先进的信息
先进的信息
2N4401
小信号晶体管（ NPN ）
TO-92
0.181 (4.6)
分钟。 0.492 （ 12.5 ） 0.181 （ 4.6 ）
0.142 (3.6)
特点
¨
NPN硅外延平面晶体管
用于开关和放大器应用。
¨
互补型的PNP
晶体管2N4403建议。
¨
特殊要求，该晶体管是
在销还制
配置TO- 18 。
¨
此晶体管也处于可用
SOT -23的情况下与指定类型
MMBT4401
马克斯。
0.022 (0.55)
0.098 (2.5)
E
C
B
机械数据
案例：
TO- 92塑料包装
重量：
约。 0.18克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
价值
单位
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
在T功耗
A
=25°C
减免上述25℃
在T功耗
C
=25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境空气
热阻结到外壳
结温
存储温度范围
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
60
40
6.0
600
625
5.0
1.5
12
200
83.3
150
-55到+150
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
C
C
P
合计
R
qJA
R
QJC
T
j
T
S
2/17/99
2N4401
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
分钟。
马克斯。
单位
集电极 - 基极击穿电压
在我
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
在我
C
= 1毫安，我
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
在我
E
= 0.1毫安，我
C
= 0
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
在我
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
在我
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极饱和电压
(1)
在我
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
在我
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
EB
= 0.4 V, V
CE
= 35 V
基地截止电流
在V
EB
= 0.4 V, V
CE
= 35 V
直流电流增益
在V
CE
= 1 V，I
C
=
在V
CE
= 1 V，I
C
=
在V
CE
= 1 V，I
C
=
在V
CE
= 1 V，I
C
=
在V
CE
= 2 V，I
C
=
0.1毫安
1毫安
10毫安
150毫安
(1)
500毫安
(1)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
I
CEX
I
BEV
60
40
6.0
0.75
0.40
0.75
0.95
1.20
100
100
伏
伏
伏
伏
伏
伏
伏
nA
nA
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
ie
h
re
f
T
C
CBO
C
EBO
20
40
80
100
40
1.0
0.1 10
-4
250
300
15
8 10
-4
6.5
30
kW
兆赫
pF
pF
输入阻抗
在V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安中，f = 1千赫
电压反馈比例
在V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安中，f = 1千赫
电流增益带宽积
在V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容
在V
CB
= 5 V，I
E
= 0中，f = 1.0 MH
Z
发射极 - 基极电容
在V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MH
Z
笔记
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度300毫秒 - 占空比 2 ％
2N4401 / MMBT4401
分立功率&信号
技术
2N4401
MMBT4401
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 2X
B
NPN通用放大器
这种装置是专为使用作为介质的功率放大器和
开关需要集电极电流高达500 mA 。从采购
处理19.见PN2222A的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4401
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4401
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
特点
大电流（最大600 mA）的
低电压（最大40 V） 。
应用
工业和消费应用中的开关。
描述
NPN开关晶体管在TO -92 ; SOT54塑料
封装。 PNP补充： 2N4403 。
1
手册， halfpage
2N4401
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
2
3
1
2
3
MAM279
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
60
40
6
600
800
200
630
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
2N4401
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月23
5
2N4401
订购信息
设备
2N4401
2N4401RLRA
2N4401RLRAG
2N4401RLRM
2N4401RLRP
2N4401RLRPG
2N4401ZL1
包
TO92
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
TO92
（无铅）
TO92
航运
5000套/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
切换时间等效测试电路
+30 V
+16 V
0
2.0 V
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1.0 KW
＆ LT ; 2.0纳秒
200
W
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
14 V
< 20纳秒
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1.0 KW
+30 V
200
W
C
S
* < 10 pF的
4.0 V
范围上升时间< 4.0纳秒
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
暂态特性
25°C
30
20
电容（pF）
Q， CHARGE （ NC）
C
敖包
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
0.1
100°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
Q
A
10
20
30
50
70
100
200
300
500
Q
T
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3的电容
图4.收费数据
http://onsemi.com
3
2N4401
100
70
50
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
30
20
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
r
@ V
CC
= 10 V
t
d
@ V
EB
= 2.0 V
t
d
@ V
EB
= 0
I
C
/I
B
= 10
100
70
50
30
20
t
f
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
10
7.0
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.上升和下降时间
300
200
吨s
′
，存储时间（纳秒）
t
s
′
= t
s
1/8 t
f
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10 20的
五六，下降时间（ NS ）
100
70
50
30
20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
V
CC
= 30 V
I
B1
= I
B2
100
70
50
10
7.0
30
10
20
30
50
70
100
200
300
500
5.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
W
I
C
= 500
毫安，
R
S
= 200
W
I
C
= 100
毫安，
R
S
= 2.0千瓦
I
C
= 50
毫安，
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 500
mA
I
C
= 1.0毫安
6.0
6.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
男，频率（KHz ）
4.0
2.0
0
10
20
50
100
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
R
S
，源电阻（欧姆）
图9.频率的影响
图10.源电阻的影响
http://onsemi.com
4
TRANSYS
电子
L I M I T E
TO- 92塑料封装晶体管
2N4401
晶体管（ NPN ）
TO-92
特点
功耗
P
CM
： 0.625 W（环境温度Tamb = 25℃）
集电极电流
A
I
厘米：
0.6
集电极 - 基极电压
V
V
（ BR ） CBO
: 60
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
1.EMILTTER
2.BASE
3.收集
1 2 3
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
除非另有规定编）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
1
TEST
条件
民
60
40
6
最大
单位
V
V
V
IC = 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，
I
E
=100A,
I
B
=0
I
C
=0
V
CB
= 50 V，I
E
=0
V
CE
= 35 V，I
