2N/PN/SST4391
系列
线性集成系统
特点
替代Siliconix公司2N / PN / SST4391 ， 4292 ， & 4393
低导通电阻
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
存储温度（ 2N ）
储存温度（ PN / SST ）
结工作温度（ 2N ）
结工作温度（ PN / SST ）
最大功率耗散
连续功率耗散（ 2N ）
连续功率耗散（ PN / SST ）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏或源（ 2N / PN ）
栅漏或源（ SST ）
-40V
-35V
50mA
1800mW
350mW
-65 ℃200℃
-55 ℃150℃
-55 ℃200℃
-55 ℃150℃
S
1
单N沟道JFET开关
r
DS （ ON）
≤
30
t
ON
≤
15ns
1
2N系列
TO-18
底部视图
D
2
3
PN系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
1
3
G
S摹
1 2 3
S
2
G
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
V
DS （ ON）
特征
门源
击穿电压
门源
截止电压
2N/PN
SST
2N/PN
SST
0.7
0.25
漏极至源极电压上
2N
PN
SST
2N/SST
PN
-5
-5
-5
0.3
0.35
I
DSS
漏极至源极
2
饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
50
50
50
-100
-1000
0.4
150
100
25
25
25
-100
-1000
75
100
5
5
5
-100
-1000
pA
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DG
= 15V ，我
D
= 10毫安
30
60
mA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
0.4
典型值
4391
民
-40
-35
-4
-4
-10
-10
1
最大
4392
民
-40
-35
-2
-2
-5
-5
1
最大
4393
民
-40
-35
-0.5
-0.5
-3
-3
1
0.4
V
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 20V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 15V ，我
D
= 10nA的
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 6毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 12毫安
门源正向电压
I
GSS
I
G
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
静态电气特性CONT 。 @ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
特征
典型值
5
2N
I
D（关闭）
排水截止电流
PN
SST
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
5
5
5
5
5
5
1000
100
30
100
60
100
100
4391
民
最大
4392
民
最大
100
4393
民
最大
100
单位
条件
V
DS
= 20V, V
GS
= -5V
V
DS
= 20V, V
GS
= -7V
V
DS
= 20V, V
GS
= -12V
100
1000
1000
pA
V
DS
= 20V, V
GS
= -5V
V
DS
= 20V, V
GS
= -7V
V
DS
= 20V, V
GS
= -12V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
动态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
特征
正向跨导
输出电导
漏极至源极导通电阻
2N
输入电容
PN
SST
2N
PN
SST
C
RSS
反向传输
电容
2N
PN
SST
2N
PN
SST
e
n
等效输入噪声电压
12
12
13
3.3
3.5
3.6
3.2
3.4
3.5
2.8
3.0
3.1
3
纳伏/赫兹÷
典型值
6
25
4391
民
最大
4392
民
最大
4393
民
最大
单位
mS
S
条件
V
DS
= 20V ，我
D
= 1毫安
f
= 1kHz时
V
GS
= 0V时，我
D
= 0A
f
= 1kHz时
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
f
= 1MHz的
30
14
16
60
14
16
100
14
16
3.5
5
V
DS
= 0V, V
GS
= -5V
f
= 1MHz的
pF
V
DS
= 0V, V
GS
= -7V
f
= 1MHz的
3.5
5
3.5
5
V
DS
= 0V, V
GS
= -12V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
开关电器特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
t
D（上）
启动时间
t
r
t
D（关闭）
关闭时间
t
f
特征
2N/PN
SST
2N/PN
SST
2N/PN
SST
2N/PN
SST
典型值
2
2
2
2
6
6
13
13
15
20
30
20
35
50
5
5
5
ns
V
DD
= 10V, V
GS （H ）
= 0V
4391
民
最大
15
4392
民
最大
15
4393
民
最大
15
单位
条件
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
开关电路特性
符号。
V
GS （ L）
R
L
I
D（上）
4391
-12V
800
12mA
4392
-7V
1600
6mA
4393
-5V
3200
3mA
切换测试电路
V
DD
V
GS （H ）
R
L
OUT
V
GS （ L）
1k
51
51
TO-18
三导
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
0.050
2
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
1
3
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
01/99
B-13
2N4391, 2N4392, 2N4393
N沟道硅结型场效应晶体管
低导通电阻模拟
开关
砍刀
换向器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
– 40 V
50毫安
