2N4261UB
硅PNP晶体管
D上TA秒H E E吨
描述
Semicoa提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N4261UBJ ）
JANTX级别（ 2N4261UBJX ）
JANTXV级（ 2N4261UBJV ）
JANS级（ 2N4261UBJS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用开关晶体管
低功耗
PNP硅晶体管
特点
密封Cersot陶瓷
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0014
参考文献：
MIL-PRF-19500/511
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
等级
15
15
4.5
30
200
1.14
0.86
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
° C /毫瓦
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
2005
英文内容
Semicoa
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N4261UB
硅PNP晶体管
D上TA秒H E E吨
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
发射基截止电流
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
CEX1
I
CEX2
I
CEX3
I
EBX
I
EBO
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
±15伏
V
CE
= 10Volts ，V
BE
= 0.4Volts
V
CE
= 10伏特，V
BE
- 2伏
V
CE
= 10伏特，V
BE
= 2伏特，
T
A
= 150°C
V
BE
= 2伏特，V
CE
= 10伏
V
EB
= 4.5伏
民
15
10
50
5
5
5
10
典型值
最大
单位
伏
A
nA
nA
A
nA
A
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BE1
V
BE2
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 1毫安， V
CE
= 1伏特
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1伏特
I
C
= 30 mA时， V
CE
= 1伏特
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1伏特
T
A
= -55°C
V
CE
= 1伏特，我
C
= 1毫安
V
CE
= 1伏特，我
C
= 10毫安
I
C
= 1毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
25
30
20
15
典型值
最大
150
单位
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
0.8
1.0
0.15
0.35
伏
伏
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
集电极基时间常数
符号
|h
FE1
|
|h
FE2
|
C
敖包
C
IBO
r
b
’C
C1
r
b
’C
C2
t
ON
t
关闭
测试条件
F = 100 MHz的
V
CE
= 4伏特，我
C
= 5毫安
V
CE
= 10伏，我
C
= 10毫安
V
CB
= 4伏特，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 0.5伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
CE
= 4伏， F = 31.8兆赫
I
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安
V
CC
= 17伏，我
C
= 10毫安
V
CC
= 17伏，我
C
= 10毫安
民
15
20
2.5
2.5
60
50
pF
pF
ps
典型值
最大
单位
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
2.5
3.5
ns
ns
2005
英文内容
Semicoa
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
数据表号2C4261
芯片型号2C4261
几何0014
极性PNP
通用封装器件：
2N4260, 2N4261
芯片型号
2C4261
通过Semicoa半自动
导体提供了性能
类似于这些设备。
型号：
产品简介：
应用范围：
专为低电压，低增益RF
放大器应用。
产品特点：
特色
2N4261,
2N4261UB ， 2N4260 ， 2N4260UB ，
SD4261 ， SD4261F ， SQ4261 ， SQ4261F
FT = 1.8千兆赫（典型值）在10mA / 10V
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 嘉12分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
2.1密耳X 2.1密耳
2.1密耳X 2.1密耳
8密耳的名义
16密耳×16密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25
o
C
参数
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
测试条件
I
C
= 10.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
民
15
15
4.5
最大
---
---
---
单位
V DC
V DC
V DC
h
FE
I
C
= 10 mA dc直流电，V
CE
= 1.0 V直流
30
150
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
PNP小信号硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百十一分之一万九千五
器件
水平
2N4261
2N4261UB
2N4261UBC *
*只适用于JANS
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= +25°C
操作&存储结温范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
, T
英镑
价值
15
15
4.5
30
0.2
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
°C
TO-72
2N4261
注意：
咨询五百十一分之一万九千五热力性能曲线。
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10mAdc
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 15VDC
发射基截止电流
V
EB
= 4.5VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 10V直流，V
BE
= 0.4Vdc
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 10V直流，V
BE
= 2.0Vdc
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
I
CEX1
I
CEX2
15
10
10
50
5
