145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110 传真： （ 631 ） 435-1824
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2N4338/4339/4340/4341
Vishay Siliconix公司
N沟道JFET的
产品概述
产品型号
2N4338
2N4339
2N4340
2N4341
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.3到-1
-0.6至-1.8
-1至-3
± 2 ± 6
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–50
–50
–50
–50
g
fs
MIN（ ms）的
0.6
0.8
1.3
2
I
DSS
马克斯（毫安）
0.6
1.5
3.6
9
特点
D
D
D
D
低截止电压： 2N4338 <1 V
高输入阻抗
非常低噪声
高增益：一个
V
= 80 @ 20
mA
好处
D
从低电压全性能
电源：低至1 V
D
信号损失/系统错误
D
高灵敏度系统
D
高品质的低电平信号
放大器阳离子
应用
D
高增益，低噪声放大器
D
低电流，低电压
电池供电的放大器
D
红外探测器放大器
D
超高输入阻抗
前置放大器
描述
该2N4338 / 4339 /四千三百四十一分之四千三百四n沟道JFET的设计
对于敏感的放大器阶段，在低到中等的频率。低
截止电压适应低级别的电源和
低漏电，以提高系统精度。
在TO- 206AA （ TO- 18 ）封装，密封性好，且
适用于军事的处理（见军事信息） 。为
同类产品采用TO- 226AA （ TO- 92）和TO- 236 （ SOT -23 ）
包，看到的J / SST201系列数据表。
TO-206AA
(TO-18)
S
1
2
D
顶视图
3
G和案例
绝对最大额定值
栅极 - 源极/栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50 V
正向栅电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至175_C
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300_C
功耗
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
笔记
一。减免2毫瓦/ _C以上25_C
应用程序信息，请参阅AN102和AN106 。
文档编号： 70240
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-1
2N4338/4339/4340/4341
Vishay Siliconix公司
规格FOR 2N4338和2N4339 （T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N4338
2N4339
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
b
排水截止电流
门源正向电压
c
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 15 V，I
D
- 0.1毫安
V
DS
= 15 V, V
GS
= –5 V
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
–57
–50
–0.3
0.2
–1
0.6
–100
–100
–50
–0.6
0.5
–1.8
1.5
–100
–100
V
mA
pA
nA
pA
V
–2
–4
–2
2
0.7
50
50
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
c
噪声系数
g
fs
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
RSS
e
n
NF
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫，R
G
= 1兆瓦
1.5
6
1
1
3
3
nV/
√Hz的
dB
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
5
5
2500
7
15
1700
7
pF
mS
W
0.6
1.8
0.8
2.4
mS
规格FOR 2N4340和2N4341 （T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N4340
2N4341
参数
STATIC
栅源击穿电压
栅源截止电压
饱和漏极电流
b
门反向电流
门工作电流
b
排水截止电流
门源正向电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
I
G
I
D（关闭）
V
GS （ F）
I
G
= –1
mA
, V
DS
= 0 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –30 V, V
DS
= 0 V
T
A
= 150_C
V
DG
= 15 V，I
D
- 0.1毫安
V
GS
= –5 V
V
DS
= 15 V
V
GS
= –10 V
–57
–50
–1
1.2
–3
3.6
–100
–100
–50
–2
3
V
–6
9
–100
–100
mA
pA
nA
–2
–4
–2
2
3
0.7
50
70
pA
I
G
= 1毫安， V
DS
= 0 V
V
www.vishay.com
7-2
文档编号： 70240
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
2N4338/4339/4340/4341
Vishay Siliconix公司
规格FOR 2N4340和2N4341 （T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N4340
2N4341
参数
动态
共源
正向跨导
共源
输出电导
漏源导通电阻
共源
输入电容
共源
反向传输电容
等效输入噪声电压
c
噪声系数
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
g
fs
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
RSS
e
n
NF
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫，R
G
= 1兆瓦
1.5
6
V
DS
= 0 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
5
1.3
3
30
1500
7
3
2
4
60
800
7
mS
mS
W
pF
3
nV/
√Hz的
1
1
dB
笔记
一。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
女士，
占空比
v3%.
