<30

ns

t

d

t

r

<15

<20

ns

h

fe

h

ie

符号

h

re

h

oe

40 - 500

1.0 - 15

2N4401

0.1 - 8.0

1.0 - 30

<6.5

-

pF

C

eb

<30

-

k

单位

x10-4

符号

T2N4401

单位

h

FE

>20

>40

>80

100 - 300

>40

-

C

cb

f

T

>250

兆赫

第3页

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T2N4401

低功率双极晶体管

直流电流增益

h

FE

，直流电流增益（标准化）

I

C

集电极电流（毫安）

直流电流增益

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

I

B

基极电流（毫安）

在电压

电压（V）的

I

C

集电极电流（毫安）

第4页

10/04/06 V1.0

T2N4401

低功率双极晶体管

直流电流增益

h

FE

，直流电流增益（标准化）

I

C

集电极电流（毫安）

集电极饱和区

V

CE，

集电极 - 发射极电压（ V）

I

B

基极电流（毫安）

第5页

10/04/06 V1.0

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