SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
2N4398 2N4399 2N5745
·采用TO-3封装
·补键入2N5301 /五千三百零三分之五千三百零二
·低集电极饱和电压
·卓越的安全工作区
应用
·对于功率放大器和开关的使用
电路中的应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值
(Ta=25
)
符号
参数
2N4398
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N4399
2N5745
2N4398
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N4399
2N5745
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
2N4398/4399
2N5745
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-40
-60
-80
-5
-30
-20
-7.5
200
200
-65~200
V
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
（日） JC
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4398 2N4399 2N5745
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4398 2N4399 2N5745
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4398 2N4399 2N5745
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N4398 2N4399 2N5745
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
PNP 2N4398 - 2N4399 - 2N5745
硅功率晶体管
它们安装在JEDEC的TO -3封装PNP晶体管。
它们设计用于功率放大器的使用和开关电路应用。
补充NPN 2N5301 - 2N5302 - 2N5303 。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
评级
2N4398
2N4399
2N5745
2N4398
2N4399
2N5745
2N4398
2N4399
2N5745
价值
-40
-60
-80
-40
-60
-80
-5
-30
-20
50
-7.5
15
200
200
-65到+200
单位
V
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
J
T
S
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
功耗
结温
储存温度
V
V
A
A
A
A
W
°C
@ T
C
= 25°
热特性
符号
R
THJ -C
R
THJ -A
评级
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
价值
0.875
35
单位
° C / W
° C / W
1|4
24/09/2012
半导体COMSET
PNP 2N4398 - 2N4399 - 2N5745
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ BR ）
评级
测试条件（S ）
2N4398
2N4399
2N5745
V
CB
= -40 V，I
E
= 0
2N4398
V
CB
= -60 V，I
E
= 0
2N4399
V
CB
= -80 V，I
E
= 0
2N5745
2N4398
V
CE
= -40 V，I
B
= 0
V
CE
= -60 V，I
B
= 0
2N4399
V
CE
= -80 V，I
B
= 0
2N5745
2N4398
V
EB
= -5 V，I
C
= 0
2N4399
2N5745
V
CE
= -40 V, V
BE
= 1.5 V 2N4398
V
CE
= -40 V, V
BE
= 1.5 V 2N4399
V
CE
= -40 V, V
BE
= 1.5 V 2N5745
V
CE
= -40 V, V
BE
= 1.5 V
2N4398
T
C
= 150°C
V
CE
= -40 V, V
BE
= 1.5 V
2N4399
T
C
= 150°C
V
CE
= -40 V, V
BE
= 1.5 V
2N5745
T
C
= 150°C
2N4398
2N4399
I
C
= -10 A，I
B
= -1 A
2N5745
2N4398
I
C
= -15 A，I
B
= -1.5 A
2N4399
2N5745
2N4398
I
C
= -20 A，I
B
= -2 A
2N4399
I
C
= -20 A，I
B
= -4 A
2N5745
2N4398
I
C
= -30 A，I
B
= -6 A
2N4399
2N4398
2N4399
I
C
= -10 A，I
B
= -1 A
2N5745
2N4398
I
C
= -15 A，I
B
= -1.5 A
2N4399
2N5745
2N4398
I
C
= -20 A，I
B
= -2 A
2N4399
I
C
= -20 A，I
B
= -4 A
2N5745
民
-40
-60
-80
-
典型值
-
-
-
-
最大单位
-
-
-
-1
V
集电极 - 发射极
I
C
= -200毫安
击穿电压（ * ）I
B
= 0
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
I
CBO
mA
I
首席执行官
-
-
-5
mA
I
EBO
-
-
-5
mA
-
-
-5
I
CEX
集电极截止
当前
mA
-
-
-10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.75
-1
-1
-1.5
-2
-4
-1.6
-1.7
-1.85
-2
-2.5
V
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压（ * ）
V
BE （ SAT ）
基射
饱和电压（ * ）
2|4
24/09/2012
半导体COMSET
PNP 2N4398 - 2N4399 - 2N5745
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
I
C
= -15 A，V
CE
= -2 V
2N4398
2N4399
2N5745
2N4398
2N4399
2N5745
2N4398
2N4399
2N5745
2N4398
2N4399
2N5745
2N4398
2N4399
2N5745
2N4398
2N4399
2N5745
民
-
-
-
-
40
-
-
15
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
MA
x
-1.7
-1.5
-3
-2.5
-
-
-
60
单位
V
BE（上）
基射极上
电压（*）
I
C
= -10 A，V
CE
= -2 V
I
C
= -30 A，V
CE
= -4 V
I
C
= -20 A，V
CE
= -4 V
I
C
= -1 A，V
CE
= -2 V
I
C
= -15 A，V
CE
= -2 V
I
C
= -10 A，V
CE
= -2 V
I
C
= -30 A，V
CE
= -2 V
I
C
= -20 A，V
CE
= -4 V
V
h
FE
直流电流增益（ * ）
-
5
4
2
-
-
-
-
-
-
f
T
跃迁频率
V
CE
= -10 V，I
C
= -1 A
F = 1 MHz的
兆赫
（ * ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2 %
3|4
24/09/2012
半导体COMSET
PNP 2N4398 - 2N4399 - 2N5745
机械数据案例TO- 3
外形尺寸（mm ）
民
A
B
C
D
F
G
N
P
R
U
V
11
0.97
1.5
8.32
19
10.70
16.50
25
4
38.50
30
最大
13.10
1.15
1.65
8.92
20
11.1
17.20
26
4.09
39.30
30.30
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
辐射源
集热器
修订后的2012年8月
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24/09/2012
半导体COMSET
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4|4
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