1.8 W
12毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
门源正向电压
饱和漏电流（脉冲）
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
I
DSS
2N4391
民
– 40
– 100
– 200
–4
50
– 10
1
150
最大
2N4392
民
– 40
– 100
– 200
–2
25
–5
1
75
最大
2N4393
民
– 40
– 100
– 200
– 0.5
5
–3
1
30
100
200
最大
单位
V
pA
nA
V
V
mA
pA
nA
pA
nA
pA
nA
0.4
V
V
V
100
pF
pF
pF
pF
过程NJ132
测试条件
I
G
= - 1μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
DS
= - 20V ，我
D
= 1 NA
I
G
= 1毫安， V
DS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 5V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 5V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 7V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 7V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 12V
V
DS
= 20V, V
GS
= – 12V
V
GS
= 0V ，我
D
= 3毫安
V
GS
= 0V ，我
D
= 6毫安
V
GS
= 0V ，我
D
= 12毫安
V
GS
= 0V ，我
D
= 1毫安
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
排水截止电流
I
D（关闭）
100
200
100
200
漏源电压ON
静态漏源导通电阻
动态电气特性
漏源导通电阻
共源输入电容
共源反向
传输电容
开关特性
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
V
DS （ ON）
0.4
r
DS （ ON）
30
0.4
60
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
30
14
60
14
3.5
100
14
3.5
V
GS
= 0V ，我
D
= A
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= V, V
GS
= – 5V
V
DS
= V, V
GS
= – 7V
V
DS
= V, V
GS
= – 12V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
3.5
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
15
5
20
15
15
5
35
20
15
5
50
30
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 10V, V
GS （ ON）
= V
2N4391 2N4392 2N4393
I
D（上）
12
6
–7
3
–5
mA
V
V
GS （ OFF ）
– 12
TO18套餐
见G部分的外形尺寸
表面贴装
SMP4391 ， SMP4392 ， SMP4393
引脚配置
1来源， 2漏， 3门&案例
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
www.interfet.com
01/99
B-15
2N4856, 2N4857, 2N4858, 2N4859, 2N4860, 2N4861
N沟道硅结型场效应晶体管
砍刀
换向器
模拟开关
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源电压
反向栅极漏极电压
连续器件耗散
功率降额
连续正向栅电流
2N4856, 2N4857, 2N4858
– 40 V
– 40 V
1.8 W
10毫瓦/°C的
50毫安
2N4859, 2N4860, 2N4861
– 30 V
– 30 V
1.8 W
10毫瓦/°C的
50毫安
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
2N4856, 2N4857, 2N4858
2N4859, 2N4860, 2N4861
门反向电流
2N4856, 2N4857, 2N4858
门反向电流
2N4859, 2N4860, 2N4861
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
排水截止电流
漏源电压ON
动态电气特性
导通电阻共同来源
共源输入电容
共源反向
传输电容
开关特性
打开延迟时间
t
D（上）
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
V
（ BR ） GSS
2N4856
2N4859
民
最大
– 40
– 30
I
GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
D（关闭）
V
DS （ ON）
–4
50
250
500
0.75
(20)
– 250
– 500
– 250
– 500
– 10
2N4857
2N4860
民
最大
– 40
– 30
– 250
– 500
– 250
– 500
–2
20
–6
100
250
500
0.5
(10)
2N4858
2N4861
民
最大
– 40
– 30
– 250
– 500
– 250
– 500
– 0.8
8
–4
80
250
500
0.5
(5)
单位
V
V
pA
nA
pA
nA
V
mA
pA
nA
V
（MA ）
过程NJ132
测试条件
I
G
= - 1 μA ，V
DS
= V
I
G
= - 1 μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
GS
= – 15V, V
DS
= V
V
GS
= – 15V, V
DS
= V
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.5 nA的
V
DS
= 15V, V
GS
= V
V
DS
= 15V, V
GS
= – 10V
V
DS
= 15V, V
GS
= – 10V
V
GS
= 0V ，我
D
= ( )
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
25
18
8
40
18
8
60
18
8
pF
pF
V
GS
= 0V ，我
D
= A
V
DS
= V, V
GS
= – 10V
V
DS
= V, V
GS