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
2N4261UBC
（ UBC =陶瓷盖版）
符号
分钟。
马克斯。
单位
3针
2N4261UB
T4 - LDS -0150版本2 （ 101161 ）
第1页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
基本特征
(4)
正向电流传输比
I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
= 1VDC
I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 1VDC
I
C
= 30mAdc ，V
CE
= 1VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1mAdc ，我
B
= 0.1mAdc
I
C
= 10mAdc ，我
B
= 1.0mAdc
基射极饱和电压（不饱和）
V
CE
= 1VDC ，我
C
= 1mAdc
V
CE
= 1VDC ，我
C
= 10mAdc
动态特性
参数/测试条件
小信号正向电流传输比大小
I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流， F = 100MHz的
输出电容
V
CB
= 4Vdc电压，我
E
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
输入电容
V
EB
= 0.5VDC ，我
C
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
开关特性
参数/测试条件
开启时间
V
CC
= 17VDC ;我
C
= 10mAdc
打开-O FF时间
V
CC
= 17VDC ;我
C
= 10mAdc
（ 4 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
符号
t
on
t
关闭
分钟。
马克斯。
2.5
3.5
单位
ηs
ηs
符号
|h
fe
|
分钟。
20
2.5
2.5
pF
pF
马克斯。
单位
h
FE
25
30
20
150
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
CE （ SAT ）
0.15
0.35
0.6
0.80
1.0
VDC
V
BE
VDC
C
敖包
C
IBO
T4 - LDS -0150版本2 （ 101161 ）
页2的5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
包装尺寸
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
P
Q
TL
TW
r
α
尺寸
英寸
MILLIMETERS
MIN MAX MIN
最大
.178 .195 4.52
4.95
.170 .210 4.32
5.33
.209 .230 5.31
5.84
.100 TP
2.54 TP
.016 .021 .406
.533
.500 .750 12.70 19.05
.016 .019
.41
.48
.050
1.27
.250
6.35
.100
2.54
.040
1.02
.028 .048
.71
1.22
.036 .046
.91
1.17
.007
.18
45 ° TP
笔记
5
5
7, 8
7, 8
7, 8
5
注意事项：
1尺寸为英寸。
2毫米给出的只是一般信息。
3除了R（半径）最大， TH应当承担的0.011 （0.28 mm）的最小长度。
4维TL从最大的高清测量。
5车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选
6信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米），应在0.007英寸（ 0.18毫米）
半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。
7维的LU应用于L1和L2之间。尺寸LD适用于L2和LL最小值之间。直径在不受控制
L1和超越LL最低。
8这四个线索。
9尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。
10根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
11铅1 =发射器，导致2 =基地，导致3 =集热器，导致4 =情况下（电连接） 。
图1 。
外形尺寸为2N4261 （ TO- 72 ） 。
T4 - LDS -0150版本2 （ 101161 ）
第3 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
LTR 。
BH
BL
BW
CL
CW
LL1
LL2
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最小值最大值最小值最大值
.046 .056 1.17 1.42
.115 .128 2.92 3.25
.085 .108 2.16 2.74
.128
3.25
.108
2.74
.022 .038 0.56 0.96
.017 .035 0.43 0.89
记
LTR 。
LS1
LS2
LW
r
r1
r2
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.035
.040
0.89
1.02
.071
.079
1.80
2.01
.016
.024
0.41
0.61
.008
0.20
.012
0.31
.022
0.56
记
注意事项：
1尺寸为英寸。
2毫米给出的只是一般信息。
3垫1 =相应的，垫2 =发射器，键盘3 =收集器，垫4 =屏蔽连接到盖。
4根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2中。
物理尺寸为2N4261UB ，表面贴装。
T4 - LDS -0150版本2 （ 101161 ）
第4 5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
LTR 。
BH
BL
BW
CL
CW
LL
1
LL
2
注意事项：
1
2
3
4
5
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最小值最大值最小值最大值
.046 .071 1.17 1.80
.115 .128 2.29 3.25
.085 .108 2.16 2.74
.128
3.25
.108
2.74
.022 .038 0.56 0.96
.017 .035 0.43 0.89
记
LTR 。
LS
1
LS
2
LW
r
r
1
r
2
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.036
.040
0.91
1.02
.071
.079
1.81
2.01
.016
.024
0.41
0.61
.008
.203
.012
.305
.022
.559
记
尺寸为英寸。
毫米给出的只是一般信息。
在包分别表示金属化区域阴影区
垫1 =相应的垫片， 2 =发射器，键盘3 =收集器，垫4 =连接到所述盖钎焊环。
根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*
网络连接gure 3 。
物理尺寸，表面贴装（ UBC版本，陶瓷盖） 。
T4 - LDS -0150版本2 （ 101161 ）
页5
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
PNP小信号硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百十一分之一万九千五
器件
水平
2N4261
2N4261UB
