【2N4401通用晶体管NPN硅特点http://onsemi.com无铅包可用*集热器3最大额定值等】,IC型号2N4401RLRPG,2N4401RLRPG PDF资料,2N4401RLRPG经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N4401

通用

晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

无铅包可用*

集热器

3

最大额定值

等级

集热器

发射极电压

集热器

基极电压

辐射源

基极电压

集电极电流

连续

器件总功耗

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

价值

40

60

6.0

600

625

5.0

1.5

12

55

to

+150

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

2

BASE

1

辐射源

P

D

TO92

CASE 29

风格1

12

1

2

T

J

, T

英镑

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

3

直引线

散装

3

BENT LEAD

磁带&卷轴

弹药包

标记图

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

2N

4401

AYWW

G

2N4401 =器件代码

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术参考

手动， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年2月

第4版

1

出版订单号：

2N4401/D

2N4401

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

基地截止电流

收藏家Cuto FF电流

基本特征

（注1 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

h

FE

20

40

80

100

40

0.75

300

0.4

0.75

0.95

1.2

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BEV

I

CEX

40

60

6.0

0.1

VDC

MADC

符号

民

最大

单位

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

小信号特性

电流增益

带宽积

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

输入阻抗

电压反馈比例

小信号电流增益

输出导纳

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

VDC

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

t

d

t

r

t

s

t

f

250

1.0

0.1

40

1.0

6.5

30

15

8.0

500

30

兆赫

pF

k

W

X 10

4

毫姆欧

ns

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE

= 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

15

20

225

30

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

订购信息

设备

2N4401

2N4401G

2N4401RLRA

2N4401RLRAG

2N4401RLRMG

2N4401RLRP

2N4401RLRPG

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

航运

5000单位/散装

2000 /磁带&卷轴

2000 /磁带&弹药盒

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

2N4401

切换时间等效测试电路

+ 30 V

+16 V

0

- 2.0 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

＆ LT ; 2.0纳秒

200

W

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

-14 V

< 20纳秒

1.0 KW

C

S

* < 10 pF的

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

+ 30 V

200

W

- 4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

暂态特性

25°C

30

20

电容（pF）

Q， CHARGE （ NC）

C

敖包

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

100°C

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2 0.3 0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

反向电压（伏）

20 30

50

10

20

30

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

300

500

Q

T

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

Q

A

图3的电容

图4.收费数据

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

EB

= 2.0 V

t

d

@ V

EB

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

t

r

50

30

20

t

f

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.上升和下降时间

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3

2N4401

300

200

吨s

′

，存储时间（纳秒）

t

s

′

= t

s

- 1/8 t

f

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10 20的

五六，下降时间（ NS ）

100

70

50

30

20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

100

70

50

10

7.0

30

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

小信号特性

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 200

W

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

RS =

来源

RS =

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

I

C

= 100

mA

I

C

= 500

mA

I

C

= 1.0毫安

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

2.0

0

10

20

50

100

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k

R

S

，源电阻（欧姆）

50 k 100 k

图9.频率的影响

图10.源电阻的影响

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4

2N4401

h参数值

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组图形示出的关系

h

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。对

获得这些曲线，高增益和低增益单元分别

从2N4401行选择，并且在同一单位是

用于在开发相应编号的曲线

每幅图。

300

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

200

hFE参数，电流增益

50 k

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

20 k

10 k

5.0 k

100

70

50

30

20

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

2.0 k

1.0 k

500

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电流增益

图12.输入阻抗

重，电压反馈比例（ X 10

-4

)

10

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

50

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

20

10

5.0

2.0

1.0

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图13.电压反馈比例

图14.输出导纳

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5

2N4401

首选设备

通用

晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

无铅包可用*

集热器

3

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

625

5.0

P

D

1.5

12

T

J

, T

英镑

-55到+150

W

毫瓦/°C的

°C

mW

毫瓦/°C的

1

2

3

价值

40

60

6.0

600

单位

VDC

MADC

2

BASE

1

辐射源

记号

图

2N

4401

YWW

TO92

CASE 29

风格1

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

Y

WW

=年

=工作周

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术参考

手动， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年6月 - 第1版

出版订单号：

2N4401/D

2N4401

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

基本特征

（注1 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基射极饱和电压（I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

基射极饱和电压

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流增益 - 带宽积（我

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

集电极 - 基极电容（V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

发射极 - 基极电容（V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗（我

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比率（I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益（I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳（我