= – 10V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
6
(20)
[–10]
3
(20)
[–10]
25
(20)
[–10]
6
(10)
[– 6]
4
(10)
[– 6]
50
(10)
[– 6]
10
(5)
[– 4]
10
(5)
[– 4]
100
(5)
[– 4]
ns
（MA ）
[V]
ns
（MA ）
[V]
ns
（MA ）
[V]
V
DD
= 10V, V
GS
= V
I
D（上）
= ( )
V
GS （ OFF ）
= [ ]
上升时间
t
r
关闭延迟时间
t
D（关闭）
(2N4856, 2N4859)
R
L
= 465
(2N4857, 2N4860)
R
L
= 953
(2N4858, 2N4861)
R
L
= 1910
TO18套餐
见G部分的外形尺寸
表面贴装
SMP4856 ， SMP4857 ， SMP4858 ，
SMP4859 ， SMP4860 ， SMP4861
引脚配置
1来源， 2漏， 3门&Case
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
01/99
B-45
IFN5432 ， IFN5433 ， IFN5434
N沟道硅结型场效应晶体管
模拟低导通电阻
开关
砍刀
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
– 25 V
百毫安
300毫瓦
2.4毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
排水截止电流
漏源电压ON
静态漏源导通电阻
动态电气特性
漏源导通电阻
共源输入电容
共源反向
传输电容
开关特性
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
D（关闭）
V
DS
r
DS （ ON）
IFN5432
民
– 25
– 200
– 200
–4
150
200
200
50
2
5
– 10
最大
IFN5433
民
– 25
– 200
– 200
–3
100
200
200
70
7
–9
最大
IFN5434
民
– 25
– 200
– 200
–1
30
200
200
100
10
–4
最大
单位
V
pA
nA
V
mA
pA
nA
mV
pF
pF
过程NJ903
测试条件
I
G
= - 1μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 15V, V
DS
= V
V
GS
= – 15V, V
DS
= V
V
DS
= 5V ，我
G
= 3 nA的
V
DS
= 15V, V
GS
= V
V
DS
= 5V, V
GS
= – 10V
V
DS
= 5V, V
GS
= – 10V
V
GS
= 0V ，我
D
= 10毫安
V
DS
= 0V ，我
D
= 10毫安
T
A
= 150°C
T
A
= 150°C
5
60
20
7
60
20
10
60
20
V
GS
= 0V ，我
D
= A
V
DS
= V, V
GS
= – 10V
V
DS
= V, V
GS
= – 10V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
4
1
6
30
4
1
6
30
4
1
6
30
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 1.5 V, V
GS （ ON）
= V
V
GS （ OFF ）
= - 12V ，我
D（上）
= 10毫安
(IFN5432)
R
L
= 145
(IFN5433)
R
L
= 143
(IFN5433)
R
L
= 140
TO52套餐
尺寸以英寸（毫米）
引脚配置
1来源， 2漏， 3门&案例
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
2N4391
2N4392
2N4393
N沟道
硅JFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N4391系列
类型是N沟道JFET的硅设计用于模拟
开关和断路器的应用。
标记：全部型号
TO- 18 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
栅 - 漏电压
栅源电压
栅电流
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储结温
符号
VGD
VGS
IG
PD
TJ ， TSTG
单位
V
V
mA
W
°C
40
40
50
1.8
-65到+175
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
2N4391
2N4392
符号
测试条件
最小最大
最小最大
IGSS
VGS=20V
-
0.1
-
0.1
IGSS
VGS = 20V ， TA = 125°C
-
0.2
-
0.2
IDSS
VDS=20V
50
150
25
75
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
的ID （关闭）
BVGSS
VGS （关闭）
VGS （ F）
VDS （上）
VDS （上）
VDS （上）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
CRSS
CRSS
CRSS
西塞
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VDS=20V,
VGS=12V
VGS=7.0V
VGS=5.0V
VGS = 12V ， TA = 150℃
VGS = 7.0V ， TA = 150℃
-
-
-
-
-
-
40
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
-
-
0.2
-
-
-
10
1.0
0.4
-
-
30
30
3.5
-
-
14
-
-
-
-
-
-
40
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
-
-
0.2
-
5.0
1.0
-
0.4
-
60
60
-
3.5
-
14
2N4393
最小最大
-
0.1
-
0.2
5.0
30
-
-
-
-
-
-
40
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
-
-
0.2
-
3.0
1.0
-
-
0.4
100
100
-
-
3.5
14
单位
nA
μA
mA
nA
nA
nA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
VDS = 20V ， VGS = 5.0V ， TA = 150℃
IG=1.0μA
VDS = 20V ，ID = 1.0nA
VDS = 0 ，IG = 1.0毫安
ID=12mA
ID=6.0mA
ID=3.0mA
ID = 1.0毫安， VGS = 0
VGS = 0， n = 0中，f = 1.0kHz