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= +25°C
操作&存储结温范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
, T
英镑
价值
15
15
4.5
30
0.2
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
°C
TO-72
2N4261
注意：
咨询五百十一分之一万九千五热力性能曲线。
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10mAdc
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 15VDC
发射基截止电流
V
EB
= 4.5VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 10V直流，V
BE
= 0.4Vdc
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 10V直流，V
BE
= 2.0Vdc
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
I
CEX1
I
CEX2
15
10
10
50
5
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
符号
分钟。
马克斯。
单位
3针
2N4261UB
T4 - LDS -0150修订版1（ 092064 ）
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
PNP小信号硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百十一分之一万九千五
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
基本特征
(4)
正向电流传输比
I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
= 1VDC
I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 1VDC
I
C
= 30mAdc ，V
CE
= 1VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1mAdc ，我
B
= 0.1mAdc
I
C
= 10mAdc ，我
B
= 1.0mAdc
基射极饱和电压（不饱和）
V
CE
= 1VDC ，我
C
= 1mAdc
V
CE
= 1VDC ，我
C
= 10mAdc
h
FE
25
30
20
150
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
CE （ SAT ）
0.15
0.35
0.6
0.80
1.0
VDC
V
BE
VDC
动态特性
参数/测试条件
小信号正向电流传输比大小
I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流， F = 100MHz的
输出电容
V
CB
= 4Vdc电压，我
E
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
输入电容
V
EB
= 0.5VDC ，我
C
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
C
IBO
2.5
pF
C
敖包
2.5
pF
符号
|h
fe
|
分钟。
20
马克斯。
单位
开关特性
参数/测试条件
开启时间
V
CC
= 17VDC ;我
C
= 10mAdc
打开-O FF时间
V
CC
= 17VDC ;我
C
= 10mAdc
（ 4 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
符号
t
on
分钟。
马克斯。
2.5
单位
ηs
t
关闭
3.5
ηs
T4 - LDS -0150修订版1（ 092064 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
PNP小信号硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百十一分之一万九千五
包装尺寸
尺寸
英寸
MILLIMETERS
MIN MAX MIN
最大
.178 .195 4.52
4.95
.170 .210 4.32
5.33
.209 .230 5.31
5.84
.100 TP
2.54 TP
.016 .021 .406
.533
.500 .750 12.70 19.05
.016 .019
.41
.48
.050
1.27
.250
6.35
.100
2.54
.040
1.02
.028 .048
.71
1.22
.036 .046
.91
1.17
.007
.18
45 ° TP
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
P
Q
TL
TW
r
α
笔记
5
5
7, 8
7, 8
7, 8
5
注意事项：
1尺寸为英寸。
2毫米给出的只是一般信息。
3除了R（半径）最大， TH应当承担的0.011 （0.28 mm）的最小长度。
4维TL从最大的高清测量。
5车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选
6信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米），应在0.007英寸（ 0.18毫米）
半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。
7维的LU应用于L1和L2之间。尺寸LD适用于L2和LL最小值之间。直径在不受控制
L1和超越LL最低。
8这四个线索。
9尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。
10根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
11铅1 =发射器，导致2 =基地，导致3 =集热器，导致4 =情况下（电连接） 。
图1.物理尺寸为2N4261 （ TO- 72 ） 。
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
PNP小信号硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-五百十一分之一万九千五
LTR 。
BH
BL
BW
CL
CW
LL1
LL2
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最小值最大值最小值最大值
.046 .056 1.17 1.42
.115 .128 2.92 3.25
.085 .108 2.16 2.74
.128
3.25
.108
2.74
.022 .038 0.56 0.96
.017 .035 0.43 0.89
记
LTR 。
LS1
LS2
LW
r
r1
r2
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.035
.040
0.89
1.02
.071
.079
1.80
2.01
.016
.024
0.41
0.61
.008
0.20
.012
0.31
.022
0.56
记
注意事项：
1尺寸为英寸。
2毫米给出的只是一般信息。
3垫1 =相应的，垫2 =发射器，键盘3 =收集器，垫4 =屏蔽连接到盖。
4根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
图2.物理尺寸2N4261UB ，表面贴装。
T4 - LDS -0150修订版1（ 092064 ）
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