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE

= 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

15

20

225

30

ns

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

250

1.0

0.1

40

1.0

6.5

30

15

8.0

500

30

兆赫

pF

千欧

X 10

4

毫姆欧

h

FE

20

40

80

100

40

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

0.75

300

0.4

0.75

0.95

1.2

VDC

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BEV

I

CEX

40

60

6.0

0.1

VDC

MADC

符号

民

最大

单位

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

http://onsemi.com

2

2N4401

订购信息

设备

2N4401

2N4401RLRA

2N4401RLRAG

2N4401RLRM

2N4401RLRP

2N4401RLRPG

2N4401ZL1

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

航运

5000套/箱

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药包

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

0

2.0 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

＆ LT ; 2.0纳秒

200

W

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

+30 V

200

W

C

S

* < 10 pF的

4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

暂态特性

25°C

30

20

电容（pF）

Q， CHARGE （ NC）

C

敖包

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

100°C

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

Q

A

10

20

30

50

70

100

200

300

500

Q

T

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

0.2 0.3 0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

20 30

50

反向电压（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图3的电容

图4.收费数据

http://onsemi.com

3

2N4401

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

EB

= 2.0 V

t

d

@ V

EB

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

50

30

20

t

f

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.上升和下降时间

300

200

吨s

′

，存储时间（纳秒）

t

s

′

= t

s

1/8 t

f

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10 20的

五六，下降时间（ NS ）

100

70

50

30

20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

100

70

50

10

7.0

30

10

20

30

50

70

100

200

300

500

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

小信号特性

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 200

W

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

RS =

来源

RS =

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

I

C

= 100

mA

I

C

= 500

mA

I

C

= 1.0毫安

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

4.0

2.0

0

10

20

50

100

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

R

S

，源电阻（欧姆）

图9.频率的影响

图10.源电阻的影响

http://onsemi.com

4

2N4401

h参数值

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组图形示出的关系

h

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。对

获得这些曲线，高增益和低增益单元分别

从2N4401行选择，并且在同一单位是

用于在开发相应编号的曲线

每幅图。

300

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

200

hFE参数，电流增益

50 k

20 k

10 k

5.0 k

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

100

70

50

30

20

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

2.0 k

1.0 k

500

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电流增益

图12.输入阻抗

重，电压反馈比例（ X 10

4

)