VGS = 12V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
VGS = 7.0V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
VGS = 5.0V ， VDS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 20V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
R1 （ 2012年30月）
2N4391
2N4392
2N4393
N沟道
硅JFET
电气特性 - 续：
（ TA = 25° C除非另有说明）
2N4391
2N4392
2N4393
符号
测试条件
最小最大
最小最大
最小最大
tr
ID(ON)=12mA
-
5.0
-
-
-
-
tr
ID(ON)=6.0mA
-
-
-
5.0
-
-
tr
tf
tf
tf
吨
吨
吨
花花公子
花花公子
花花公子
ID(ON)=3.0mA
VGS(OFF)=12V
VGS(OFF)=7.0V
VGS(OFF)=5.0V
ID(ON)=12mA
ID(ON)=6.0mA
ID(ON)=3.0mA
VGS(OFF)=12V
VGS(OFF)=7.0V
VGS(OFF)=5.0V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
15
-
-
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
15
-
-
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.0
-
-
30
-
-
15
-
-
50
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TO- 18案例 - 机械外形
前导码：
1 ）资料来源
2 ）排水
3 ）门
标记：全部型号
R1 （ 2012年30月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
2N/PN/SST4391
系列
线性集成系统
特点
替代Siliconix公司2N / PN / SST4391 ， 4292 ， & 4393
低导通电阻
快速开关
绝对最大额定值
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
存储温度（ 2N ）
储存温度（ PN / SST ）
结工作温度（ 2N ）
结工作温度（ PN / SST ）
最大功率耗散
连续功率耗散（ 2N ）
连续功率耗散（ PN / SST ）
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏或源（ 2N / PN ）
栅漏或源（ SST ）
-40V
-35V
50mA
1800mW
350mW
-65 ℃200℃
-55 ℃150℃
-55 ℃200℃
-55 ℃150℃
S
1
单N沟道JFET开关
r
DS （ ON）
≤
30
t
ON
≤
15ns
1
2N系列
TO-18
底部视图
D
2
3
PN系列
TO-92
底部视图
SST系列
SOT-23
顶视图
D
1
3
G
S摹
1 2 3
S
2
G
静态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ F）
V
DS （ ON）
特征
门源
击穿电压
门源
截止电压
2N/PN
SST
2N/PN
SST
0.7
0.25
漏极至源极电压上
2N
PN
SST
2N/SST
PN
-5
-5
-5
0.3
0.35
I
DSS
漏极至源极
2
饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
50
50
50
-100
-1000
0.4
150
100
25
25
25
-100
-1000
75
100
5
5
5
-100
-1000
pA
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DG
= 15V ，我
D
= 10毫安
30
60
mA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
0.4
典型值
4391
民
-40
-35
-4
-4
-10
-10
1
最大
4392
民
-40
-35
-2
-2
-5
-5
1
最大
4393
民
-40
-35
-0.5
-0.5
-3
-3
1
0.4
V
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0V
V
DS
= 20V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 15V ，我
D
= 10nA的
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0V
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 6毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 12毫安
门源正向电压
I
GSS
I
G
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
静态电气特性CONT 。 @ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
特征
典型值
5
2N
I
D（关闭）
排水截止电流
PN
SST
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
5
5
5
5
5
5
1000
100
30
100
60
100
100
4391
民
最大
4392
民
最大
100
4393
民
最大
100
单位
条件
V
DS
= 20V, V
GS
= -5V
V
DS
= 20V, V
GS
= -7V
V
DS
= 20V, V
GS
= -12V
100
1000
1000
pA
V
DS
= 20V, V
GS
= -5V
V
DS
= 20V, V
GS
= -7V
V
DS
= 20V, V
GS
= -12V
V
DS
= 10V, V
GS
= -10V
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
动态电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
特征
正向跨导
输出电导
漏极至源极导通电阻
2N
输入电容
PN
SST
2N
PN
SST
C
RSS
反向传输
电容
2N
PN
SST
2N
PN
SST
e
n
等效输入噪声电压
12
12
13
3.3
3.5
3.6
3.2
3.4
3.5
2.8
3.0
3.1
3
纳伏/赫兹÷
典型值
6
25
4391
民
最大
4392
民
最大
4393
民
最大
单位
mS
S
条件
V
DS
= 20V ，我
D
= 1毫安
f
= 1kHz时
