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博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
A
A
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备，包括高应用
高保真音频放大器，串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏（最大） @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO （ SUS） = 120伏直流（最小值） - 2N4347
140伏（最小） - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
评级
＃集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
集电极电流
PEAK
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
T
J
T
S
瓦
W / ℃，
°C
°C
（** ）这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
2N4347
2N3442
价值
1.75
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CER （ SUS）
R
BE
=100
I
首席执行官
评级
集电极 - 发射极
维持电压（ 1）
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极电流
测试条件（S ）
I
C
= 200 MADC ，我
B
=0
最小典型单位的Mx
2N4347
120
2N3442
140
2N4347
130
2N3442
150
2N4347
2N3442
2N4347
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
-
200
200
2.0
10
-
-
-
15
10
20
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.0
30
5.0
60
-
70
-
1.0
2.0
1.0
5.0
-
MADC
MADC
MADC
VDC
I
C
= 0.1 ADC
I
C
= 0.2 ADC
V
CE
= 100伏，我
B
=0
V
CE
= 140伏，我
B
=0
V
CE
= 125 VDC ，V
EB （O FF ）
-1.5伏
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 120伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，
T
C
= 150°C
V
CE
= 140伏，V
EB （O FF ）
-1.5伏
V
CE
= 140伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，
T
C
= 150°C
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 7.0伏，我
C
=0
I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 4.0伏
2N3442
2N4347
2N3442
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC
I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.63 ADC
I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 0.3 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.2 ADC
VDC
半导体COMSET
2/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE（上）
评级
基射极电压
测试条件（S ）
I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 0.5 ADC ， F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 2.0 ADC ， F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 0.5 ADC ，女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 2.0 ADC ，女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流，我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流，我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
72
-
-
-
-
VDC
h
fe
小信号电流增益
-
f
T
电流增益 - 带宽
产品（2）
第二击穿
集电极电流
2N4347
200
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
千赫
I
S / B
s
（1 ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备，包括高应用
高保真音频放大器，串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏（最大） @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO （ SUS） = 120伏直流（最小值） - 2N4347
140伏（最小） - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
＃集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
瓦
W / ℃，
°C
°C
T
J
T
S
（** ）这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
2N4347
2N3442
价值
1.75
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ SUS ）
评级
集电极 - 发射极
维持电压（ 1）
测试条件（S ）
I
C
= 200 MADC ，我
B
=0
最小典型单位的Mx
2N4347
120
2N3442
140
-
-
-
-
-
-
VDC
-
-
V
-
200
MADC
200
-
2N4347
10
MADC
-
2N3442
-
2N4347
2N3442
2N4347
-
15
10
2N3442
20
4.0
2N4347
2N3442
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5.0
60
-
-
70
-
1.0
2.0
1.0
5.0
MADC
-
5.0
-
2.0
2N4347
130
2N3442
150
2N4347
2N3442
-
V
CER （ SUS）
R
BE
=100
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 0.1 ADC
I
C
= 0.2 ADC
V
CE
= 100伏，我
B
=0
V
CE
= 140伏，我
B
=0
V
CE
= 125 VDC ，V
EB （O FF ）
-1.5伏
I
首席执行官
集电极 - 发射极电流
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 120伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，
T
C
= 150°C
V
CE
= 140伏，V
EB （O FF ）
-1.5伏
V
CE
= 140伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，
T
C
= 150°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 7.0伏，我
C
=0
I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
h
FE
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
直流电流增益
I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.63 ADC
I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 0.3 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.2 ADC
VDC
半导体COMSET
2/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE（上）
评级
基射极电压
测试条件（S ）
I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 0.5 ADC ， F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 2.0 ADC ， F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 0.5 ADC ，女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏，我
C
= 2.0 ADC ，女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流，我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流，我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品（2）
第二击穿
集电极电流
I
S / B
（1 ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备，包括高应用
高保真音频放大器，串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏（最大） @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO （ SUS） = 120伏直流（最小值） - 2N4347
140伏（最小） - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
＃集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
瓦
W / ℃，
°C
°C
T
J
T
S
（** ）这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻，结到外壳
2N4347
2N3442
价值
1.75
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ SUS ）
评级
集电极 - 发射极
维持电压（ 1）
测试条件（S ）
I
C
= 200 MADC ，我
B
=0
最小典型单位的Mx
2N4347
120
2N3442
140
-
-
-
-
-
-
VDC
-
-
V
-
200
MADC
200
-
2N4347
10
MADC
-
2N3442
-
2N4347
2N3442
2N4347
-
15
10
2N3442
20
4.0
2N4347
2N3442
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5.0
60
-
-
70
-
1.0
2.0
1.0
5.0
MADC
-
5.0
-
2.0
2N4347
130
2N3442
150
2N4347
2N3442
-
V
CER （ SUS）
R
BE
=100
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 0.1 ADC
I
C
= 0.2 ADC
V
CE
= 100伏，我
B
=0
V
CE
= 140伏，我
B
=0
V
CE
= 125 VDC ，V
EB （O FF ）
-1.5伏
I
首席执行官
集电极 - 发射极电流
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 120伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，
T
C
= 150°C
V
CE
= 140伏，V
EB （O FF ）
-1.5伏
V
CE
= 140伏，V
EB （O FF ）
= 1.5伏，
T
C
= 150°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 7.0伏，我
C
=0
I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
h
FE
I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
直流电流增益
I
C
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= 10位ADC ，V
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V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 0.63 ADC
I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 0.3 ADC
I
C
= 10位ADC ，我
B
= 0.2 ADC
VDC
半导体COMSET
2/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE（上）
评级
基射极电压
测试条件（S ）
I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
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CE
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千赫
V
CE
= 4.0伏，我
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V
CE
= 4.0伏，我
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40千赫
V
CE
= 67伏直流，我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流，我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品（2）
第二击穿
集电极电流
I
S / B
（1 ）脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
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