。该参数不符合JEDEC注册。
NPA
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏电流和跨导
与门源截止电压
10
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
fs
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
F = 1千赫
5
g
fs
- 正向跨导（MS ）
10 nA的
I
D
= 100毫安
1 nA的
I
G
- 栅极漏电流（ A）
T
A
= 125_C
500毫安
栅极漏电流
I
DSS
- 饱和漏极电流（mA ）
8
4
6
g
fs
4
I
DSS
3
100 pA的
I
GSS
@ 125_C
500毫安
2
10 pA的
I
D
= 100毫安
T
A
= 25_C
1 pA的
I
GSS
@ 25_C
2
1
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0.1帕
0
6
12
18
24
30
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
文档编号： 70240
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-3
2N4338/4339/4340/4341
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
导通电阻和输出电导
与门源截止电压
1500
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
10
2
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
1200
g
os
g
fs
- 正向跨导（MS ）
g
os
- 输出电导（ μS ）
8
1.6
T
A
= –55_C
1.2
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
共源正向跨导
与漏电流
900
r
DS
600
6
4
0.8
25_C
300
r
DS
@ I
D
= 100毫安， V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1千赫
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
2
0.4
125_C
0
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
V
GS （ OFF ）
- 栅极 - 源截止电压（V）的
输出特性
400
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
320
I
D
- 漏电流（ μA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
GS
= 0 V
1.6
2
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
GS
= 0 V
1.2
–0.3 V
0.8
–0.6 V
0.4
–1.2 V
0
–0.9 V
240
–0.1 V
160
–0.2 V
–0.3 V
80
–0.5 V
0
0
4
8
12
16
20
–0.4 V
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
输出特性
300
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
240
V
GS
= 0 V
–0.1 V
I
D
- 漏电流（ μA ）
180
–0.2 V
120
–0.3 V
60
–0.4 V
–0.5 V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0
0.2
I
D
- 漏电流（mA ）
0.8
1
输出特性
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
–0.3 V
V
GS
= 0 V
0.6
–0.6 V
0.4
0.2
–0.9 V
–1.2 V
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
www.vishay.com
V
DS
- 漏源电压（ V）
文档编号： 70240
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
7-4
2N4338/4339/4340/4341
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
传输特性
500
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
400
I
D
- 漏电流（ μA ）
I
D
- 漏电流（mA ）
V
DS
= 10 V
1.6
T
A
= –55_C
300
T
A
= –55_C
25_C
200
125_C
100
1.2
25_C
2
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
DS
= 10 V
传输特性
0.8
0.4
125_C
0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨导与栅源电压
1.5
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
g
fs
- 正向跨导（MS ）
1.2
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
g
fs
- 正向跨导（MS ）
3.2
4
跨导与栅源电压
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
V
DS
= 10 V
F = 1千赫
T
A
= –55_C
25_C
0.9
2.4
T
A
= –55_C
25_C
1.6
0.6
125_C
0.3
0.8
125_C
0
0
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
电路的电压增益与漏电流
200
1
)
R
L
g
os
假设V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
R
L
+
120
10 V
I
D
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
A
V
+
g
fs
R
L
2000
导通电阻与漏电流
T
A
= 25_C
1600
V
GS （ OFF ）
= –0.7 V
1200
160
A
V
=电压增益
80
–1.5 V
40
V
GS （关闭
)
= –0.7 V
800
–1.5 V
400
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
0
0.01
0.1
I
D
- 漏电流（mA ）
1
文档编号： 70240
S- 04028 -REV 。 E， 04军， 01
www.vishay.com
7-5
N沟道JFET
低噪声放大器
公司
2N4338 – 2N4341
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+175
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
极高的品质因数
辐射抗扰度
极低的噪音和电容
高输入阻抗
低级别的砍刀
数据交换机
多路复用器和低噪声放大器
引脚配置
应用
订购信息
部分
TO-18
包
密封的TO- 18
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+175
o
C
-55
o
C至+175
o
C
2N4338-41
X2N4338-41
G，C
5010
D
S
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
GSS
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
D（关闭）
I
DSS
g
fs
g
os
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
参数
门反向电流
2N4338
2N4339
2N4340
2N4341
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
nA
T
A
= 150
o
C
-50
-0.3
-1
0.05
(-5)
0.2
0.6
0.5
-0.1
-50
-0.6
-1.8
0.05
(-5)
1.5
1.2
-0.1
-50
-1
-3
0.05
(-5)
3.6
3
-0.1
-50
-2
-6
0.07
(-10)
9
-0.1
A
V
nA
(V)
mA
S
欧姆
pF
测试条件
V
GS
= -30V, V
DS
= 0
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.1A
V
DS
= 15V,
V
GS
= ( )
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
V
DS
= 15V,
V
GS
= 0
V
DS
= 0, I
DS
= 0
V
DS
= 15V,
V
GS
= 0（注1 ） F = 1MHz的
V
DS
= 15V,
V
GS
= 0
R
根
= 1MEG ，
BW = 200Hz的
栅源击穿电压
栅源截止电压
排水截止电流
饱和漏极电流（注2 ）
共源转发
跨导（注2 ）
共源输出电导
漏源导通电阻
共源输入电容
共源反向传输
电容
噪声系数（注1 ）
600 1800 800 2400 1300 3000 2000 4000
5
2500
7
3
15
1700
7
3
30
1500
7
3
60
800
7
3
F = 1kHz时
NF
1
1
1
1
dB
F = 1kHz时
注：1 。
仅供设计参考，未经100％测试。
2.
脉冲测试持续时间为2ms （非JEDEC条件） 。
QQ：2880707522 复制