V
GS
= 0V时，我
D
= 0A
f
= 1kHz时
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
f
= 1MHz的
30
14
16
60
14
16
100
14
16
3.5
5
V
DS
= 0V, V
GS
= -5V
f
= 1MHz的
pF
V
DS
= 0V, V
GS
= -7V
f
= 1MHz的
3.5
5
3.5
5
V
DS
= 0V, V
GS
= -12V
f
= 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 10毫安
f
= 1kHz时
开关电器特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号。
t
D（上）
启动时间
t
r
t
D（关闭）
关闭时间
t
f
特征
2N/PN
SST
2N/PN
SST
2N/PN
SST
2N/PN
SST
典型值
2
2
2
2
6
6
13
13
15
20
30
20
35
50
5
5
5
ns
V
DD
= 10V, V
GS （H ）
= 0V
4391
民
最大
15
4392
民
最大
15
4393
民
最大
15
单位
条件
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
开关电路特性
符号。
V
GS （ L）
R
L
I
D（上）
4391
-12V
800
12mA
4392
-7V
1600
6mA
4393
-5V
3200
3mA
切换测试电路
V
DD
V
GS （H ）
R
L
OUT
V
GS （ L）
1k
51
51
TO-18
三导
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
0.050
2
1
2
3
0.013
0.100
0.55
尺寸
MILLIMETERS
1
3
0.095
0.105
0.045
0.055
尺寸
英寸。
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
笔记
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
3%
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
N沟道JFET开关
公司
2N4391 - 2N4393 / PN4391 - PN4393 / SST4391 - SST4393
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+200
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
TO-18
TO-92
SOT-23
功耗
1.8W
360mW
350mW
减免上述25
o
10毫瓦/
o
3.3mW /
o
2.8mW时/
o
C
塑料
存储。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+135
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
G，C
D
S
S.D。
G
S
G
r
DS （ ON）
＆ LT ; 300欧姆（ 2N4391 ）
I
D（关闭）
<100pA
开关
±10VAC
同
±15V
耗材（ 4392 ， 4393 ）
引脚配置
TO - 92
TO-18
TO-92
订购信息
部分
包
密封的TO- 18
塑料TO- 92
塑料SOT- 23
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+200
o
C
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+200
o
C
2N4391/93
PN4391/93
SST4391/93
X2N4391/93
5001
G
SOT-23
D
S
产品标识（ SOT -23 ）
SST4391
SST4392
SST4393
N01
N02
N03
公司
2N4391 - 2N4393 / PN4391 - PN4393
SST4391 - SST4393
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
参数
4391
-100
I
GSS
BV
GSS
门反向电流
-200
栅源击穿电压
-40
100
I
D（关
)
排水截止电流
200
V
GS （ F）
V
GS （ OFF ）
I
DSS
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
C
国际空间站
门源正向电压
栅源截止电压
饱和漏极电流（注1 ）
漏源电压
静态漏源
阻力
漏源导通电阻
共源输入
电容（注2 ）
共源反向
传输电容（注2 ）
3.5
t
d
t
r
t
关闭
t
f
导通延迟时间（注2 ）
上升时间（注2 ）
关断延迟时间（注2 ）
下降时间（注2 ）
15
5
20
15
15
5
35
20
15
5
50
30
ns
-4
50
1
-10
150
0.4
30
30
14
-2
25
200
1
-5
75
0.4
60
60
14
-0.5
5
200
1
V
-3
30
0.4
100
100
14
3.5
C
RSS
3.5
pF
V
DS
= 0
mA
V
nA
-40
100
-200
-40
100
-200
nA
V
pA
V
DS
= 20V
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
V
GS
= -5V (4393)
V
GS
= -7V (4392)
V
GS
= -12V (4391)
T
A
= 150
o
C
I
G
= 1mA时， V
DS
= 0
V
DS
= 20V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 3毫安（ 4393 ）
I
D
= 6毫安（ 4392 ）
I
D
= 12毫安（ 4391 ）
4392
-100
4393
-100
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
pA
V
GS
= -20V, V
DS
= 0
T
A
= 150
o
C
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 1毫安
V
GS
= 0, I
D
= 0
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
GS
= -5V
V
GS
= -7V
V
GS
= -12V
V
DD
= 10V, V
GS （ ON）
= 0
4391
4392
4393
I
D（上）
12mA
6
3
V
GS （ OFF ）
-12V
-7
-5
F = 1MHz的
F = 1kHz时
注：1 。
所需的脉冲测试，脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤3%.