10

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

50

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

20

10

5.0

2.0

1.0

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图13.电压反馈比例

图14.输出导纳

http://onsemi.com

5

T2N4401

低功率双极晶体管

产品特点：

NPN硅平面外延晶体管。

通用开关应用。

TO- 92塑料包装

尺寸

A

B

C

D

E

F

G

H

K

L

最低

4.32

4.45

3.18

0.41

0.35

5°

1.14

12.70

1.982

最大

5.33

5.20

4.19

0.55

0.50

1.40

1.53

-

2.082

外形尺寸：毫米为

引脚配置

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

第1页

10/04/06 V1.0

T2N4401

低功率双极晶体管

绝对最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在T功耗

a

= 25°C

减免上述25℃

在T功耗

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

热阻

结到外壳

结到环境

RTH

（J -C ）

第（j-一）

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T2N4401

40

60

6

600

625

5.0

1.5

12

-55到+150

单位

V

mA

mW

毫瓦/°C的

W

W / ℃，

°C

P

D

T

j

, T

英镑

83.3

° C / W

200

电气特性（T

a

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

集电极 - 发射极电压

I

C

= 1mA时，我

B

= 0

集电极 - 基极电压

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

发射极电压

I

E

= 100μA ，我

C

= 0

基地截断电流

V

CE

= 35V, V

EB

= 0.4V

收藏家切断电流

V

CE

= 35V, V

EB

= 0.4V

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

基极发射极饱和电压

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

*脉冲测试：脉冲宽度：

≤300s,

税

≤2.0%

符号

BV

首席执行官

*

BV

CBO

BV

EBO

I

BEV

<0.1

I

CEX

<0.4

<0.75

V

BE （SAT）

*

0.75 - 0.95

<1.2

A

T2N4401

>40

>60

>6

V

单位

V

CE （SAT）

*

第2页

10/04/06 V1.0

T2N4401

低功率双极晶体管

电气特性（T

a

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

直流电流增益

I

C

= 0.1毫安，V

CE

= 1V

I

C

= 1mA时， V

CE

= 1V

I

C

= 10毫安，V

CE

= 1V

I

C

= 150毫安，V

CE

= 1V*

I

C

= 500毫安，V

CE

= 2V*

动态特性

小信号电流增益

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

输入阻抗

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

特征

电压反馈比例

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

输出阻抗

I

C

= 1mA时， V

CE

= 10V ， F = 1kHz时

集电极 - 基极电容

V

CB

= 5V ，我

E

= 0中，f = 100kHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 140kHz

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5V ，我

C

= 0中，f = 100kHz的

跃迁频率

I

C

= 20mA时， V

CE

= 10V ， F = 100MHz的

开关特性

V

CC

= 30V, V

EB

= 2V

I

C

= 150毫安，我

B1

= 15毫安

延迟时间

上升时间

V

CC

= 30V ，我

C

= 150毫安

I

B1

= I

B2

= 15毫安

贮存时间

下降时间

*脉冲测试：脉冲宽度：

≤300s,

税

≤2.0%

t

s

t

f

<225

<30

ns

t

d

t

r

<15

<20

ns

h

fe

h

ie

符号

h

re

h

oe

40 - 500

1.0 - 15

2N4401

0.1 - 8.0

1.0 - 30

<6.5

-

pF

C

eb

<30

-

k

单位

x10-4

符号

T2N4401

单位

h

FE

>20

>40

>80

100 - 300

>40

-

C

cb

f

T

>250

兆赫

第3页

10/04/06 V1.0

T2N4401

低功率双极晶体管

直流电流增益

h

FE

，直流电流增益（标准化）

I

C

集电极电流（毫安）

直流电流增益

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

I

B

基极电流（毫安）

在电压

电压（V）的

I

C

集电极电流（毫安）

第4页

10/04/06 V1.0

T2N4401

低功率双极晶体管

直流电流增益

h

FE

，直流电流增益（标准化）

I

C

集电极电流（毫安）

集电极饱和区

V

CE，

集电极 - 发射极电压（ V）

I

B

基极电流（毫安）

第5页

10/04/06 V1.0

2N4401

首选设备

通用

晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

无铅包可用*

集热器

3

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

625

5.0

P

D

1.5

12

T

J

, T

英镑

-55到+150

W

毫瓦/°C的

°C

mW

毫瓦/°C的

1

2

3

价值

40

60

6.0

600

单位

VDC

MADC

2

BASE

1

辐射源

记号

图

2N

4401

YWW

TO92

CASE 29

风格1

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

Y

WW

=年

=工作周

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术参考

手动， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年6月 - 第1版

出版订单号：

2N4401/D

2N4401

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 0.1 MADC ，我

E

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 0.1 MADC ，我

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 35 VDC ，V

EB

= 0.4伏）

基本特征

（注1 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 2.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基射极饱和电压（I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

基射极饱和电压

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流增益 - 带宽积（我

C

= 20 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 100兆赫）

集电极 - 基极电容（V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

发射极 - 基极电容（V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗（我

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比率（I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益（I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳（我

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE

= 2.0伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

15

20

225

30

ns

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

250

1.0

0.1

40

1.0

6.5

30

15

8.0

500

30

兆赫

pF

千欧

X 10

4

毫姆欧

h

FE

20

40

80

100

40

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

0.75

300

0.4

0.75

0.95

1.2

VDC

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BEV

I

CEX

40

60

6.0

0.1

VDC

MADC

符号

民

最大

单位

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

http://onsemi.com

2

2N4401

订购信息

设备

2N4401

2N4401RLRA

2N4401RLRAG

2N4401RLRM

2N4401RLRP

2N4401RLRPG

2N4401ZL1

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

航运

5000套/箱

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药包

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

0

2.0 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

＆ LT ; 2.0纳秒

200

W

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1.0 KW

+30 V

200

W

C

S

* < 10 pF的

4.0 V

范围上升时间< 4.0纳秒

*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

暂态特性

25°C

30

20

电容（pF）

Q， CHARGE （ NC）

C

敖包

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

100°C

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

Q

A

10

20

30

50

70

100

200

300

500

Q

T

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

0.2 0.3 0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

20 30

50

反向电压（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图3的电容

图4.收费数据

http://onsemi.com

3

2N4401

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

t

d

@ V

EB

= 2.0 V

t

d

@ V

EB

= 0

I

C

/I

B

= 10

100

70

50

30

20

t

f

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

10

7.0

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.开启时间

图6.上升和下降时间

300

200

吨s

′

，存储时间（纳秒）

t

s

′

= t

s

1/8 t

f

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10 20的

五六，下降时间（ NS ）

100

70

50

30

20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

V

CC

= 30 V

I

B1

= I

B2

100

70

50

10

7.0

30

10

20

30

50

70

100

200

300

500

5.0

10

20

30

50

70

100

200

300

500

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

小信号特性

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 25°C ;带宽= 1.0赫兹

10

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

I

C

= 500

毫安，

R

S

= 200

W

I

C

= 100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

I

C

= 50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

RS =

来源

RS =

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

I

C

= 100

mA

I

C

= 500

mA

I

C

= 1.0毫安

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0

男，频率（KHz ）

4.0

2.0

0

10

20

50

100

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

R

S

，源电阻（欧姆）

图9.频率的影响

图10.源电阻的影响

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4

2N4401

h参数值

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C

这组图形示出的关系

h

fe

和其他“h”的参数，这个系列的晶体管。对

获得这些曲线，高增益和低增益单元分别

从2N4401行选择，并且在同一单位是

用于在开发相应编号的曲线

每幅图。

300

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

200

hFE参数，电流增益

50 k

20 k

10 k

5.0 k

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

100

70

50

30

20

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

2.0 k

1.0 k

500

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电流增益

图12.输入阻抗

重，电压反馈比例（ X 10

4

)

10

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

50

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

20

10

5.0

2.0

1.0

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图13.电压反馈比例

图14.输出导纳

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