B
=0
V
EB
=5V ,
I
C
=0
100
0.1
0.1
0.1
300
0.4
0.95
A
A
A
V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA下
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
跃迁频率
f
T
f =
100MHz
250
兆赫
2N4400, 2N4401
NPN
版本2004-01-20
通用晶体管
硅外延PlanarTransistors
NPN
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准钢钉
1 = C 2 = B 3 = E
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CE0
V
EB0
P
合计
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
2N4400, 2N4401
40 V
60 V
6V
625毫瓦
1
)
600毫安
150°C
- 55…+ 150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
集电极截止电流 - Kollektorreststrom
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
发射极截止电流 - Emitterreststrom
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
I
EBV
–
I
CBV
–
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
750毫伏
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
400毫伏
750毫伏
950毫伏
1.2 V
100 nA的
100 nA的
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
34
通用晶体管
2N4400, 2N4401
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 1 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 500毫安
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
20
20
40
40
80
50
100
20
40
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
–
–
150
300
–
–
H-参数在V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安中，f = 1千赫
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压比 - Spannungsrückwirkg 。
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安，
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 2 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
–
–
–
–
–
–
R
THA
35纳秒
15纳秒
20纳秒
255纳秒
225纳秒
30纳秒
200多K / W
1
)
2N4402, 2N4403
2N4400
2N4401
f
T
f
T
C
CB0
C
EB0
200兆赫
250兆赫
–
–
–
–
6.5 pF的
30 pF的
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
40
1 k
S
1 S
0.1 *10
-4
500
15 k
S
30 S
8 *10
-4
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
I
CON
= 150毫安
I
BON
= 15毫安
- I
B关
= 15毫安
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
35
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N4400 / D
通用晶体管
NPN硅
2N4400
2N4401*
*摩托罗拉的首选设备
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
60
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 0.1 MADC ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
基地截止电流
（ VCE = 35 VDC ， VEB = 0.4伏）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 35 VDC ， VEB = 0.4伏）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比
≤
2.0%.
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IBEV
ICEX
40
60
6.0
—
—
—
—
—
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
2N4400 2N4401
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
的hFE
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
2N4400
2N4401
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
20
20
40
40
80
50
100
20
40
—
—
0.75
—
—
—
—
—
—
150
300
—
—
0.4
0.75
0.95
1.2
VDC
VDC
—
（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 150 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 2.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 20 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
发射极 - 基极电容（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
2N4400
2N4401
HOE
2N4400
2N4401
HRE
的hFE
20
40
1.0
250
500
30
μmhos
fT
2N4400
2N4401
建行
CEB
缺氧缺血性脑病
0.5
1.0
0.1
7.5
15
8.0
X 10–4
—
200
250
—
—
—
—
6.5
30
pF
pF
千欧
兆赫
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 30 V直流， VBE = 2.0伏，
IC = 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ）
（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，
IB1 = IB2 = 15 MADC ）
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
m
S，占空比
≤
2.0%.
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
– 2.0 V
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1.0 k
＆ LT ; 2.0纳秒
200
+16 V
0
CS * < 10 pF的
–14 V
< 20纳秒
1.0 k
CS * < 10 pF的
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
– 4.0 V
范围上升时间< 4.0纳秒
*测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
2N4400 2N4401
小信号特性
噪声系数
VCE = 10 VDC ， TA = 25°C
带宽= 1.0赫兹
10
IC = 1.0 mA时， RS = 150
IC = 500
A,
RS = 200
IC = 100
A,
RS = 2.0千欧
IC = 50
A,
RS = 4.0千欧
RS =优化
RS =
来源
RS =
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 50
A
IC = 100
A
IC = 500
A
IC = 1.0毫安
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
2.0
0
0.5 1.0 2.0 5.0
10
20
50
100
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
RS ，源电阻（欧姆）
男，频率（KHz ）
图9.频率的影响
图10.源电阻的影响
h参数值
VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫， TA = 25℃
同时从2N4400和2N4401线，并且所选择的
这组图形示出的关系
同一单位被用于开发相应num-
HFE等“ H”参数，这个系列的晶体管。对
巴列曲线，每个曲线图上。
获得这些曲线，高增益和低增益单元分别
300
缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）
200
hFE参数，电流增益
50 k
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
20 k
10 k
5.0 k
100
70
50
30
20
0.1
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
2.0 k
1.0 k
500
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电流增益
10
重，电压反馈比例（ X 10
–4
)
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
50
图12.输入阻抗
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4400 UNIT 1
2N4400 UNIT 2
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图13.电压反馈比例
4
图14.输出导纳
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
QQ：2880707522 复制