2.
仅供设计参考，未经100％测试。
开关时间测试电路
R
L
D
脉冲
IN
1 k
V
IN
范围
51
R
L
=
51
V
DD
1000pF
51
V
OUT
9.6
I
D（上）
- 51
0010
2N4391
机械数据
尺寸mm （英寸）
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
JFET开关
通道 - 耗竭
5.33 (0.210)
4.32 (0.170)
特点
低导通电阻
快速开关
军事选项可用
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
DIA 。
2.54 (0.100)
喃。
3
2
1
12.7 (0.500)
分钟。
应用范围：
开关应用
TO- 18金属封装
仰视图
PIN 1 - 源
PIN 2 - 漏
3脚 - 门
（栅极连接的情况下）
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
V
DG
V
GS
I
GF
P
D
T
J
T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温范围
存储温度范围
40V
40V
40V
50mA
1.8W
10毫瓦/°C的
-65到+ 175℃
-65到+ 175℃
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
网站http://www.semelab.co.uk
预赛。九十八分之一十一
2N4391
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
开关特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS
V
GS （ F）
I
D（关闭）
门源击穿电压
1
门反向电流
门源电压
门源正向电压
漏
截止电流
分钟。
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
0.1
0.2
nA
A
V
V
nA
A
I
G
= 1.0A
V
GS
= 20V
V
GS
= 20V
V
DS
= 20V
I
G
= 1.0毫安
V
GS
= 12V
V
GS
= 12V
V
DS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= 0
T
A
= 150
°
C
I
D
= 1.0nA
V
DS
= 0
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V
T
A
= 150
°
C
4.0
10
1.0
0.1
0.2
基本特征
I
DSS
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
1
漏源导通电压
静态漏源导通电阻
V
GS
= 0V
I
D
= 12毫安
I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 0V
V
GS
= 12V
V
DS
= 20V
V
GS
= 0
V
GS
= 0
V
DS
= 20V
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
GS
= 0V
I
D
= 0
F = 1.0kHz
I
D（上）
= 12毫安
V
GS （ ON）
= 12V
I
D（上）
= 12毫安
V
GS （ OFF ）
= 12V
50
150
0.4
30
mA
V
电气特性
C
国际空间站
C
RSS
输入电容
反向传输电容
14
pF
3.5
小信号特性
r
DS （ ON）
漏源“ ON”电阻
30
开关特性
t
on
t
关闭
t
r
t
f
开启时间
关断时间
上升时间
下降时间
15
20
5.0
15
ns
1 ）脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
2) f
t
被定义为频率在哪些| H
fe
|外推到untity 。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
网站http://www.semelab.co.uk
预赛。九十八分之一十一
2N / PN / SST4391系列
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
2N4391
2N4392
2N4393
产品概述
产品型号
2N/PN/SST4391
2N/PN/SST4392
2N/PN/SST4393
PN4391
PN4392
PN4393
SST4391
SST4392
SST4393
V
GS （ OFF ）
(V)
–4
到“10
-2至-5
-0.5至-3
r
DS （ ON）
最大值（W）的
30
60
100
I
D（关闭）
典型值（PA ）
5
5
5
t
ON
典型值（ NS ）
4
4
4
特点
D
低导通电阻： 4391<30
W
D
快速切换-T
ON
： 4纳秒
D
高关断隔离：我
D（关闭）
与低
泄漏
D
低电容： < 3.5 pF的
D
低插入损耗
好处
D
D
D
D
D
低电压错误
高速模拟电路的性能
可以忽略不计“关错误”，出色的精度
良好的频率响应，低毛刺
消除了额外的缓冲
应用
D
D
D
D
D
D
模拟开关
菜刀
采样和保持
通常情况下“开”开关
限流
换向器
描述
在2N / PN / SST4391系列具有许多优越的
JFET的特性，这使得它对于一个好的选择
苛刻的模拟开关的应用程序和用于专门
放大器电路。
2N个系列密封的TO- 206AA （ TO- 18 ）可以是
可每MIL -S - 19500的处理（见军事
信息） 。两个PN ，TO- 226AA （ TO-92 ） ，和SST ，
TO- 236 （ SOT -23 ）系列可在磁带和卷轴为
自动化装配（见包装信息） 。对于类似
双产品，看到2N5564 / 5566分之5565数据表。
TO-206AA
(TO-18)
TO-226AA
(TO-92)
1
D
S
2
S
2
1
S
1
TO-236
(SOT-23)
D
3
G
2
D
顶视图
2N4391
2N4392
2N4393
3
G和案例
G
3
顶视图
PN4391
PN4392
PN4393
顶视图
SST4391 （ CA） *
SST4392 （ CB ） *
SST4393 （ CC ） *
*标识代码为TO- 236
应用程序信息，请参阅AN104和AN106
.
文档编号： 70241
S- 04028 -REV 。男， 04 -JAN- 01
www.vishay.com
7-1
2N / PN / SST4391系列
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压：
（ 2N / PN前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 V
（ SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -35 V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
存储温度：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 200
_C
（ PN / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到150
_C
工作结温：
（2N前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 200
_C
（ PN / SST前缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55到150
_C
功耗：
（ 2N前缀）
a
. . . . . . . . . . (T
C
= 25_C ） 1800毫瓦
（ PN / SST前缀）
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 350毫瓦
笔记
一。减免10毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免2.8毫瓦/ _C以上25_C
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
4391
4392
4393
参数
STATIC
栅极 - 源
击穿电压
栅极 - 源
截止电压
饱和漏极
当前
b
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
G
= –1
毫安，
V
DS
= 0 V
V
DS
= 20 V
V
DS
= 15 V
2N / PN ：我
D
= 1 NA
SST ：我
D
= 10 nA的
2N
PN
SST
V
GS
= –20 V
V
DS
= 0 V
2N/SST
PN
2N ：T已
A
= 150_C
PN ：T已
A
= 100_C
SST ：T已
A
= 125_C
–55
–40
–4
50
50
50
–10
150
150
–40
–2
25
25
25
–100
–1000
–200
–200
–100
–1000
–200
–200
–5
75
100
–40
V
–0.5
5
5
5
–100
–1000
–200
–200
nA
pA
–3
30
60
mA
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
–5
–5
–13
–1
–3
–5
5
5
5
0.005
0.005
0.005
5
13
13
13
1
1
1
3
0.25
0.3
0.35
门反向电流
I
GSS
门工作电流
I
G
V
DG
= 15 V，I
D
= 10毫安
2N ： V
GS
= –5 V
2N ： V
GS
= –7 V
V
DS
= 20 V
2N ： V
GS
= –12 V
PN ： V
GS
= –5 V
PN ： V
GS
= –7 V
PN ： V
GS
= –12 V
SST V
DS
= 10 V, V
GS
= –10 V
100
100
100
1
1
1
100
100
100
200
200
200
200
200
200
nA
pA
nA
pA
排水截止电流
I
D（关闭）
V
DS
= 20 V
T
A
= 150_C
2N ： V
GS
= –5 V
2N ： V
GS
= –7 V
2N ： V
GS
= –12 V
PN ： V
GS
= –5 V
V
DS
= 20 V
T
A
= 100_C
V
DS
= 10 V
T
A
= 125_C
PN ： V
GS
= –7 V
PN ： V
GS
= –12 V
SST ： V
GS
= –10 V
I
D
= 3毫安
0.4
0.4
0.4
30
60
1
100
1
V
W
V
漏源
上的电压
漏源
导通电阻
栅极 - 源
正向电压
V
DS （ ON）
V
GS
= 0 V
I
D
= 6毫安
I
D
= 12毫安
r
DS （ ON）
V
GS （ F）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
G
= 1毫安
V
DS
= 0 V
2N
PN / SST
0.7
0.7
1
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70241
S- 04028 -REV 。男， 04 -JAN- 01
2N / PN / SST4391系列
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
4391
4392
4393
参数
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
漏源
导通电阻
共源
输入电容
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
民
最大
单位
g
fs
V
DS
= 20 V，I
D
= 1毫安中，f = 1千赫
g
os
r
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 0毫安中，f = 1千赫
2N
C
国际空间站
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
PN
SST
2N ： V
GS
= –5 V
2N ： V
GS
= –7 V
2N ： V
GS
= –12 V
PN ： V
GS
= –5 V
C
RSS
V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
PN ： V
GS
= –7 V
PN ： V
GS
= –12 V
SST ： V
GS
= –5 V
SST ： V
GS
= –7 V
SST ： V
GS
= –12 V
6
25
30
12
12
13
3.3
3.2
2.8
3.5
3.4
3.0
3.6
3.5
3.1
3
5
5
3.5
5
3.5
3.5
14
16
60
14
16
100
14
16
mS
mS
W
pF
共源
反向传输
电容
等效输入
噪声电压
e
n
V
DS
= 10 V，I
D
= 10毫安
F = 1千赫
nV/
√Hz的
开关
2N/PN
t
D（上）
开启时间
t
r
t
D（关闭）
打开-O FF时间
t
f
V
DD
= 10 V
V
GS （H ）
= 0 V
见开关电路
SST
2N/PN
SST
2N/PN
SST
2N/PN
SST
2
2
2
2
6
6
13
13
NCB
15
20
30
20
35
50
ns
5
5
5
15
15
15
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v3%.
文档编号： 70241
S- 04028 -REV 。男， 04 -JAN- 01
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7-3
2N / PN / SST4391系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和漏电流
与门源截止电压
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS
@ I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
80
I
DSS
120
160
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
100
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
80
V
GS （ OFF ）
= –2 V
60
60
r
DS
40
80
40
–4 V
–8 V
20
40
20
0
0
–2
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–10
0
0
1
10
I
D
- 漏电流（mA ）
100
导通电阻与温度
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
I
D
= 1毫安
r
DS
改变X 0.7 ％ / _
160
4
t
r
120
V
GS （ OFF ）
= –2 V
80
–4 V
40
–8 V
切换时间（纳秒）
3
5
导通开关
t
r
大约独立的我
D
V
DD
= 5 V ，R
G
= 50 W
V
GS （L
)
= –10 V
t
D（上）
@
I
D
= 12毫安
2
t
D（上）
@
I
D
= 3毫安
1
0
–55 –35
0
–15
5
65
25 45
T
A
- 温度（ _C ）
85
105
125
0
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
30
关断开关
t
D（关闭）
独立设备的V
GS （关闭
)
V
DD
= 5 V, V
GS （ L）
= –10 V
30
电容与栅源电压
F = 1 MHz的
V
DS
= 0 V
24
切换时间（纳秒）
电容（pF）
24
18
V
GS （ OFF ）
= –2 V
t
f
t
D（关闭）
18
12
12
C
国际空间站
6
C
RSS
0
6
V
GS （ OFF ）
= –8 V
0
0
2
4
6
I
D
- 漏电流（mA ）
8
10
0
–4
–8
–12
–16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–20
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7-4
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2N / PN / SST4391系列
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
正向跨导和输出onductance
与门源截止电压*
50
V
DS
= 10 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
40
g
fs
和G
os
@ V
DS
= 20 V
V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
400
GOS - 输出电导（ μS ）
500
噪声电压与频率的关系
100
恩 - 噪声电压内华达州/
Hz
30
g
fs
g
os
200
10
I
D
= 1毫安
20
200
I
D
= 10毫安
10
100
1
10
100
1k
的F - 频率（Hz）
10 k
100 k
0
0
–4
–6
–8
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
–2
–10
0
栅极漏电流
10 nA的
I
GSS
@ 125_C
T
A
= 125_C
I
D
= 10毫安
100
共栅输入导纳
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
1 nA的
I
G
- 栅极漏电流）
g
ig
100 pA的
1毫安
（女士）
1毫安
10
b
ig
10 pA的
T
A
= 25_C
1 pA的
10毫安
I
GSS
@ 25_C
1
I
G（ ON）的
@ I
D
0.1帕
0
6
12
18
24
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
30
0.1
100
200
500
的F - 频率（MHz ）
1000
共栅极正向导纳
100
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
–g
fg
10
（女士）
（女士）
g
fg
b
fg
1.0
10
共栅反转导纳
V
DG
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
–b
rg
–g
rg
+g
rg
1
0.1
0.1
100
200
500
的F - 频率（MHz ）
1000
0.01
100
200
500
的F - 频率（MHz ）
1000
文档编号： 70241
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QQ：2880707522 复制
